【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及存储器器件，并且更具体地涉及包括裸芯上终止(on-die-termination，odt)电路的存储器器件、包括该存储器器件的存储设备以及该存储设备的操作方法。
技术介绍
1、存储设备可以包括非易失性存储器和被配置为控制非易失性存储器的控制器。在与包括高速存储器(诸如动态随机存取存储器(dynamic random-access memory，dram)或静态随机存取存储器(static random-access memory，sram))的存储器系统中的信号通信相比时，在常规存储器系统中，非易失性存储器和控制器之间的信号通信经常以相对低的操作频率执行。并且在历史上，在非易失性存储器和控制器之间通信的信号的完整性(或鲁棒性)在合并这样的存储器系统的存储设备的整体性能中已经不是关键因素。然而，最近，对高速存储设备的需求正在上升，并且信号完整性已经成为计算系统和/或移动通信系统中的(多个)存储设备的设计和操作中的非常重要的因素。
技术实现思路
1、根据本专利技术构思的一方面...
【技术保护点】
1.一种存储设备的操作方法，所述存储设备包括NAND快闪存储器器件和被配置为控制所述NAND快闪存储器器件的控制器，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的操作方法，其中，提供所述第一ODT电阻器或所述第二ODT电阻器包括：
3.根据权利要求1所述的操作方法，其中，提供所述第一ODT电阻器或所述第二ODT电阻器包括：
4.根据权利要求3所述的操作方法，还包括：
5.根据权利要求1所述的操作方法，还包括：
6.根据权利要求5所述的操作方法，其中所述信号是数据信号、数据选通信号和读取使能信号中的至少一个。
...【技术特征摘要】
1.一种存储设备的操作方法，所述存储设备包括nand快闪存储器器件和被配置为控制所述nand快闪存储器器件的控制器，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的操作方法，其中，提供所述第一odt电阻器或所述第二odt电阻器包括：
3.根据权利要求1所述的操作方法，其中，提供所述第一odt电阻器或所述第二odt电阻器包括：
4.根据权利要求3所述的操作方法，还包括：
5.根据权利要求1所述的操作方法，还包括：
6.根据权利要求5所述的操作方法，其中所述信号是数据信号、数据选通信号和读取使能信号中的至少一个。
7.根据权利要求5所...
【专利技术属性】
技术研发人员：金恩智，朴廷埈，任政燉，郑秉勋，崔荣暾，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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