【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于单晶硅锭生产，尤其是涉及一种单晶硅锭生长界面的检测方法。
技术介绍
1、单晶硅锭是重要的半导体材料，伴随着集成电路产业的进步，对单晶硅锭的品质提出了更高的要求。直拉法是制备单晶硅锭的主要方法，在直拉单晶硅生长系统中，生长界面(也称为固液界面)是硅从液态向固态转变的分界面，生长界面的形貌直接影响单晶硅锭的品质，平直的界面形貌有利于提高单晶硅锭品质，例如径向溶质浓度、径向电阻率等品质参数。通过对直拉单晶硅锭生长界面形貌的表征检测，进行新的工艺开发与研究，实现对单晶硅锭实际的生长及控制研究提供有效的理化检测数据。
2、在现有技术中，通过对单晶硅锭片进行长达十几个小时的择优溶液腐蚀获得生长界面的表征图谱，并采用人眼进行观测。耗时较长，且对于轻掺单晶硅锭的生长界面检测有局限性，存在生长界面形貌不清晰难以检测判断的问题。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种单晶硅锭生长界面的检测方法，有效解决了检测周期较长，生长界面形貌不清晰难以检测判断的问题，克服了现有
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1.一种单晶硅锭生长界面的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅锭生长界面的检测方法，其特征在于：在所述获取待检测样片步骤中，将单晶硅锭沿晶向纵向切割获取所述样片。
3.根据权利要求1或2所述的一种单晶硅锭生长界面的检测方法，其特征在于：在所述对所述样片进行金属刻蚀步骤中，刻蚀溶液包括金属催化剂和刻蚀剂，所述金属催化剂为含铜离子的盐溶液，所述刻蚀剂为酸溶液；
4.根据权利要求3所述的一种单晶硅锭生长界面的检测方法，其特征在于：在所述对所述样片进行金属刻蚀步骤中，腐蚀温度为10-80℃，腐蚀时间为1-
...【技术特征摘要】
1.一种单晶硅锭生长界面的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅锭生长界面的检测方法，其特征在于：在所述获取待检测样片步骤中，将单晶硅锭沿晶向纵向切割获取所述样片。
3.根据权利要求1或2所述的一种单晶硅锭生长界面的检测方法，其特征在于：在所述对所述样片进行金属刻蚀步骤中，刻蚀溶液包括金属催化剂和刻蚀剂，所述金属催化剂为含铜离子的盐溶液，所述刻蚀剂为酸溶液；
4.根据权利要求3所述的一种单晶硅锭生长界面的检测方法，其特征在于：在所述对所述样片进行金属刻蚀步骤中，腐蚀温度为10-80℃，腐蚀时间为1-70min。
5.根据权利要求1-2和4任一所述的一种单晶硅锭生长界面的检测方法，其特征在于：在对所述样片进行金属刻蚀后，对所述样片进行烘干，烘干温度为10-50℃，烘干时长为5-60min。
6.根据权利要求5所述的一种单晶硅锭生长界面的检测方法，其特征在于：在对所述样片进行烘干后，对所述样片进行热处理，加热...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾慧娇，李睿，娄中士，李鹏飞，贾海洋，周宏邦，王淼，黄海波，袁长宏，田旭东，陈建梅，
申请(专利权)人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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