【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文描述了用于制造电子器件的组合物和方法。更具体地，本文描述了用于通过原子层沉积来沉积低介电常数(<6.0)和高氧灰化(oxygen ash)抗性的包含硅和硼的膜(例如但不限于硼碳氧化硅、硼碳氮化硅、硼氧化硅和硼碳氧氮化硅)的化合物及包含该化合物的组合物和方法。
技术介绍
1、本领域需要提供一种组合物和使用该组合物沉积用于电子工业中的某些应用的包含硅和硼的膜的方法，该膜具有高硼含量(例如，通过x射线光电子能谱(xps)测量的约10原子％或更高的硼含量)。
2、us6093840公开了具有通式i：r1r2r3sic(r4)c(r5r6h)br7r8的甲硅烷基烷基硼烷，其中r1-3＝c1-6-烷基、乙烯基、ph、h或卤素；r4-6＝c1-6-烷基、乙烯基、ph和/或h；r7、r8＝氯和/或溴，每个硅原子和每个b原子分别与3个和2个r部分配位，并且si和b经由c(cr5r6h)(r4)桥连接。硅硼碳氮化物陶瓷是通过在nh3或惰性气体气氛中在-200℃至2000℃下热解≥1低聚和多聚硼碳硅氮烷，并在800℃至2000℃下煅烧该
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于含硅和硼的膜的ALD沉积的组合物，其包含：
2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述溶剂包括至少一个选自醚、叔胺、硅氧烷、烷基烃、芳族烃和叔胺醚的成员。
3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述至少一种前体的沸点和所述至少一种溶剂的沸点之间的差异为约40℃或更低。
4.根据权利要求1所述的组合物，其进一步包含通过ICP-MS测量的少于5ppm的至少一种选自Al、Li、Ca、Fe、Ni和Cr离子的金属离子。
5.根据权利要求1所述的组合物，其中所述至少一种溶剂包括至少一个选自庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十二烷、环辛...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于含硅和硼的膜的ald沉积的组合物，其包含：
2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述溶剂包括至少一个选自醚、叔胺、硅氧烷、烷基烃、芳族烃和叔胺醚的成员。
3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述至少一种前体的沸点和所述至少一种溶剂的沸点之间的差异为约40℃或更低。
4.根据权利要求1所述的组合物，其进一步包含通过icp-ms测量的少于5ppm的至少一种选自al、li、ca、fe、ni和cr离子的金属离子。
5.根据权利要求1所述的组合物，其中所述至少一种溶剂包括至少一个选自庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十二烷、环辛烷、环壬烷、环癸烷、甲苯和均三甲苯的成员。
6.一种用于通过ald工艺形成包含硅和硼的膜的方法，其中通过xps测量的硼含量范围为10at.％至40at.％，该方法包括：
7.根据权利要求6所述的方法形...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·钱德拉，李明，萧满超，雷新建，H·金，黄秉槿，黄宣惠，曹仑廷，
申请(专利权)人：弗萨姆材料美国有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。