本发明专利技术提供一种半导体器件及其形成方法，衬底上形成有互连层以及位于互连层上的抗反射层，第一介质层填充互连层并覆盖抗反射层，在抗反射层上形成凸起，相邻凸起之间的第一介质层构成凹陷处，在刻蚀抗反射层顶部的凸起的尖端之前，先形成保护层，保护层覆盖第一介质层的凹陷处和凸起的底部并暴露出尖端部分，然后，在刻蚀凸起的尖端时，保护层保护第一介质层的凹陷处不被刻蚀，由于第一介质层的凹陷处的保护层高于抗反射层，因此，即使抗反射层被轰击，也不会溅射到凹陷处形成短路；避免了出现TiN桥导致互连层短接进而使半导体器件失效的问题。以及去除凸起的尖端，解决了后续介质层中出现空隙的问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
1、在半导体集成电路制造过程中，通过后段工艺(back end of line，beol)制作金属互连结构，以对半导体器件进行布线形成半导体器件所需电路。
2、通常，金属互连结构包括若干金属互连层，各个金属互连层中形成有金属互连线或金属接触孔，相邻两层的金属互连层通过金属互连线或金属接触孔之间的接触形成电通路。
3、在形成填充金属互连层的介质层时，位于互连层上的介质层会形成具有尖角的凸起，在后续等离子体加强型工艺形成含氟硅酸盐玻璃层(pe-fsg层)中，沉积的介质层中会出现空隙或者孔洞。而为了避免介质层中出现空隙或孔洞，通常采用刻蚀的方式去除凸起的尖端，但又出现互连层短路进而导致器件失效的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其形成方法，以解决互连层短路而导致器件失效的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括：
>3、提供一衬底，所本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层具有可流动性。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用旋涂工艺将所述保护层填充于相邻的所述凸起之间。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为所述凸起的初始高度的三分之一至二分之一。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一介质层为氧化层，采用高密度等离子体化学气相淀积工艺形成。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层具有可流动性。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用旋涂工艺将所述保护层填充于相邻的所述凸起之间。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为所述凸起的初始高度的三分之一至二分之一。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一介质层为氧化层，采用高密度等离子体化学气相淀积工艺形成。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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