【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于材料化学,尤其涉及一种pbs量子点薄膜及其制备方法。
技术介绍
1、短波红外探测技术在军事、工业和医疗等领域有着广泛的应用,例如夜视成像、机械视觉和癌症检测等方面。目前市场主流使用铟镓砷(ingaas)和锗(ge)半导体作为短波红外探测材料,这类材料的生长需要高质量的单晶衬底和高温真空的工艺条件,昂贵的生产成本限制了其在短波红外领域的进一步应用和扩大生产。该类材料不能在si上生长,只能生长在如磷化铟之类的有限衬底上,故无法与互补金属氧化物半导体(complementarymetal oxide semiconductor,cmos)工艺中的硅读出电路直接相连,需要额外的引线键合和对准过程,这限制了该类半导体材料短波红外成像芯片的小像素集成的发展。pbs量子点是一种可溶液法加工合成的纳米材料,因为量子限域效应的存在,具有可调的和尺寸依赖的带隙特性,其光吸收范围可实现从可见光到短波红外领域的覆盖。pbs量子点有多种成膜方式,可以通过旋涂、刮涂、喷墨打印等多种方法直接和si基cmos的读出电路相连,是最有希望的新一代短波红外探测
...【技术保护点】
1.一种PbS量子点薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的PbS量子点薄膜的制备方法,其特征在于,步骤a)中,所述PbS量子点溶液的浓度为20~80 mg/mL。
3.根据权利要求1所述的PbS量子点薄膜的制备方法,其特征在于,步骤a)中,所述涂布的方式为旋涂;所述旋涂的转速为1000~5000 rpm;所述旋涂的时间为30~60 s。
4.根据权利要求1所述的PbS量子点薄膜的制备方法,其特征在于,步骤b)中,所述四丁基碘化铵在所述配体溶液中的含量为5~20 mg/mL。
5.根据权利要求
...【技术特征摘要】
1.一种pbs量子点薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的pbs量子点薄膜的制备方法,其特征在于,步骤a)中,所述pbs量子点溶液的浓度为20~80 mg/ml。
3.根据权利要求1所述的pbs量子点薄膜的制备方法,其特征在于,步骤a)中,所述涂布的方式为旋涂;所述旋涂的转速为1000~5000 rpm;所述旋涂的时间为30~60 s。
4.根据权利要求1所述的pbs量子点薄膜的制备方法,其特征在于,步骤b)中,所述四丁基碘化铵在所述配体溶液中的含量为5~20 mg/ml。
5.根据权利要求1所述的pbs量子点薄膜的制备方法,其特征在于,步骤b)中,所述碱金属盐为锂盐、钠盐和钾盐中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的pbs量子点薄膜的制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈威,王晓,宋逐鹿,吴久凤,张文杰,丛璟,
申请(专利权)人:觉芯电子无锡有限公司,
类型:发明
国别省市:
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