【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及新材料，具体为核电半导体用超级hn316la冶炼生产方法及装置。
技术介绍
1、在核电军工半导体行业中，常会用到hn316la不锈钢对气体进行输送，而现有的hn316la不锈钢生产技术中，产品夹杂物等级a、b、c、d粗系和细系在1.0左右，普遍存在气孔，腐蚀性气体使用容易泄露，电解抛光表面粗糙度高等问题。
2、于是，有鉴于此，针对现有的结构及缺失予以研究改良，提出核电半导体用超级hn316la冶炼生产方法及装置。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术提供了核电半导体用超级hn316la冶炼生产方法及装置，解决了上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：核电半导体用超级hn316la冶炼生产方法，所述超级hn316la冶炼生产方法包括下述操作步骤：
3、s1、超级hn316la不锈钢材料的化学成分：
4、c＜0.006，si＜0.15，mn＜0.6，p＜0.01，s＜0.002，ni：14.5-15，cr：16.5-17.5，mo:2.2-2.5；
5、cu:0.10-0.15，al:0.003-0.01,ca＜0.01,ti＜0.01,nb:0.003-0.01,se＜0.01，fe:其余o＜8ppm,n＜40ppm,h＜1ppm；
6、s2、冶炼工艺：
7、当要求产品中气体含量o≤8ppm、n含量≤50ppm、h含量≤1ppm时，
8、步骤一：选择适合冶炼本材料的冶炼原料，若冶炼原料中金属元素杂质含量超标则不适用其作为原料，将选用好的冶炼原料，按合金组分取各冶炼原料，取造渣渣料，冶炼原料在300℃下烘烤时间大于14h，渣料在800℃下烘烤时间大于8h，将烘烤好的冶炼原料，分类收集在干燥仓中等待冶炼；
9、步骤二：取烘烤后的纯ni、纯cr、纯mo、c和纯fe，真空下慢速加热熔化，全部熔化后，升温1580～1620℃精炼，时间≥40min，结膜30～60min，搅拌5min,升温至1520～1550℃，抽真空至真空度>2pa后结膜30～60min，搅拌40min；
10、取二类纯净的小料si、mn和无硫无磷的造渣料，升温至1520～1550℃，真空度>3pa后，时间≥40min，结膜30～60min，搅拌45min；
11、取三类小料feb20、fev50，真空度>3pa、调整钢水温度1480℃～1500℃，浇注直径为φ200mm～400mm铸锭，铸模室真空度≤15mpa，铸锭冷却时间>4h，得到铸坯；
12、步骤三：将vim得到锭坯经砂磨表面去除氧化皮等缺陷精整后，得到pesr所需的自耗电极棒；
13、将自耗电极棒与假电极焊接，与自耗电极同材质圆板作起弧板，caf2、al2o3、cao、mgo做预熔渣，结晶器内起弧化渣，重熔速度为2.5～4.0kg/min，熔炼，结束前热补缩，补缩电流下降速率为0.0007～0.0015ka/s，冷却静置后得到电渣重熔钢锭；
14、步骤四：将pesr冶炼得到锭坯经过砂磨表面精整后，在真空环境下起弧加热熔化形成熔池；随后逐渐降低起弧电流至工作电流，保持恒熔速，平均速率控制在2.5～5.0kg/min；重熔完成前切换成电流控制，逐步降低电流至工作电流的40％进行补缩，冷却静置，得到φ270mm～350mm自耗重熔钢锭；
15、步骤五：对获得的重熔钢锭进行固溶热处理，热轧或者锻打，注意锻压比要大于6，可以重复固溶加热热处理锻打，以达到晶粒度在5.5级以上，避免钢坯中间疏松。
16、进一步的，所述步骤s1中，
17、nieq＝ni+0.65cr+0.98mo+1.05mn+0.35si+12.6c≥28.5％；
18、pren＝％cr+3.3*(％mo+0.5w)+16％n≥24；
