【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及掩膜版，具体涉及一种掩膜版局部图形位置偏差补偿方法。
技术介绍
1、光刻是掩膜版制造过程中最重要的一个工序，通常利用激光直写激光器将客户所需的图形写在石英玻璃掩膜版上。图形位置偏差是指实际光刻出来的图形位置坐标与设计位置坐标之间的偏差，鉴于光刻设备的个体特异性，可能会出现掩膜版局部图形存在图形位置偏差超标的情况，这种情况在一定程度上会影响产品之间的套合精度，甚至导致产品出现漏光、条纹等质量问题。
2、现有减小掩膜版局部图形的图形位置偏差的方法主要是通过测量金版来矫正光刻机机台，形成更新后的机台map。上述方法对于金版的依赖性非常高，若金版质量不佳，则很难减小这种局部图形的图形位置偏差，并且上述方法还存在操作复杂、时间成本较高的问题。
技术实现思路
1、(一)解决的技术问题
2、针对现有技术所存在的上述缺点，本专利技术提供了一种掩膜版局部图形位置偏差补偿方法，能够有效克服现有技术所存在的过于依赖金版，以及对于掩膜版局部图形的图形位置偏差补偿效果不佳的缺陷。
3、(二)技术方案
4、为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：
5、一种掩膜版局部图形位置偏差补偿方法，包括以下步骤：
6、s1、设计测试图形，并对测试图形进行曝光，收集图形位置偏差数据；
7、s2、基于图形位置偏差数据得到反向补偿数据；
8、s3、对反向补偿数据进行处理，形成补偿map；
9、s
10、s5、按照曝光map进行曝光，光刻机在曝光时基于曝光map对图形位置偏差进行补偿，使得曝光后的图形位置满足位置精度要求。
11、优选地，s1中设计测试图形，并对测试图形进行曝光，收集图形位置偏差数据，包括：
12、设计测试图形，并对测试图形进行曝光，采用湿法制程形成图形；
13、测量各图形的位置得到对应的测量位置坐标，并计算各图形的测量位置坐标与设计位置坐标之间的偏差，得到图形位置偏差数据。
14、优选地，所述设计测试图形，包括：
15、选用能够覆盖机台尺寸的版材，按照等间距在版材上设计m*n个十字图形。
16、优选地，所述测量各图形的位置得到对应的测量位置坐标，并计算各图形的测量位置坐标与设计位置坐标之间的偏差，得到图形位置偏差数据，包括：
17、采用专用的位置精度测量设备totalpitch测量各图形的位置，得到对应的测量位置坐标；
18、将各图形的测量位置坐标减去对应的设计位置坐标，得到图形位置偏差数据(δx1,δy1)、(δx2,δy2)、……、(δxa,δya)；
19、其中，δxb为第b个图形在x方向上的图形位置偏差数据，δyb为第b个图形在y方向上的图形位置偏差数据，b∈[1,2,...,a]，a＝m*n。
20、优选地，s2中基于图形位置偏差数据得到反向补偿数据，包括：
21、将图形位置偏差数据中的各项数据乘以-1，得到反向补偿数据(-δx1,-δy1)、(-δx2,-δy2)、……、(-δxa,-δya)。
22、优选地，s3中对反向补偿数据进行处理，形成补偿map，包括：
23、输入图形的设计位置坐标(x,y)，输出对应的反向补偿数据(-δx,-δy)，即-δx＝f1(x,y)、-δy＝f2(x,y)；
24、对于-δx＝f1(x,y)，将x、y、-δx看作一个三维曲面，x、y为自变量，-δx为因变量，采用多项式曲面拟合的方法，以最小二乘法作为拟合策略，形成二元多项式函数，即p1＝f1(x,y,-δx)＝0；
25、对于-δy＝f2(x,y)，将x、y、-δy看作一个三维曲面，x、y为自变量，-δy为因变量，采用多项式曲面拟合的方法，以最小二乘法作为拟合策略，形成二元多项式函数，即p2＝f2(x,y,-δy)＝0；
26、计算版材左下角的版材边缘点与机台最近坐标点之间的距离(xoffset,yoffset)，将(xoffset,yoffset)加入至版材左下角坐标内，代入p1＝f1(x,y,-δx)＝0和p2＝f2(x,y,-δy)＝0中，作为补偿map的第一个点，并以与机台相同的间距计算版材尺寸下对应的补偿值，形成补偿map；
27、其中，xoffset为版材左下角的版材边缘点与机台最近坐标点之间在x方向上的距离，yoffset为版材左下角的版材边缘点与机台最近坐标点之间在y方向上的距离。
28、优选地，s4中将补偿map合并至光刻机的机台map中，形成曝光map，包括：
