【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏，特别是涉及一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。
技术介绍
1、太阳能电池，也称为光伏电池，是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且太阳能是可再生资源，因此，太阳能电池是一种有广阔发展前景的新型电池。
2、目前，主流太阳能电池有隧穿氧化层钝化接触电池（tunnel oxide passivatedcontact，简称topcon）、叉指背接触电池（interdigitated back contact，简称ibc）和异质结电池（heterojunction，简称hjt）等；topcon(tunnel oxide passivated contact)电池中由隧穿氧化层和掺杂多晶硅层的钝化接触结构，可有效降低硅片表面和金属接触复合速率，使得topcon电池成为高转换效率硅基太阳能电池的热点方向之一。
3、然而，掺杂多晶硅层存在严重的寄生吸收，尤其是对红外区光响应严重，导致topcon电池的光利用率降低，topcon电池的光生电流降低，限制了topcon电池的转换效率的提高。
技术实现思路
1、基于此，本申请提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统，以提高太阳能电池的转换效率。
2、本申请第一方面的实施例提供了一种太阳能电池，包括衬底、第一掺杂层、第一钝化层、第一掺杂半导体层和第一导电层；衬底包括相对的第一面和第二面；所述第二面包括交替设置的第一区和第二区，第一掺杂
3、在其中一个实施例中，所述第一导电层与所述第一掺杂半导体层相接。
4、在其中一个实施例中，还包括陷光结构，所述陷光结构设于所述第二面且位于所述第一区范围内；所述第一钝化层位于所述陷光结构背离所述衬底的一侧。
5、在其中一个实施例中，所述陷光结构包括阵列分布的柱状结构。
6、在其中一个实施例中，还包括第二导电层，所述第二导电层覆盖所述第一掺杂半导体层和第一导电层。
7、在其中一个实施例中，所述第二导电层的厚度为80nm～150nm。
8、在其中一个实施例中，所述第二导电层的材质包括氧化铟锡、掺铝氧化锌、掺氟氧化锡、掺锑氧化锡中的至少一种。
9、在其中一个实施例中，所述第一导电层的厚度为80nm～150nm。
10、在其中一个实施例中，所述第一导电层的材质包括氧化铟锡、掺铝氧化锌、掺氟氧化锡、掺锑氧化锡中的至少一种。
11、在其中一个实施例中，还包括第二钝化层，所述第二钝化层设于所述第一掺杂层背离所述衬底的一侧。
12、在其中一个实施例中，还包括第一电极和第二电极，所述第一电极设于所述第一掺杂层背离所述衬底的一侧；所述第二电极位于所述第一区范围内，且所述第二电极位于所述第一掺杂半导体层背离所述衬的一侧。
13、本申请第二方面的实施例提供了一种太阳能电池的制作方法，包括：
14、提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面；所述第二面包括交替设置的第一区和第二区；
15、在所述衬底的第一面形成第一掺杂层，所述第一掺杂层覆盖所述第一面；
16、在所述衬底的第二面形成第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述第二面；
17、在所述第一钝化层背离所述衬底的一侧形成第一掺杂半导体层，所述第一掺杂半导体层位于所述第一区范围内；
18、在所述第一钝化层背离所述衬底的一侧形成第一导电层，所述第一导电层位于所述第二区范围内。
19、在其中一个实施例中，所述在所述衬底的第二面形成第一钝化层的步骤之前，所述制作方法还包括：
20、在所述衬底的第二面形成陷光结构，所述陷光结构位于所述第一区范围内。
21、本申请第三方面的实施例提供了一种光伏组件，包括上述任一实施例中的太阳能电池。
22、本申请第四方面的实施例提供了一种光伏系统，包括根据上述任一实施例中的光伏组件。
23、上述太阳能电池，通过使第一掺杂半导体层设于所述第一钝化层背离衬底的一侧，第一掺杂半导体层位于第一区范围内；第一导电层设于所述第一钝化层背离所述衬底的一侧，第一导电层位于第二区范围内；由此，相当于减小第一掺杂半导体层的面积，同时用第一导电层替代减少的第一掺杂半导体层，这样，不仅可减小降低第一掺杂半导体层的寄生吸收，提高光利用率，提高光生电流，而且，可通过第一导电层对光生电流进行传输，保证太阳能电池的填充因子和串联电阻，从而可提高太阳能电池的转换效率。
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1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一导电层与所述第一掺杂半导体层相接。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括陷光结构，所述陷光结构设于所述第二面且位于所述第一区范围内；所述第一钝化层位于所述陷光结构背离所述衬底的一侧。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述陷光结构包括阵列分布的柱状结构。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括第二导电层，所述第二导电层覆盖所述第一掺杂半导体层和第一导电层。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二导电层的厚度为80nm～150nm。
7.根据权利要求5或6所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二导电层的材质包括氧化铟锡、掺铝氧化锌、掺氟氧化锡、掺锑氧化锡中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一导电层的厚度为80nm～150nm。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一导电层的材质包
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括第二钝化层，所述第二钝化层设于所述第一掺杂层背离所述衬底的一侧。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括第一电极和第二电极，所述第一电极设于所述第一掺杂层背离所述衬底的一侧；所述第二电极位于所述第一区范围内，且所述第二电极位于所述第一掺杂半导体层背离所述衬的一侧。
12.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
13.根据权利要求12所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底的第二面形成第一钝化层的步骤之前，所述制作方法还包括：
14.一种光伏组件，其特征在于，包括根据权利要求1至11任一项所述的太阳能电池。
15.一种光伏系统，其特征在于，包括根据权利要求14所述的光伏组件。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一导电层与所述第一掺杂半导体层相接。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括陷光结构，所述陷光结构设于所述第二面且位于所述第一区范围内；所述第一钝化层位于所述陷光结构背离所述衬底的一侧。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述陷光结构包括阵列分布的柱状结构。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括第二导电层，所述第二导电层覆盖所述第一掺杂半导体层和第一导电层。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二导电层的厚度为80nm～150nm。
7.根据权利要求5或6所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二导电层的材质包括氧化铟锡、掺铝氧化锌、掺氟氧化锡、掺锑氧化锡中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一导电层的厚度为80nm～15...
【专利技术属性】
技术研发人员：高纪凡，彭致远，陈红，刘成法，吴晓鹏，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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