绝缘栅双极型晶体管的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种绝缘栅双极型晶体管的形成方法，包括：在衬底内形成沟槽；在衬底的表面和沟槽的内壁上形成氧化层，氧化层封闭沟槽的开口；在氧化层上形成光刻胶层；依次去除部分光刻胶层和部分氧化层，以露出沟槽的开口，并且在沟槽的两侧的衬底的表面留有一定厚度的氧化层；通过沟槽的开口向沟槽底部的衬底内注入离子，以形成离子区；以及去除剩余的光刻胶层和剩余的氧化层。本发明专利技术形成了足够厚的氧化层封闭了沟槽的开口，在去除部分光刻胶层露出沟槽的开口时，仍然会有部分厚的厚度遮住衬底。因此，本发明专利技术只在沟槽底部的衬底内形成了离子区，不会造成绝缘栅双极型晶体管其他部位被离子污染，提高了绝缘栅双极型晶体管的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种绝缘栅双极型晶体管的形成方法。

技术介绍

1、绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)是由双极型三极管(bipolar junction transistor，bjt)和绝缘栅型场效应管(metaloxidesemiconductor，mos)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有金属氧化物半导体场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor，mosfet)的高输入阻抗和电力晶体管(giant transistor，gtr)的低导通压降两方面的优点。igbt器件的背面工艺经历了从非穿通型(non-punch through，npt)到穿通型(punch through，pt)，再到场截止型(field stop，fs或spt)的发展历程；igbt器件的正面工艺从平面型(planar)到沟槽栅型(trench gate)的发展历程。

2、某些igbt产品需要在特定的沟槽底部进行离子注入本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种绝缘栅双极型晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述衬底包括晶圆。

3.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述氧化层包括二氧化硅。

4.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的形成方法，其特征在于，采用PECVD的方法在所述衬底的表面和沟槽的内壁上形成氧化层，所述氧化层封闭所述沟槽的开口。

5.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的形成方法，其特征在于，依次去除部分所述光刻胶层和部分所述氧化层的方法包括：

6.如权利要求5所述的绝缘...

【技术特征摘要】

1.一种绝缘栅双极型晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述衬底包括晶圆。

3.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述氧化层包括二氧化硅。

4.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的形成方法，其特征在于，采用pecvd的方法在所述衬底的表面和沟槽的内壁上形成氧化层，所述氧化层封闭所述沟槽的开口。

5.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的形成方法，其特征在于，依次去除部分所述光刻胶层和部分所述氧化层的方法包括：

6...

【专利技术属性】
技术研发人员：王健鹏，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：