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本发明提供一种单晶硅锭生长界面的检测方法，包括以下步骤：获取待检测样片；对所述样片进行抛光；对所述样片进行金属刻蚀；对所述样片进行择优腐蚀；对所述样片进行扫描获取生长界面形貌图谱。本发明的有益效果是缩短了单晶硅锭生长界面的检测周期，通过金属...
该专利属于内蒙古中环领先半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过内蒙古中环领先半导体材料有限公司授权不得商用。

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