【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体封装结构及制备方法。
技术介绍
1、在所有部门，行业和地区，电子行业都在不断要求提供更轻、更快、更小、多功能、更可靠和更具成本效益的产品。为了满足众多不同消费者的这些不断增长的需求，需要集成更多的电路来提供所需的功能。在几乎所有应用中，对减小尺寸，提高性能和改善集成电路功能的需求不断增长。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体封装结构及制备方法。
2、根据本公开实施例的第一方面，提供了一种半导体封装结构，包括：
3、第一封装结构，包括基板和中介层，所述中介层包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第二表面的至少一侧设置有第一引线焊盘，且所述第一引线焊盘突出于所述第二表面；其中，所述中介层通过所述第一引线焊盘与所述基板连接；
4、第二封装结构，位于所述中介层的第一表面上，与所述中介层连接。
5、在一些实施例中，所述第一引线焊盘突出于所述第二表面的部分的面积大于被所述第二表面覆盖的部分的面积。
6、在一些实施例中，所述第一引线焊盘突出于所述第二表面的部分的面积是被所述第二表面覆盖的部分的面积的3倍-4倍。
7、在一些实施例中，所述中介层包括中介基底和分别设置于所述中介基底的上表面和下表面上的第一介质层和第二介质层，其中，所述第一介质层位于所述中介层的第一表面一侧，所述第二介质层位于所述中介层的第二表面一侧。
8、在一些实施例中，所述第二表面的至少一侧设
9、所述第一引线焊盘位于所述第二介质层内，且所述中介基底暴露部分所述第一引线焊盘。
10、在一些实施例中，所述第一介质层内设置有第一连接焊盘，所述第二介质层内设置有第二连接焊盘，所述中介基底内设置有第一信号通道，其中，所述第一信号通道连接所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘。
11、在一些实施例中，还包括：
12、第一引线，所述第一引线焊盘通过所述第一引线连接所述基板；
13、其中，所述第一引线的一端位于所述第一引线焊盘的远离所述基板一侧的表面上，另一端位于所述基板邻近所述中介层一侧的表面上。
14、在一些实施例中，还包括：
15、芯片堆叠体，设置在所述基板上，所述芯片堆叠体包括多个沿垂直于所述基板的方向依次堆叠的芯片；
16、所述中介层设置在所述芯片堆叠体上。
17、在一些实施例中，还包括：
18、第二引线，每个所述芯片通过所述第二引线连接所述基板。
19、在一些实施例中，所述第一封装结构还包括：塑封料，所述塑封料包裹所述中介层，并与所述第一连接焊盘共面。
20、在一些实施例中，所述基板包括相对设置的上表面和下表面，所述上表面和所述下表面上分别设置有第一导电图案和第二导电图案；
21、所述基板还包括位于所述上表面和所述下表面之间的第二信号通道，所述第二信号通道连接所述第一导电图案和所述第二导电图案。
22、在一些实施例中，所述第一封装结构与所述第二封装结构之间存在空隙。
23、在一些实施例中，还包括：
24、填充层，所述填充层填满所述空隙。
25、根据本公开实施例的第二方面，提供一种半导体封装结构的制备方法，包括：
26、提供第一封装结构，所述第一封装结构包括基板和中介层，所述中介层包括相对设置的第一表面和第二表面，在所述第二表面的至少一侧设置第一引线焊盘，且所述第一引线焊盘突出于所述第二表面；其中，所述中介层通过所述第一引线焊盘与所述基板连接；
27、提供第二封装结构，所述第二封装结构位于所述中介层的第一表面上，与所述中介层连接。
28、在一些实施例中，所述在所述第二表面的至少一侧设置第一引线焊盘，包括：
29、提供中介基底，所述中介基底的上表面和下表面上分别设置有第一导电层和第二导电层；
30、形成贯穿所述第一导电层和所述中介基底的通孔，并暴露所述第二导电层；
31、在所述通孔的侧壁上形成第三导电层；
32、刻蚀所述第二导电层，使所述通孔下方的所述第二导电层与两侧的所述第二导电层断开，以形成第一引线焊盘预层；
33、从通孔内切断所述第一引线焊盘预层，以形成第一引线焊盘，所述第一引线焊盘暴露部分表面。
34、在一些实施例中，在形成第一引线焊盘预层后，所述方法还包括：
35、形成包裹所述第一导电层的第一介质层，形成包裹所述第二导电层和所述第一引线焊盘预层的第二介质层。
36、在一些实施例中，在形成第一介质层和第二介质层后，所述方法还包括：
37、在所述第一导电层、所述第三导电层和所述第一引线焊盘预层上形成金属层。
38、本公开实施例中，通过在中介层的第二表面的至少一侧形成第一引线焊盘，第二表面为靠近基板一侧的表面，且第一引线焊盘突出于第二表面，即第一引线焊盘暴露部分表面，如此，可以通过在第一引线焊盘暴露的表面上进行打线与基板连接，并且打线的高度低于中介层的高度，封装时无需多出封装打线的部分，降低了半导体封装结构的封装高度。同时因为第一封装结构和第二封装结构是独立封装的，可以分别对第一封装结构和第二封装结构进行测试，从而可以更加快速的进行失效分析，由此在组成半导体封装结构之后，可以不对整体结构进行测试。
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1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，
11.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
12.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
14.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐燕菲，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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