【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶硅，特别是涉及一种单晶炉引晶时机判断方法、装置及设备。
技术介绍
1、单晶硅材料的制备工艺以直拉法(czochralski process/cz)为主，利用直拉法将多晶硅原料提炼成单晶硅。采用直拉法制备单晶硅时，将单晶籽晶的下端浸入到熔融硅液面，单晶籽晶下端依次进行引晶、放肩、转肩、等径生长和收尾工艺，同时配合转动单晶籽晶，从而完成硅棒的制备。
2、直拉法制备单晶硅的过程中，调节单晶炉内温度直到引晶时机是至关重要的环节之一，直接影响后续的流程进行。
3、目前，调节单晶炉内温度为人工进行调温，直到人工判断可以进行引晶。此过程对操作工技能要求高，人工判断引晶时机不准可能会引起断线等异常工时的增加，且容易造成工时浪费，引晶成功率也有待提高。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种单晶炉引晶时机判断方法，解决或部分解决现有技术中引晶时机判断不准确的问题。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种单晶炉引晶时机判断方法，所述方法包括：在调温阶段，获...
【技术保护点】
1.一种单晶炉引晶时机判断方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测区域的一部分位于所述籽晶外周的内侧，所述检测区域的另一部分位于所述籽晶外周的外侧。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测区域与所述籽晶外周有两个交点，两个交点均位于过所述籽晶的中心点的水平线的同一侧。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述交点与所述籽晶的中心点的连线，和过所述籽晶的中心点的水平线之间的夹角大于15度，且两个所述交点与所述籽晶的中心点的连线之间的夹角大于90度。
5.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种单晶炉引晶时机判断方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测区域的一部分位于所述籽晶外周的内侧，所述检测区域的另一部分位于所述籽晶外周的外侧。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测区域与所述籽晶外周有两个交点，两个交点均位于过所述籽晶的中心点的水平线的同一侧。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述交点与所述籽晶的中心点的连线，和过所述籽晶的中心点的水平线之间的夹角大于15度，且两个所述交点与所述籽晶的中心点的连线之间的夹角大于90度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测区域为以所述籽晶的中心点为圆心的扇形区域。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述样本图像中光圈外廓左右最外侧点之间连线的中点为所述籽晶的中心点。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据连续多帧所述样本图像，确定所述检测区域内所述籽晶上的晶点生长状态的步骤，包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述检测区域内提取所述晶点轮廓的步骤，包括：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：郭力，张伟建，周宏坤，杨正华，王正远，李广砥，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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