【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种镀膜工艺，更具体的说，它涉及一种金属件表面铬硅处理工艺。
技术介绍
1、pvd应用在不锈钢件上，本身性能就很好，通过pvd增加他的外观效果，使得他的附加价值很高，但现在客户不满足于此，付于此工艺更多的性能要求。市面上大部分金属大多是导电的，镀膜材料也导电，但是现阶段针对特殊情况需要使得表面进行绝缘处理。
2、现有的金属绝缘处理，大多采用油漆，电泳的方式，但这两个工艺虽然可以达到绝缘的效果，但是加工良率不高，质量也不稳定。
3、因此需要提出一种新的方案来解决这个问题。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种金属件表面铬硅处理工艺。
2、本专利技术的技术方案是：
3、一种金属件表面铬硅处理工艺，包括，步骤一，利用检测设备将素材检验，将检验合格的素材表面进行剖光清洗，清洗完成后烘干，完成待镀膜产品的预处理；
4、步骤二，将产品放入到真空镀膜机内进行镀膜，运行真空镀膜机，将靶材设置为ti，进行主轰击，轰击时长为70-210s，在产品表面溅射若干ti层形成底层；
5、步骤三，将靶材设置为crsi，加入反应气体乙炔，在底层表面形成若干铬硅复合层，完成产品膜层的成型；
6、步骤四，将靶材设置为cr，在铬硅层表面溅射形成铬金属层，将产品取出，利用化学气相沉积法，使得铬金属层与氧气或空气在高温下进行氧化反应，形成致密的氧化铬膜，完成整体产品的镀膜；
7、步骤五，镀膜完
8、本专利技术进一步设置为，所述步骤二中，真空镀膜机内的加热温度设定范围为150-250℃，真空要求设置在1.0*10(-2)pa，其真空镀膜机的转架转速范围设置为10-14hz。
9、本专利技术进一步设置为，所述步骤二中，在进行基层主轰击时，t i层的数量设置为三层，第一次轰击时间范围为10-30s，第二次和第三次的轰击时间均为30-90s，并在第一次和第二次轰击时均加入氩气的流量为60-100l/min的，第三次轰击时的氩气流量为130-170l/min的，三次轰击的压力范围为1*10-1-6.5*10-1pa。
10、本专利技术进一步设置为，所述底层三次轰击偏压电源的占空比均为30-70％，第一次和第二次偏压电源的负电压范围均为250-350v，第三次的偏压电源的负电压范围为100-200v，第二次和第三次轰击均采用柱弧靶，其靶电流范围均为60-160a。
11、本专利技术进一步设置为，所述步骤三中铬硅层的数量设置为十层，其中第一层轰击的时间为70min，第二层轰击的时间为3min，第三层轰击的时间为5min，第四层轰击的时间为20min，第五层和第六层轰击的时间均为30min，第七层至第九层轰击的时间均为60min，第十层轰击的时间为10s，第一层的压力范围为2*10-1-6.5*10-1pa，其余第二层至第九层的压力范围均为3*10-1-6.5*10-1pa。
12、本专利技术进一步设置为，第一层轰击时的氩气流量范围为100-200l/min，第二层轰击时的氩气流量范围为50-250l/min，第三层轰击时的氩气流量范围为150-350l/min，第四层轰击时的氩气流量范围为200-300l/min，第五层至第十层轰击时的氩气流量范围均为150-350l/min；第一层轰击偏压电源的占空比范围为30-50％，其偏压电源的负电压范围为60-100v，第二层至第十层轰击的偏压电源的占空比范围均为20-40％，其偏压电源的负电压范围均为40-80v。
13、本专利技术进一步设置为，所述真空镀膜机中设有六个圆柱靶，在所述步骤三中，铬硅层成型时，第一层采用第二个、第三个、第五个以及第六个圆柱靶，其靶电流范围均为21-31a；第二层至第九层采用第一个至第四个圆柱靶，第二层中第一个圆柱靶的靶电流范围为6-16a，第二个圆柱靶的靶电流范围为11.5-21.5a，第三个圆柱靶的靶电流范围为13-23a，第四个圆柱靶的靶电流范围为10-20a；第三层至第九层中其第一个圆柱靶的靶电流范围为13.5-23.5a，第二个圆柱靶的靶电流范围为11.5-21.5a，第三个圆柱靶的靶电流范围为13-23a，第三个圆柱靶的靶电流范围为15-25a。
14、本专利技术的有益技术效果是：
15、通过在原有的铬金属材料的基础上，增加非金属物质硅靶，形成铬硅高电阻膜层，从而有效增加电阻率，且设置为多层，并控制镀膜时间，能够进一步扩大电阻率，以达到绝缘的效果，也具有很好的稳定性，且最外层通过化学气相沉积法，使得铬金属层与氧气或空气在高温下进行氧化反应，形成致密的氧化铬膜，氧化铬也具有很好的绝缘效果，保证了整体产品表面的绝缘效果。
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1.一种金属件表面铬硅处理工艺，其特征在于：包括，步骤一，利用检测设备将素材检验，将检验合格的素材表面进行剖光清洗，清洗完成后烘干，完成待镀膜产品的预处理；
