【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及非线性光学晶体器件，更具体的说是涉及ktp晶体的并联点触式周期电极图案、周期极化装置及方法。
技术介绍
1、周期极化晶体是指通过人为地对铁电晶体内部的电畴进行周期性反转，形成具有交替方向且均匀间隔的铁电畴结构，从而实现对其非线性系数的周期调制，达到补偿由于折射率色散产生的相位失配的目的，使其最大非线性光学系数利用率最大化，最终获得接近完全相位匹配的频率转换效率。周期极化晶体可以基于准相位匹配技术通过倍频、和频、差频、参量转换及参量振荡等过程实现晶体透光范围的高效波长转换，因此可被广泛应用于激光和量子信息技术等领域。
2、基于光刻的周期性电极图案，通过给ktp晶体自发极化方向施加超过晶体矫顽场的高压脉冲进行其内部铁电畴的周期性反转，是目前常用的制备ppktp晶体的方法。
3、一般畴反转过程主要分为五个阶段，分别为反转畴形核、纵向生长、相邻畴合并、横向扩展、形成稳定的电畴结构，在周期极化过程中横向扩展阶段往往决定周期畴结构的质量，而影响横向扩展阶段的主要因素就是电场的大小选择与分布均匀性。
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【技术保护点】
1.KTP晶体的并联点触式周期电极图案，其特征在于，包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极分别设于KTP晶体基片的-Z面和+Z面上；
2.根据权利要求1所述的KTP晶体的并联点触式周期电极图案，其特征在于，并排设置的相邻框型电极的间隔与相邻条状电极间的等宽空隙相等。
3.根据权利要求1所述的KTP晶体的并联点触式周期电极图案，其特征在于，第一电极的各个框型电极的边缘与KTP晶体的边缘为等宽均匀空隙。
4.根据权利要求1所述的KTP晶体的并联点触式周期电极图案，其特征在于，第一电极的空隙部分均填充光刻胶。
5.根据权利...
【技术特征摘要】
1.ktp晶体的并联点触式周期电极图案，其特征在于，包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极分别设于ktp晶体基片的-z面和+z面上；
2.根据权利要求1所述的ktp晶体的并联点触式周期电极图案，其特征在于，并排设置的相邻框型电极的间隔与相邻条状电极间的等宽空隙相等。
3.根据权利要求1所述的ktp晶体的并联点触式周期电极图案，其特征在于，第一电极的各个框型电极的边缘与ktp晶体的边缘为等宽均匀空隙。
4.根据权利要求1所述的ktp晶体的并联点触式周期电极图案，其特征在于，第一电极的空隙部分均填充光刻胶。
5.根据权利要求1所述的ktp晶体的并联点触式周期电极图案，其特征在于，条状电极部的各条状电极均与ktp晶体的y向平行。
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋旭东，何小玲，赵炜迪，张昌龙，宋红岩，吴文渊，王金亮，周海涛，左艳彬，安雪碧，
申请(专利权)人：桂林百锐光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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