【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及涂覆制品、包括涂覆制品的系统以及生产涂覆制品的涂覆方法。更具体地，本专利技术涉及含有硅、碳和氢的涂层。
技术介绍
1、涂层通常易于受到苛性盐(例如氢氧化钠或氢氧化钾)的侵蚀。这种侵蚀使疏水性降低，导致溶解或物理降解或者其他缺点。涉及“半导体制造方法(semiconductorfabriction process)”的美国专利no.9,340,880中描述了一个示例，该美国专利的全部内容被通过参引结合到本文中。在该半导体制造方法的涂层中，该涂层的缺点是不耐受在进行超声搅拌的情况下在高温(79.44℃)下于5-10％的naoh水溶液(按重量/体积计)中进行的20分钟的清洗循环。
2、与现有技术相比，表现出一种或更多种改进的涂层将会是本领域所期许的。
技术实现思路
1、在一个实施例中，涂覆制品包括基材和基材上的涂层。该涂层包括硅、碳和氢。在暴露于使用苛性盐的水溶液进行的超声搅拌之后，涂层的暴露后水接触角保持高于80度、保持大于暴露前水接触角的60％或两者。
2、在另一实施例中，系统包括涂覆制品。该涂覆制品包括基材和基材上的涂层。该涂层包括硅、碳和氢。在暴露于使用苛性盐的水溶液进行的超声搅拌之后，涂层的暴露后水接触角保持高于80度、或保持大于暴露前水接触角的60％、或保持高于80度且保持大于暴露前水接触角的60％。
3、在另一实施例中，一种方法包括将涂层施加至该涂覆制品。该涂覆制品包括基材和基材上的涂层。该涂层包括硅、碳和氢。在暴露于使用苛
4、从下面结合附图进行的更位详细的描述，本专利技术的其他特征和优点将变得显而易见，这些附图通过示例的方式示出了本专利技术的原理。
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1.一种涂覆制品，包括：
2.如权利要求1所述的涂覆制品，其中，所述至少20分钟处于至少79℃的温度下。
3.如权利要求1所述的涂覆制品，其中，所述苛性盐是NaOH。
4.如权利要求1所述的涂覆制品，其中，所述苛性盐是KOH。
5.如权利要求1所述的涂覆制品，其中，所述苛性盐的单位体积重量介于5％与10％之间。
6.一种包括如权利要求1所述的涂覆制品的系统，其中，所述系统提供了对于选自由如下各项组成的组的操作的控制：工业方法、能源技术、信息技术、消费电子、医疗诊断、照明技术、运输技术、通信技术及其组合。
7.一种包括如权利要求1所述的涂覆制品的系统，其中，所述系统产生二端子器件、三端子器件、四端子器件或其组合。
8.一种包括如权利要求1所述的涂覆制品的系统，其中，所述系统产生二端子器件，所述二端子器件选自由如下各项组成的组：交流二极管(DIAC)、整流二极管、耿氏二极管、碰撞电离雪崩过渡二极管(IMPATT二极管)、激光二极管、发光二极管、光电池、PIN(P型、本征和N型材料)二极管、肖特基二极管
9.一种包括如权利要求1所述的涂覆制品的系统，其中，所述系统产生三端子器件，所述三端子器件选自由如下各项组成的组：双极晶体管、达林顿晶体管、场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、可控硅整流器、晶闸管、交流三极管(TRIAC)、单结晶体管及其组合。
10.一种包括如权利要求1所述的涂覆制品的系统，其中，所述系统产生多端子器件，所述多端子器件选自由如下各项组成的组：集成电路、电荷耦合器件、微处理器、随机存取器、只读存储器及其组合。
11.一种包括如权利要求1所述的涂覆制品的系统，其中，所述系统产生具有固体材料的产品，所述固体材料包括键合在一起的各个原子的规律的、周期性结构。
12.一种包括如权利要求1所述的涂覆制品的系统，其中，所述系统产生结晶固体材料。
13.一种包括如权利要求1所述的涂覆制品的系统，其中，所述系统产生多晶固体材料。
14.一种包括如权利要求1所述的涂覆制品的系统，其中，所述系统产生非晶材料。
15.一种包括如权利要求1所述的涂覆制品的系统，其中，所述系统产生本征半导体。
16.一种包括如权利要求1所述的涂覆制品的系统，其中，所述系统产生非本征半导体。
17.一种包括如权利要求1所述的涂覆制品的系统，其中，所述系统产生掺杂有负电荷导体、正电荷导体或两者的半导体。
18.一种包括如权利要求1所述的涂覆制品的系统，其中，所述系统产生选自由如下各项组成的组的半导体：硅、锗、碳、锑化铟、砷化铟、磷化铟、磷化镓、锑化镓、砷化镓、碳化硅、氮化镓、硅锗、硫化硒及其组合。
19.一种将涂层施加至如权利要求1所述的基材上的方法。
20.一种涂覆制品，包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种涂覆制品，包括：
2.如权利要求1所述的涂覆制品，其中，所述至少20分钟处于至少79℃的温度下。
3.如权利要求1所述的涂覆制品，其中，所述苛性盐是naoh。
4.如权利要求1所述的涂覆制品，其中，所述苛性盐是koh。
5.如权利要求1所述的涂覆制品，其中，所述苛性盐的单位体积重量介于5％与10％之间。
6.一种包括如权利要求1所述的涂覆制品的系统，其中，所述系统提供了对于选自由如下各项组成的组的操作的控制：工业方法、能源技术、信息技术、消费电子、医疗诊断、照明技术、运输技术、通信技术及其组合。
7.一种包括如权利要求1所述的涂覆制品的系统，其中，所述系统产生二端子器件、三端子器件、四端子器件或其组合。
8.一种包括如权利要求1所述的涂覆制品的系统，其中，所述系统产生二端子器件，所述二端子器件选自由如下各项组成的组：交流二极管(diac)、整流二极管、耿氏二极管、碰撞电离雪崩过渡二极管(impatt二极管)、激光二极管、发光二极管、光电池、pin(p型、本征和n型材料)二极管、肖特基二极管、太阳能电池、隧道二极管、齐纳二极管及其组合。
9.一种包括如权利要求1所述的涂覆制品的系统，其中，所述系统产生三端子器件，所述三端子器件选自由如下各项组成的组：双极晶体管、达林顿晶体管、场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、可控硅整流器、晶闸管、交流三极管(triac)、单结...
【专利技术属性】
技术研发人员：N·A·斯奈德，D·A·史密斯，L·D·帕特森，J·B·马特泽拉，
申请(专利权)人：西尔科特克公司，
类型：发明
国别省市：
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