一种PbS量子点薄膜及其制备方法技术

技术编号:41210104 阅读:33 留言:0更新日期:2024-05-09 23:32
本申请提供一种PbS量子点薄膜及其制备方法,该PbS量子点薄膜的制备方法包括以下步骤:a)涂布PbS量子点溶液形成涂液层;b)在所述涂液层表面滴加配体溶液进行配体置换;所述配体溶液的成分包括四丁基碘化铵、碱金属盐和溶剂;c)滴加洗剂进行清洗;d)重复步骤a)‑c)若干次,得到PbS量子点薄膜。本申请提供PbS量子点薄膜的制备方法利用碱金属掺杂优化固态配体置换的活性层成膜,获得的PbS量子点薄膜具有较高的稳定性和耦合强度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料化学,尤其涉及一种pbs量子点薄膜及其制备方法。


技术介绍

1、短波红外探测技术在军事、工业和医疗等领域有着广泛的应用,例如夜视成像、机械视觉和癌症检测等方面。目前市场主流使用铟镓砷(ingaas)和锗(ge)半导体作为短波红外探测材料,这类材料的生长需要高质量的单晶衬底和高温真空的工艺条件,昂贵的生产成本限制了其在短波红外领域的进一步应用和扩大生产。该类材料不能在si上生长,只能生长在如磷化铟之类的有限衬底上,故无法与互补金属氧化物半导体(complementarymetal oxide semiconductor,cmos)工艺中的硅读出电路直接相连,需要额外的引线键合和对准过程,这限制了该类半导体材料短波红外成像芯片的小像素集成的发展。pbs量子点是一种可溶液法加工合成的纳米材料,因为量子限域效应的存在,具有可调的和尺寸依赖的带隙特性,其光吸收范围可实现从可见光到短波红外领域的覆盖。pbs量子点有多种成膜方式,可以通过旋涂、刮涂、喷墨打印等多种方法直接和si基cmos的读出电路相连,是最有希望的新一代短波红外探测器的材料,实现大面积本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种PbS量子点薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的PbS量子点薄膜的制备方法,其特征在于,步骤a)中,所述PbS量子点溶液的浓度为20~80 mg/mL。

3.根据权利要求1所述的PbS量子点薄膜的制备方法,其特征在于,步骤a)中,所述涂布的方式为旋涂;所述旋涂的转速为1000~5000 rpm;所述旋涂的时间为30~60 s。

4.根据权利要求1所述的PbS量子点薄膜的制备方法,其特征在于,步骤b)中,所述四丁基碘化铵在所述配体溶液中的含量为5~20 mg/mL。

5.根据权利要求1所述的PbS量子点...

【技术特征摘要】

1.一种pbs量子点薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的pbs量子点薄膜的制备方法,其特征在于,步骤a)中,所述pbs量子点溶液的浓度为20~80 mg/ml。

3.根据权利要求1所述的pbs量子点薄膜的制备方法,其特征在于,步骤a)中,所述涂布的方式为旋涂;所述旋涂的转速为1000~5000 rpm;所述旋涂的时间为30~60 s。

4.根据权利要求1所述的pbs量子点薄膜的制备方法,其特征在于,步骤b)中,所述四丁基碘化铵在所述配体溶液中的含量为5~20 mg/ml。

5.根据权利要求1所述的pbs量子点薄膜的制备方法,其特征在于,步骤b)中,所述碱金属盐为锂盐、钠盐和钾盐中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的pbs量子点薄膜的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈威王晓宋逐鹿吴久凤张文杰丛璟
申请(专利权)人:觉芯电子无锡有限公司
类型:发明
国别省市:

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