【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体封装领域，尤其涉及一种封装结构及封装方法。
技术介绍
1、随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的资料存储量以及更多的功能，半导体芯片向更高集成度方向发展。
2、而半导体芯片的集成度越高，半导体器件的特征尺寸(cd，critical dimension)越小，使得对于集成电路的封装技术的要求不断提高，对异质集成不同元件的需求相应也越来越大，因此半导体异质集成封装逐渐成为封装的趋势。
3、随着封装结构的集成度越来越高，封装结构整体的功耗也随之变大，相应的，对封装结构的性能也提出了更高的要求。但是，目前的封装结构的性能仍有待提升。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种封装结构及封装方法，能够改善封装结构的翘曲问题，且有利于提高封装结构的强度，能够提高封装结构的可靠性。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种封装结构，包括：
3、封装基板，所述封装基板包括键合面；
4、散热结构，所述散热结构包括散热盖和位于所述散热盖内的散热片；
5、芯片，位于所述散热盖内，且与所述散热片固定安装，所述芯片与所述封装基板的键合面相键合，且与所述封装基板电性连接；
6、外部塑封层，所述外部塑封层将所述散热结构和所述芯片密封于内。
7、可选地，所述封装结构还包括：内部塑封层，位于所述散热盖内，所述内部塑封层将所述芯片和所述散热片密封于所
8、可选地，所述内部塑封层的材料包括环氧树脂。
9、可选地，所述封装结构还包括：第一导电连接结构，位于所述芯片与所述封装基板之间，用于将所述芯片键合于所述封装基板的键合面上，并用于实现所述芯片与所述封装基板之间的电性连接。
10、可选地，所述封装结构还包括：底部填充层，位于所述芯片、所述内部塑封层及所述散热盖与所述封装基板之间，且还填充于所述第一导电连接结构之间的空隙。
11、可选地，所述外部塑封层还位于所述芯片、所述内部塑封层及所述散热盖与所述封装基板之间，且还填充于所述第一导电连接结构之间的空隙。
12、可选地，所述第一导电连接结构包括可控塌陷芯片连接。
13、可选地，所述散热盖包括第一槽；
14、所述散热片焊接于所述第一槽内。
15、可选地，所述散热盖还包括第二槽，所述第二槽位于所述第一槽上方且与所述第一槽相连通；
16、所述内部塑封层填充于所述第二槽内。
17、可选地，所述外部塑封层的材料包括环氧树脂。
18、可选地，所述外部塑封层暴露出所述散热盖的顶部表面。
19、可选地，所述芯片包括相背设置的第一面和第二面，所述芯片的第一面与所述封装基板的键合面相键合，所述芯片的第二面与所述散热片相焊接。
20、可选地，所述散热片的材料包括铟和银中至少一种。
21、相应地，本专利技术实施例还提供了一种封装方法，包括：
22、提供散热结构和与所述散热结构固定安装的芯片，所述散热结构包括散热盖和位于所述散热盖内的散热片，所述芯片位于所述散热盖内且与所述散热片固定安装；
23、提供封装基板，所述封装基板包括键合面；
24、实现所述芯片与所述封装基板的键合面之间的键合，并实现所述芯片与所述封装基板之间的电性连接；
25、在所述封装基板上形成外部塑封层，所述外部塑封层将所述散热结构和所述芯片密封于内。
26、可选地，在提供散热结构和与所述散热结构固定安装的芯片的步骤中还包括：形成填充于所述散热盖内的内部塑封层，所述内部塑封层将所述芯片和所述散热片密封于所述散热盖内；
27、提供散热结构和与所述散热结构固定安装的芯片、及形成所述内部塑封层的步骤包括：提供初始散热盖、所述散热片和所述芯片；将所述散热片固定安装于所述初始散热盖内；将所述芯片固定安装于所述散热片上，将所述芯片安装于所述散热片上之后，所述芯片还位于所述初始散热盖内；形成填充于所述初始散热盖内的内部初始塑封层，所述内部初始塑封层将所述芯片、所述散热片密封于所述初始散热盖内，且所述内部初始塑封层还形成于所述初始散热盖上；对所述初始散热盖和所述内部初始塑封层执行研磨工艺，使剩余的所述内部初始塑封层的底部表面与剩余的所述初始散热盖的底部表面相齐平，形成所述内部塑封层和所述散热盖，所述散热盖和所述散热片形成所述散热结构。
28、可选地，所述芯片包括相背设置的第一面和第二面，所述芯片的第一面与所述封装基板的键合面相键合，所述芯片的第二面与所述散热片相焊接；
29、实现所述芯片与所述封装基板的键合面之间的键合，并实现所述芯片与所述封装基板之间的电性连接的步骤包括：在所述芯片的第一面上形成第一导电连接结构；采用所述第一导电连接结构将所述芯片键合于所述封装基板的键合面上，并实现所述芯片与所述封装基板之间的电性连接。
30、可选地，实现所述芯片与所述封装基板的键合面之间的键合，并实现所述芯片与所述封装基板之间的电性连接之后，且在所述封装基板上形成外部塑封层之前，所述封装方法还包括：
31、在所述芯片、所述内部塑封层及所述散热盖与所述封装基板之间形成底部填充层，所述底部填充层还填充于所述第一导电连接结构之间的空隙。
32、可选地，所述芯片包括位于所述芯片的第一面的芯片焊盘；
33、对所述初始散热盖和所述内部初始塑封层执行研磨工艺，使剩余的所述内部初始塑封层的底部表面与剩余的所述初始散热盖的底部表面相齐平，形成所述内部塑封层和所述散热盖的步骤中，所述内部塑封层暴露出所述芯片焊盘的顶部表面；