19、成品金相要求：α相为0，δ相小于0.2％。
20、进一步的，所述步骤一中，冶炼原料包括纯ni、纯cr、纯mo、纯fe，且金属元素杂质含量满足下述要求：
21、al≤0.01；cu≤0.15；nb≤0.01；ca≤0.01；ti≤0.01；se≤0.01。
22、进一步的，所述步骤二中，二类小料和三类小料是分别依次加入搅拌均匀。
23、进一步的，所述步骤三中，同材质的起弧板要求干净，放在电渣炉、电极旁边，其作用是自耗电极起弧产生热量开始熔化，再就是控制电流稳定，调节好电流。
24、进一步的，所述步骤三中，预熔渣的渣料各组元纯度＞98.5％，不稳定氧化物杂质氧化锰、氧化亚铁、二氧化硅总含量小于0.5％，粒度小于50目。
25、进一步的，所述步骤四中，获得的成品电渣重熔钢锭中o≤6ppm、氮含量≤30ppm、氢含量≤1ppm，夹杂物要求：粗系：a、b、c、d、ds全部是0，细系：a+b+c+d+ds≤0.5。
26、进一步的，所述步骤五中，为保障稳定的产品质量，每次模铸坯料两头的尾料应当切除干净，每次冶炼生产，每一步都应当取样化验分析材料质量和异常。
27、一种装置，所述装置为干燥仓，应用于上述内容中对烘烤好的冶炼原料进行分类收集，所述干燥仓包括仓体，所述仓体的内壁两侧交错固定有下料斜坡，且下料斜坡的下方设置有干燥组件，所述干燥组件包括主管体、管道、管头、气孔、弹簧、管内杆、气囊和注气管，所述主管体的表面开设有管道，且管道的内部契合穿设有管头，所述管头的外侧面均匀开设有气孔，且管头的底部连通有管内杆，所述管头的外壁包裹有弹簧，且弹簧的两端分别与管内杆表面、主管体内壁相连接，所述管内杆的侧面连通有气囊，且气囊的右侧连通有注气管，所述仓体的左侧底部开设有下料闸门。
28、进一步的，所述仓体的背面上部连接有遮盖组件，所述遮盖组件包括扭簧收卷轴、遮盖布、传输带和输出电机，所述扭簧收卷轴的表明收卷有遮盖布，所述仓体两侧上部转动连接有传输带，且传输带的一侧连接有输出电机。
29、本专利技术提供了核电半导体用超级hn316la冶炼生产方法及装置，具备以下有益效果：
30、1.该核电半导体用超级hn316la冶炼生产方法及装置，该超级hn316la不锈钢材料冶炼成本低，且成品材料非金属夹杂物极低，其晶粒度检验后结果为8.5级，并形成了100％奥氏体组织，其他有害组织几乎为0，并经过腐蚀试验后其结果显示该材料的耐腐蚀性性能优秀，并且电解抛光后粗造度更低，还具有非常好的焊接性能。
31、2.该核电半导体用超级hnla冶炼生产方法及装置，冶炼原料沿下料斜坡表面依次下降高度直至到达仓体内部，避免原料下落过程中因过高导致主管体表面撞损，待仓体内部装满原料后，注气管将干燥空气注入气囊内部，气囊内的干燥气体穿过管内杆、管头本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.核电半导体用超级HN316LA冶炼生产方法，其特征在于：所述超级HN316LA冶炼生产方法包括下述操作步骤：
2.根据权利要求1所述的核电半导体用超级HN316LA冶炼生产方法，其特征在于：所述步骤S1中，
3.根据权利要求1所述的核电半导体用超级HN316LA冶炼生产方法，其特征在于：所述步骤一中，冶炼原料包括纯Ni、纯Cr、纯Mo、纯Fe，且金属元素杂质含量满足下述要求：
4.根据权利要求1所述的核电半导体用超级HN316LA冶炼生产方法，其特征在于：所述步骤二中，二类小料和三类小料是分别依次加入搅拌均匀。
5.根据权利要求1所述的核电半导体用超级HN316LA冶炼生产方法，其特征在于：所述步骤三中，同材质的起弧板要求干净，放在电渣炉、电极旁边，其作用是自耗电极起弧产生热量开始熔化，再就是控制电流稳定，调节好电流。
6.根据权利要求1所述的核电半导体用超级HN316LA冶炼生产方法，其特征在于：所述步骤三中，预熔渣的渣料各组元纯度＞98.5％，不稳定氧化物杂质氧化锰、氧化亚铁、二氧化硅总含量小于0.5％，粒度小于
