【技术实现步骤摘要】
本申请涉及sic晶片的制造装置，该sic晶片的制造装置用于在由碳化硅(以下，也仅称作sic)构成并且具有偏离角的晶种基板(seed substrate)上生长外延层来制造sic晶片。
技术介绍
1、以往，提出有在由sic构成并且具有偏离角的晶种基板上生长外延层来构成sic晶片。另外，在使外延层在由sic构成的晶种基板上生长的情况下，报告有外延层进行台阶流动生长。并且，在使外延层在具有偏离角的晶种基板上生长的情况下，报告有在台阶流动生长方向的上游侧容易产生含有凹凸的缺陷。
2、而且，在sic晶片产生了包含凹凸的缺陷的情况下，若直接原样使用含有缺陷的sic晶片来形成金属氧化物半导体场效应管(metal oxide semiconductor field effecttransistor，mosfet)等半导体元件的话，则在热处理时应力集中于凹凸部分而sic晶片可能破裂。另外，在形成半导体元件时，包含在sic晶片上配置抗蚀剂的工序的情况下，在剥离抗蚀剂时，该抗蚀剂容易残留在凹凸部分，可能成为异物。
3、因此，例如在专利文献1中提出了：在晶种基板上生长外延层来构成sic晶片之后，去除sic晶片中的位于台阶流动生长方向的上游侧的部分。换句话说，在专利文献1中提出了，在晶种基板上生长外延层来构成sic晶片之后，去除容易形成缺陷的部分。而且，通过使用去除后的sic晶片来形成半导体元件，能够抑制sic晶片破裂、或制造出的sic半导体装置中含有异物。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、
技术实现思路
1、然而，去除sic晶片中的位于台阶流动生长方向的上游侧的部分，需要与制造sic晶片的工序不同的其他工序，制造工序容易增加。
2、本申请鉴于上述点，目的在于提供能够形成不易含缺陷的sic晶片，且不需要与制造sic晶片的工序不同的其他工序的sic晶片的制造装置。
3、本申请的一方式的sic晶片的制造装置具备：反应室形成部，形成反应室，该反应室被导入反应气体，并在由碳化硅构成且具有偏离角的晶种基板的表面侧，使由碳化硅构成的外延层台阶流动生长；反应气体用供给管，设置于反应室，向反应室供给使外延层生长的反应气体；搭载部，配置于反应室，并被配置晶种基板；旋转装置，具有在一端部侧配置搭载部的筒部，使搭载部与晶种基板一同旋转；以及加热装置，对晶种基板进行加热，搭载部具备具有载置晶种基板的背面侧的载置面的基座部、以及以包围晶种基板的周围的状态配置于基座部的引导部，并且构成为在使外延层生长时台阶流动生长方向的上游侧的晶种基板与引导部的第一间隔比台阶流动生长方向的下游侧的晶种基板与引导部的第二间隔窄，引导部构成为，在使外延层生长时，温度比晶种基板低。
4、据此，在使外延层生长时，引导部比晶种基板的温度低。另外，在使外延层生长时，晶种基板与引导部的第一间隔比晶种基板与引导部的第二间隔窄。
5、因此，在使外延层生长时，在容易产生缺陷的生长方向的上游侧，外延层难以生长。因此，sic晶片不易含有凹凸，并且即使不进行去除生长方向的上游侧的工序，也能够直接原样利用于制造半导体元件。
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1.一种碳化硅晶片的制造装置，其特征在于，具备：
2.如权利要求1所述的碳化硅晶片的制造装置，其特征在于，
3.如权利要求1所述的碳化硅晶片的制造装置，其特征在于，
4.如权利要求1～3中任一项所述的碳化硅晶片的制造装置，其特征在于，
5.如权利要求1～3中任一项所述的碳化硅晶片的制造装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶片的制造装置，其特征在于，具备：
2.如权利要求1所述的碳化硅晶片的制造装置，其特征在于，
3.如权利要求1所述的碳化硅晶片的制造装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：藤林裕明，长屋正武，大原淳士，星真一，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：
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