一种源炉和半导体薄膜生长设备制造技术

本公开实施例涉及一种源炉和半导体薄膜生长设备，所述源炉包括：基体部，所述基体部具有容纳蒸发源的容纳腔；罩体部，所述罩体连接于所述基体部，所述罩体部具有：供所述蒸发源通过的通道，及连通所述通道和外部环境的第一开口，所述通道与所述容纳腔连通；所述通道包括：内径最小的预设位置，所述预设位置位于所述罩体部相反的两个端部之间。本公开实施例的源炉既可以利用预设位置有效阻挡蒸发源从容纳腔内溢出，又可以利用预设位置上下两侧的部分通道提高分子束流的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，特别是涉及一种源炉和半导体薄膜生长设备。

技术介绍

1、mbe(分子束外延，molecular beam epitaxy)技术是由美国贝尔实验室在20世纪60年代末发展起来的。mbe的专利技术推动了以超薄层微结构材料为基础的半导体器件的发展，扩展了半导体科学的领域，并在之后广泛应用在金属，绝缘体和超导材料的生长中，在基础研究和工业生产中发挥了巨大的作用。为实现完美的分子束外延生长，蒸发装置显得尤其重要，它直接影响分子束流的稳定性、均匀性、材料的高纯度、表面平整性。由于hmbe(混合分子束外延)中，nh3使得源炉表面自由能减小，导致蒸发源往上爬，翻过源炉的出口，溢出源炉，从而将源炉腐蚀坏。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种源炉和半导体薄膜生长设备。

2、本公开第一方面实施例提供了一种源炉，所述源炉包括：

3、基体部，所述基体部具有容纳蒸发源的容纳腔；

4、罩体部，所述罩体连接于所述基体部，所述罩体部具有：供所述蒸发源通过的通道，及连通所述通道和外部环境的第一开口，所述通道与所述容纳腔连通；

5、所述通道包括：内径最小的预设位置，所述预设位置位于所述罩体部相反的两个端部之间。

6、在一些可选实施例中，所述罩体部包括：

7、第一区段，所述第一区段具有所述第一开口；所述第一区段位于所述容纳腔外；

8、第二区段，所述第二区段连接于所述第一区段，且所述第一区段和所述第二区段共同形成所述通道，所述预设位置位于所述第一区段和所述第二区段的连接处；所述第二区段位于所述容纳腔内。

9、在一些可选实施例中，所述通道的内径自所述罩体部的第一端向所述预设位置逐渐减小，并自所述预设位置向所述罩体部的第二端逐渐增大，其中，所述第二端为所述第一端的相反端。

10、在一些可选实施例中，所述通道与所述容纳腔同轴。

11、在一些可选实施例中，所述罩体部还包括：

12、唇边，所述唇边连接于所述第一区段，并沿所述第一开口的径向方向背离所述第一开口的轴线方向沿伸。

13、在一些可选实施例中，所述基体部和所述罩体部为单一的整体件。

14、在一些可选实施例中，所述基体部和所述罩体部为可分离的两个部件。

15、在一些可选实施例中，所述基体部具有第二开口；

16、所述罩体部包括：壳体以及位于所述壳体内的通道壁，所述通道壁形成所述通道，所述壳体能够盖合在所述第二开口处。

17、在一些可选实施例中，所述基体部包括：

18、底壁；

19、侧壁，所述侧壁自所述底壁朝向所述罩体部沿伸，所述侧壁和所述底壁共同形成所述容纳腔，所述侧壁为圆柱形。

20、本公开第二方面实施例提供了一种半导体薄膜生长设备，所述半导体薄膜生长设备包括：

21、真空设备，所述真空设备用于提供真空腔体；

22、第一方面实施例所述的源炉，所述源炉位于所述真空腔体内。

23、本公开实施例提供了一种源炉和半导体薄膜生长设备，其中，源炉的预设位置是通道内径最小的位置，进而预设位置的上方的部分通道内径以及预设位置下方的预设通道内径均大于预设位置的内径，这种结构的通道可以利用预设位置有效阻挡蒸发源从容纳腔内溢出，又可以利用预设位置上下两侧的部分通道提高分子束流的均匀性。

24、本公开附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本公开的实践了解到。

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【技术保护点】

1.一种源炉，其特征在于，所述源炉包括：

2.根据权利要求1所述的源炉，其特征在于，所述罩体部(120)包括：

3.根据权利要求1所述的源炉，其特征在于，所述通道(120a)的内径自所述罩体部(120)的第一端向所述预设位置(121)逐渐减小，并自所述预设位置(121)向所述罩体部(120)的第二端逐渐增大，其中，所述第二端为所述第一端的相反端。

4.根据权利要求1所述的源炉，其特征在于，所述通道(120a)与所述容纳腔(130)同轴。

5.根据权利要求2所述的源炉，其特征在于，所述罩体部(120)还包括：

6.根据权利要求1至5任一项所述的源炉，其特征在于，所述基体部(110)和所述罩体部(120)为单一的整体件。

7.根据权利要求1至5任一项所述的源炉，其特征在于，所述基体部(110)和所述罩体部(120)为可分离的两个部件。

8.根据权利要求7所述的源炉，其特征在于，所述基体部(110)具有第二开口(113)；

9.根据权利要求1所述的源炉，其特征在于，所述基体部(110)包括：

10.一种半导体薄膜生长设备，其特征在于，所述半导体薄膜生长设备包括：

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【技术特征摘要】

1.一种源炉，其特征在于，所述源炉包括：

2.根据权利要求1所述的源炉，其特征在于，所述罩体部(120)包括：

3.根据权利要求1所述的源炉，其特征在于，所述通道(120a)的内径自所述罩体部(120)的第一端向所述预设位置(121)逐渐减小，并自所述预设位置(121)向所述罩体部(120)的第二端逐渐增大，其中，所述第二端为所述第一端的相反端。

4.根据权利要求1所述的源炉，其特征在于，所述通道(120a)与所述容纳腔(130)同轴。

5.根据权利要求2所述的源炉，其特征在于，所述罩体...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭长四，王旭光，董海云，倪健，
申请(专利权)人：埃特曼厦门光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：