2.根据权利要求1所述的金属件表面铬硅处理工艺，其特征在于：所述步骤二中，真空镀膜机内的加热温度设定范围为150-250℃，真空要求设置在1.0*10(-2)Pa，其真空镀膜机的转架转速范围设置为10-14Hz。
3.根据权利要求1所述的金属件表面铬硅处理工艺，其特征在于：所述步骤二中，在进行基层主轰击时，Ti层的数量设置为三层，第一次轰击时间范围为10-30s，第二次和第三次的轰击时间均为30-90s，并在第一次和第二次轰击时均加入氩气的流量为60-100L/min的，第三次轰击时的氩气流量为130-170L/min的，三次轰击的压力范围为1*10-1-6.5*10-1Pa。
4.根据权利要求3所述的金属件表面铬硅处理工艺，其特征在于：所述底层三次轰击偏压电源的占空比均为30-70％，第一次和第二次偏压电源的负电压范围均为250-350V，第三次的偏压电源的负电压范围为100-200V，
5.根据权利要求1所述的金属件表面铬硅处理工艺，其特征在于：所述步骤三中铬硅层的数量设置为十层，其中第一层轰击的时间为70min，第二层轰击的时间为3min，第三层轰击的时间为5min，第四层轰击的时间为20min，第五层和第六层轰击的时间均为30min，第七层至第九层轰击的时间均为60min，第十层轰击的时间为10s，第一层的压力范围为2*10-1-6.5*10-1Pa，其余第二层至第九层的压力范围均为3*10-1-6.5*10-1Pa。
6.根据权利要求5所述的金属件表面铬硅处理工艺，其特征在于：第一层轰击时的氩气流量范围为100-200L/min，第二层轰击时的氩气流量范围为50-250L/min，第三层轰击时的氩气流量范围为150-350L/min，第四层轰击时的氩气流量范围为200-300L/min，第五层至第十层轰击时的氩气流量范围均为150-350L/min；第一层轰击偏压电源的占空比范围为30-50％，其偏压电源的负电压范围为60-100V，第二层至第十层轰击的偏压电源的占空比范围均为20-40％，其偏压电源的负电压范围均为40-80V。
7.根据权利要求6所述的金属件表面铬硅处理工艺，其特征在于：所述真空镀膜机中设有六个圆柱靶，在所述步骤三中，铬硅层成型时，第一层采用第二个、第三个、第五个以及第六个圆柱靶，其靶电流范围均为21-31A；第二层至第九层采用第一个至第四个圆柱靶，第二层中第一个圆柱靶的靶电流范围为6-16A，第二个圆柱靶的靶电流范围为11.5-21.5A，第三个圆柱靶的靶电流范围为13-23A，第四个圆柱靶的靶电流范围为10-20A；第三层至第九层中其第一个圆柱靶的靶电流范围为13.5-23.5A，第二个圆柱靶的靶电流范围为11.5-21.5A，第三个圆柱靶的靶电流范围为13-23A，第三个圆柱靶的靶电流范围为15-25A。
...【技术特征摘要】
1.一种金属件表面铬硅处理工艺，其特征在于：包括，步骤一，利用检测设备将素材检验，将检验合格的素材表面进行剖光清洗，清洗完成后烘干，完成待镀膜产品的预处理；
2.根据权利要求1所述的金属件表面铬硅处理工艺，其特征在于：所述步骤二中，真空镀膜机内的加热温度设定范围为150-250℃，真空要求设置在1.0*10(-2)pa，其真空镀膜机的转架转速范围设置为10-14hz。
3.根据权利要求1所述的金属件表面铬硅处理工艺，其特征在于：所述步骤二中，在进行基层主轰击时，ti层的数量设置为三层，第一次轰击时间范围为10-30s，第二次和第三次的轰击时间均为30-90s，并在第一次和第二次轰击时均加入氩气的流量为60-100l/min的，第三次轰击时的氩气流量为130-170l/min的，三次轰击的压力范围为1*10-1-6.5*10-1pa。
4.根据权利要求3所述的金属件表面铬硅处理工艺，其特征在于：所述底层三次轰击偏压电源的占空比均为30-70％，第一次和第二次偏压电源的负电压范围均为250-350v，第三次的偏压电源的负电压范围为100-200v，第二次和第三次轰击均采用柱弧靶，其靶电流范围均为60-160a。
5.根据权利要求1所述的金属件表面铬硅处理工艺，其特征在于：所述步骤三中铬硅层的数量设置为十层，其中第一层轰击的时间为70min，第二层轰击的时间为3min，第三层轰击的时间为5min，第四层轰击的时间为20min，第五层和第六层轰击的时间均为30min，第七层至第...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾建国，
申请(专利权)人：昆山英利悦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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