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一种制造电子器件，特别是用于沉积包含硅和硼的膜的组合物以及使用该组合物的方法，该膜具有低介电常数(<6.0)和高的氧灰化抗性。该膜包含硅和硼，并且可以是但不限于硼碳氧化硅、硼碳氮化硅、硼氧化硅或硼碳氧氮化硅。...
该专利属于弗萨姆材料美国有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过弗萨姆材料美国有限责任公司授权不得商用。

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