29、将补偿map与机台map直接相加，形成曝光map；
30、其中，由于补偿map的覆盖区域必定小于机台map的覆盖区域，因此对于补偿map未能覆盖机台map的区域，按照0与机台map相加。
31、优选地，所述机台map为曝光机在曝光时为了保证图形位置精度所覆盖整个机台的map，光刻机按照机台map确定图形位置，以满足曝光要求；
32、所述机台map在整个机台上等间距排布，在机台台面的x方向上设有j个位置、y方向上设有k个位置，通过光刻机特定算法计算j*k个离散点的位置来获得整版的机台map。
33、优选地，s5中按照曝光map进行曝光，光刻机在曝光时基于曝光map对图形位置偏差进行补偿，使得曝光后的图形位置满足位置精度要求，包括：
34、按照曝光map进行曝光，基于曝光map的位置要求，采用光刻机自身算法对曝光图形的位置进行微调修订，使得曝光后的图形位置满足位置精度要求。
35、(三)有益效果
36、与现有技术相比，本专利技术所提供的一种掩膜版局部图形位置偏差补偿方法，具有以下有益效果：
37、1)采用基于最小二乘法拟合策略的多项式曲面拟合的方法对反向补偿数据进行处理，能够科学地预测拟合各图形的图形位置偏差，能够合理地还原图形位置精度变化趋势，从而能够有效提高对于掩膜版局部图形的图形位置偏差的补偿效果；
38、2)相较于传统的通过测量金版更新机台map来减小掩膜版局部图形的图形位置偏差，本专利技术采用整体补偿方案能够全方位改善掩膜版局部图形的图形位置偏差，具有不依赖金版、操作简单、时间成本较低的优点。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种掩膜版局部图形位置偏差补偿方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的掩膜版局部图形位置偏差补偿方法，其特征在于：S1中设计测试图形，并对测试图形进行曝光，收集图形位置偏差数据，包括：
3.根据权利要求2所述的掩膜版局部图形位置偏差补偿方法，其特征在于：所述设计测试图形，包括：
4.根据权利要求2所述的掩膜版局部图形位置偏差补偿方法，其特征在于：所述测量各图形的位置得到对应的测量位置坐标，并计算各图形的测量位置坐标与设计位置坐标之间的偏差，得到图形位置偏差数据，包括：
5.根据权利要求4所述的掩膜版局部图形位置偏差补偿方法，其特征在于：S2中基于图形位置偏差数据得到反向补偿数据，包括：
6.根据权利要求5所述的掩膜版局部图形位置偏差补偿方法，其特征在于：S3中对反向补偿数据进行处理，形成补偿Map，包括：
7.根据权利要求6所述的掩膜版局部图形位置偏差补偿方法，其特征在于：S4中将补偿Map合并至光刻机的机台Map中，形成曝光Map，包括：
8.根据权利要求7所述的掩膜版局部
9.根据权利要求7所述的掩膜版局部图形位置偏差补偿方法，其特征在于：S5中按照曝光Map进行曝光，光刻机在曝光时基于曝光Map对图形位置偏差进行补偿，使得曝光后的图形位置满足位置精度要求，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种掩膜版局部图形位置偏差补偿方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的掩膜版局部图形位置偏差补偿方法，其特征在于：s1中设计测试图形，并对测试图形进行曝光，收集图形位置偏差数据，包括：
3.根据权利要求2所述的掩膜版局部图形位置偏差补偿方法，其特征在于：所述设计测试图形，包括：
4.根据权利要求2所述的掩膜版局部图形位置偏差补偿方法，其特征在于：所述测量各图形的位置得到对应的测量位置坐标，并计算各图形的测量位置坐标与设计位置坐标之间的偏差，得到图形位置偏差数据，包括：
5.根据权利要求4所述的掩膜版局部图形位置偏差补偿方法，其特征在于：s2中基于图形位置偏差数据得到反向补偿数据，包括：
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：徐智俊，熊启龙，
申请(专利权)人：合肥清溢光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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