【技术实现步骤摘要】
本技术涉及mpcvd金刚石生长,尤其涉及一种用于mpcvd金刚石生长的晶种摆放装置。
技术介绍
1、mpcvd装置,即微波等离子体化学气相沉积装置适合于金刚石生产,通过等离子化的反应气体在托盘的籽晶表面沉积以形成金刚石膜,为实现批量生产,托盘上会按照阵列放置籽晶,为了实现各个籽晶表面均匀沉积得到金刚石膜,要求整个生长过程中,各个籽晶的上表面温度尽量保持一致。
2、参考公开(公告)号:cn219195213u本申请公开了一种用于mpcvd金刚石生长的晶种摆放装置,属于mpcvd金刚石生长
,包括限位罐,所述限位罐的内壁开设有四个限位槽,每个限位槽的内壁均滑动连接有稳定块,四个稳定块的外表面共同固定连接有外托盘,每个外托盘的内壁均开设若干个相同的固定槽。该方案中的密封盖与限位罐质检借助螺栓组件进行连接,螺栓组件频繁拆卸过程中易发生滑丝现象,影响上述组件后续的拆装使用,为了改变现状需要对其进行改进,因此在此重新设计了一种用于mpcvd金刚石生长的晶种摆放装置。
技术实现思路
1、本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种用于mpcvd金刚石生长的晶种摆放装置。
2、为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:
3、一种用于mpcvd金刚石生长的晶种摆放装置,包括限位罐与密封盖,所述限位罐上安装有多个安装槽,多个所述安装槽内底壁均设有上顶槽,所述上顶槽内通过上顶机构设有上顶杆,所述上顶杆上末端固定设有上顶板,所述密封盖弧形外壁设有多块
4、优选地,所述上顶机构包括设置在上顶槽内的上顶弹簧,所述上顶弹簧两端分别与上顶杆外壁以及上顶槽内底壁弹性连接。
5、优选地,所述定位机构包括设置在安装板上的定位杆,所述限位罐上端面设有与定位杆对应的定位孔。
6、优选地,所述密封机构包括设置在环形板底壁上的密封圈,所述限位罐上端面设有与密封圈对应的密封槽。
7、优选地,所述安装槽竖剖截面图呈l形,所述环形板上端面设有把手。
8、优选地,多个所述安装槽相对于限位罐周向等间距分布,多个所述安装板相对于密封盖周向等间距分布。
9、本技术的有益效果:
10、1、通过设置安装槽、安装板、定位杆、定位孔与密封圈等组件,实现了限位罐相对于密封盖的便捷拆装,且二者之间无需借助螺栓组件,并不存在滑丝现象影响装置拆装使用。
11、2、通过设置上顶杆、上顶板与上顶弹簧,实现了定位杆处于定位孔内的稳定性。
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1.一种用于MPCVD金刚石生长的晶种摆放装置,包括限位罐(1)与密封盖(7),其特征在于,所述限位罐(1)上安装有多个安装槽(2),多个所述安装槽(2)内底壁均设有上顶槽,所述上顶槽内通过上顶机构设有上顶杆(5),所述上顶杆(5)上末端固定设有上顶板(4),所述密封盖(7)弧形外壁设有多块与安装槽(2)对应的安装板(11),所述安装板(11)通过定位机构与限位罐(1)连接,所述密封盖(7)上设有环形板(8),所述环形板(8)通过密封机构与限位罐(1)连接。
2.根据权利要求1所述的一种用于MPCVD金刚石生长的晶种摆放装置,其特征在于,所述上顶机构包括设置在上顶槽内的上顶弹簧(13),所述上顶弹簧(13)两端分别与上顶杆(5)外壁以及上顶槽内底壁弹性连接。
3.根据权利要求2所述的一种用于MPCVD金刚石生长的晶种摆放装置,其特征在于,所述定位机构包括设置在安装板(11)上的定位杆(12),所述限位罐(1)上端面设有与定位杆(12)对应的定位孔(3)。
4.根据权利要求3所述的一种用于MPCVD金刚石生长的晶种摆放装置,其特征在于,所述密封机
5.根据权利要求4所述的一种用于MPCVD金刚石生长的晶种摆放装置,其特征在于,所述安装槽(2)竖剖截面图呈L形,所述环形板(8)上端面设有把手(10)。
6.根据权利要求5所述的一种用于MPCVD金刚石生长的晶种摆放装置,其特征在于,多个所述安装槽(2)相对于限位罐(1)周向等间距分布,多个所述安装板(11)相对于密封盖(7)周向等间距分布。
...【技术特征摘要】
1.一种用于mpcvd金刚石生长的晶种摆放装置,包括限位罐(1)与密封盖(7),其特征在于,所述限位罐(1)上安装有多个安装槽(2),多个所述安装槽(2)内底壁均设有上顶槽,所述上顶槽内通过上顶机构设有上顶杆(5),所述上顶杆(5)上末端固定设有上顶板(4),所述密封盖(7)弧形外壁设有多块与安装槽(2)对应的安装板(11),所述安装板(11)通过定位机构与限位罐(1)连接,所述密封盖(7)上设有环形板(8),所述环形板(8)通过密封机构与限位罐(1)连接。
2.根据权利要求1所述的一种用于mpcvd金刚石生长的晶种摆放装置,其特征在于,所述上顶机构包括设置在上顶槽内的上顶弹簧(13),所述上顶弹簧(13)两端分别与上顶杆(5)外壁以及上顶槽内底壁弹性连接。
3.根据权利要求2所述的一种用于mpcvd金...
【专利技术属性】
技术研发人员:王洪信,谢项怡,
申请(专利权)人:上海顺心谷半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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