7.根据权利要求1所述的核电半导体用超级HN316LA冶炼生产方法，其特征在于：所述步骤四中，获得的成品电渣重熔钢锭中O≤6ppm、氮含量≤30ppm、氢含量≤1ppm，夹杂物要求：粗系：A、B、C、D、DS全部是0，细系：A+B+C+D+DS≤0.5。
8.根据权利要求1所述的核电半导体用超级HN316LA冶炼生产方法，其特征在于：所述步骤五中，为保障稳定的产品质量，每次模铸坯料两头的尾料应当切除干净，每次冶炼生产，每一步都应当取样化验分析材料质量和异常。
9.一种装置，其特征在于：所述装置为干燥仓，应用于权利要求1中对烘烤好的冶炼原料进行分类收集，所述干燥仓包括仓体(1)，所述仓体(1)的内壁两侧交错固定有下料斜坡(2)，且下料斜坡(2)的下方设置有干燥组件(3)，所述干燥组件(3)包括主管体(301)、管道(302)、管头(303)、气孔(304)、弹簧(305)、管内杆(306)、气囊(307)和注气管(308)，所述主管体(301)的表面开设有管道(302)，且管道(302)的内部契合穿设有管头(303)，所述管头(303)的外侧面均匀开设有气孔(304)，且管头(303)的底部连通有管内杆(306)，所述管头(303)的外壁包裹有弹簧(305)，且弹簧(305)的两端分别与管内杆(306)表面、主管体(301)内壁相连接，所述管内杆(306)的侧面连通有气囊(307)，且气囊(307)的右侧连通有注气管(308)，所述仓体(1)的左侧底部开设有下料闸门(4)。
10.根据权利要求9所述的一种装置，其特征在于：所述仓体(1)的背面上部连接有遮盖组件(5)，所述遮盖组件(5)包括扭簧收卷轴(501)、遮盖布(502)、传输带(503)和输出电机(504)，所述扭簧收卷轴(501)的表明收卷有遮盖布(502)，所述仓体(1)两侧上部转动连接有传输带(503)，且传输带(503)的一侧连接有输出电机(504)。
...【技术特征摘要】
1.核电半导体用超级hn316la冶炼生产方法，其特征在于：所述超级hn316la冶炼生产方法包括下述操作步骤：
2.根据权利要求1所述的核电半导体用超级hn316la冶炼生产方法，其特征在于：所述步骤s1中，
3.根据权利要求1所述的核电半导体用超级hn316la冶炼生产方法，其特征在于：所述步骤一中，冶炼原料包括纯ni、纯cr、纯mo、纯fe，且金属元素杂质含量满足下述要求：
4.根据权利要求1所述的核电半导体用超级hn316la冶炼生产方法，其特征在于：所述步骤二中，二类小料和三类小料是分别依次加入搅拌均匀。
5.根据权利要求1所述的核电半导体用超级hn316la冶炼生产方法，其特征在于：所述步骤三中，同材质的起弧板要求干净，放在电渣炉、电极旁边，其作用是自耗电极起弧产生热量开始熔化，再就是控制电流稳定，调节好电流。
6.根据权利要求1所述的核电半导体用超级hn316la冶炼生产方法，其特征在于：所述步骤三中，预熔渣的渣料各组元纯度＞98.5％，不稳定氧化物杂质氧化锰、氧化亚铁、二氧化硅总含量小于0.5％，粒度小于50目。
7.根据权利要求1所述的核电半导体用超级hn316la冶炼生产方法，其特征在于：所述步骤四中，获得的成品电渣重熔钢锭中o≤6ppm、氮含量≤30ppm、氢含量≤1ppm，夹杂物要求：粗系：a、b、c、d、ds全部是0，细系：a+b+c+d+ds≤0.5。
8.根据权利要求1所述的核电半导体用超级hn316la冶炼生产方...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭改秀，
申请(专利权)人：宏甯上海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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