【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于mems器件封装，具体涉及一种用于mems器件的快速封焊装置。
技术介绍
1、mems器件是以微电子和微机械工艺为基础制造的器件或仪表，突出优点是成本低、体积重量功耗小、集成性高及抗恶劣环境等，是推动新一代武器装备发展和现役武器升级的核心器件。
2、目前mems器件的封装技术一直是困扰mems器件开发和实用化的关键技术之一，常用的mems器件封装技术主要有高真空(小于10-2pa)环境下的阳极键合、薄膜密封工艺和共晶键合等。阳极键合一般只限于硅-玻璃键合，键合温度为300～400℃，偏压为500～1000v，键合过程中的高温、高电压使其受到极大限制，特别是很难应用于非硅基材料结构上；薄膜密封技术利用牺牲层方法刻蚀出空腔结构，通过空腔上的小孔和沉积薄膜时的真空环境，使空腔具有一定真空度，薄膜有选择地沉积在小孔密封处，完成真空封装，但空腔的真空度受薄膜沉积工艺限制，沉积时的高温环境和后续封孔薄膜刻蚀工艺也会影响该方法在器件中的应用；共晶键合是利用某些共晶合金熔融温度较低的特点，将他们作为中间介质层，在温度和压力的共同作用下，通过加热熔融实现共晶键合。共晶键合的限制因素较少，可选择的材料和工艺参数范围较大，不仅可以实现芯片级封装，也可实现管壳级封装，为mems器件提供一个稳定可靠的工作环境。
3、为实现mems器件高可靠性、低漏率封装，对共晶键合过程中温度和压力的控制有较高的要求，目前实现mems器件封装的装置如图1所示，由温控模块、石墨工装、mems器件、配重柱和配重柱支撑板组成。其中，配重柱和
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
2、为此，本专利技术提供了一种用于mems器件的快速封焊装置。
3、本专利技术的技术解决方案如下：提供一种用于mems器件的快速封焊装置，该装置包括：
4、温控模块，用于为mems器件封装提供温度控制；
5、石墨工装，石墨工装设置在所述温控模块上，所述石墨工装上具有多个mems器件的定位槽，待封装的多个mems器件一一对应设置在所述定位槽内；
6、压力控制系统，包括配重支撑板，与多个定位槽一一对应设置的多个配重柱，与多个配重柱一一对应设置的多个弹性件和弧形阵列盖板组件，多个配重柱均穿设在所述配重支撑板上，多个配重柱与多个mems器件一一对应设置，任意所述配重柱上开设有空腔，所述弹性件放置在对应空腔内，所述弧形阵列盖板组件由弧形阵列盖板和多个施力柱组成，所述弧形阵列盖板凸起的一面朝向所述配重柱设置，多个施力柱设置在所述弧形阵列盖板凸起的一面上，且由中心向外围，所述施力柱的长度呈增大趋势；多个施力柱与多个配重柱一一对应设置，所述施力柱置于对应配重柱空腔内，以对弹性件施加压力。
7、进一步地，所述弹性件为弹簧。
8、进一步地，所述压力控制系统还包括上盖，所述上盖设置在弧形阵列盖板上，为弧形阵列盖板提供一个整体的压力。
9、进一步地，所述上盖为一平直型盖板。
10、进一步地，所述定位槽为49个，由7x7整列构成。
11、进一步地，所述定位槽为64个，由8x8阵列构成。
12、进一步地，所述定位槽为81个，由9x9阵列构成。
13、上述技术方案的封焊装置创新性地提出一种压力控制系统，通过在压力控制配重柱上设计空腔，空腔内放置弹性件，并设计弧形的具有多个施力柱的盖板与配重柱配合，由此提升了mems器件的封装效率，实现了封装过程中压力可调控制，满足多种mems器件的封装需求。
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1.一种用于MEMS器件的快速封焊装置，其特征在于，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的一种用于MEMS器件的快速封焊装置，其特征在于，所述弹性件为弹簧。
3.根据权利要求1-2所述的一种用于MEMS器件的快速封焊装置，其特征在于，所述压力控制系统还包括上盖，所述上盖设置在弧形阵列盖板上，为弧形阵列盖板提供一个整体的压力。
4.根据权利要求3所述的一种用于MEMS器件的快速封焊装置，其特征在于，所述上盖为一平直型盖板。
5.根据权利要求1所述的一种用于MEMS器件的快速封焊装置，其特征在于，所述定位槽为49个，由7X7整列构成。
6.根据权利要求1所述的一种用于MEMS器件的快速封焊装置，其特征在于，所述定位槽为64个，由8X8阵列构成。
7.根据权利要求1所述的一种用于MEMS器件的快速封焊装置，其特征在于，所述定位槽为81个，由9X9阵列构成。
【技术特征摘要】
1.一种用于mems器件的快速封焊装置，其特征在于，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的一种用于mems器件的快速封焊装置，其特征在于，所述弹性件为弹簧。
3.根据权利要求1-2所述的一种用于mems器件的快速封焊装置，其特征在于，所述压力控制系统还包括上盖，所述上盖设置在弧形阵列盖板上，为弧形阵列盖板提供一个整体的压力。
4.根据权利要求3所述的一种用于mems器件的快速封...
【专利技术属性】
技术研发人员：卜瑛，杨亚杰，王汝弢，张菁华，刘飞，王永胜，
申请(专利权)人：北京自动化控制设备研究所，
类型：发明
国别省市：
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