34、形成所述第一导电连接结构的步骤包括：对所述初始散热盖和所述内部初始塑封层执行研磨工艺，使所述内部初始塑封层的顶部表面与所述初始散热盖的底部表面相齐平，形成内部塑封层和散热盖之后，在所述芯片焊盘上形成所述第一导电连接结构。
35、可选地，实现所述芯片与所述封装基板的键合面之间的键合，并实现所述芯片与所述封装基板之间的电性连接之后，且对所述初始散热盖和所述内部初始塑封层执行研磨工艺，使所述内部初始塑封层的顶部表面与所述初始散热盖的底部表面相齐平，形成内部塑封层和散热盖之后，所述封装方法还包括：
36、在所述芯片、所述内部塑封层及所述散热盖与所述封装基板之间形成底部填充层，所述底部填充层还填充于所述第一导电连接结构之间的空隙。
37、可选地，形成所述外部塑封层之后，所述外部塑封层还位于所述芯片、所述内部塑封层及所述散热盖与所述封装基板之间，且还填充于所述第一导电连接结构之间的空隙。
38、可选地，所述外部塑封层暴露出所述散热盖的顶部表面。
39、可选地，所述封装方法还包括以下至少一项：
40、实现所述芯片与所述封装基板的键合面之间的键合，并本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：内部塑封层，位于所述散热盖内，所述内部塑封层将所述芯片和所述散热片密封于所述散热盖内。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述内部塑封层的材料包括环氧树脂。
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，还包括：第一导电连接结构，位于所述芯片与所述封装基板之间，用于将所述芯片键合于所述封装基板的键合面上，并用于实现所述芯片与所述封装基板之间的电性连接。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，还包括：底部填充层，位于所述芯片、所述内部塑封层及所述散热盖与所述封装基板之间，且还填充于所述第一导电连接结构之间的空隙。
6.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述外部塑封层还位于所述芯片、所述内部塑封层及所述散热盖与所述封装基板之间，且还填充于所述第一导电连接结构之间的空隙。
7.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述第一导电连接结构包括可控塌陷芯片连接。
8.根据权利要求2所述的
9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述散热盖还包括第二槽，所述第二槽位于所述第一槽上方且与所述第一槽相连通；
10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述外部塑封层的材料包括环氧树脂。
11.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述外部塑封层暴露出所述散热盖的顶部表面。
12.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片包括相背设置的第一面和第二面，所述芯片的第一面与所述封装基板的键合面相键合，所述芯片的第二面与所述散热片相焊接。
13.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述散热片的材料包括铟和银中至少一种。
14.一种封装方法，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的封装方法，其特征在于，在提供散热结构和与所述散热结构固定安装的芯片的步骤中还包括：形成填充于所述散热盖内的内部塑封层，所述内部塑封层将所述芯片和所述散热片密封于所述散热盖内；
16.根据权利要求15所述的封装方法，其特征在于，所述芯片包括相背设置的第一面和第二面，所述芯片的第一面与所述封装基板的键合面相键合，所述芯片的第二面与所述散热片相焊接；
17.根据权利要求16所述的封装方法，其特征在于，实现所述芯片与所述封装基板的键合面之间的键合，并实现所述芯片与所述封装基板之间的电性连接之后，且在所述封装基板上形成外部塑封层之前，所述封装方法还包括：
18.根据权利要求16所述的封装方法，其特征在于，所述芯片包括位于所述芯片的第一面的芯片焊盘；
19.根据权利要求16所述的封装方法，其特征在于，实现所述芯片与所述封装基板的键合面之间的键合，并实现所述芯片与所述封装基板之间的电性连接之后，且对所述初始散热盖和所述内部初始塑封层执行研磨工艺，使所述内部初始塑封层的顶部表面与所述初始散热盖的底部表面相齐平，形成内部塑封层和散热盖之后，所述封装方法还包括：
20.根据权利要求16所述的封装方法，其特征在于，形成所述外部塑封层之后，所述外部塑封层还位于所述芯片、所述内部塑封层及所述散热盖与所述封装基板之间，且还填充于所述第一导电连接结构之间的空隙。
21.根据权利要求14所述的封装方法，其特征在于，所述外部塑封层暴露出所述散热盖的顶部表面。
22.根据权利要求14所述的封装方法，其特征在于，所述封装方法还包括以下至少一项：
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：内部塑封层，位于所述散热盖内，所述内部塑封层将所述芯片和所述散热片密封于所述散热盖内。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述内部塑封层的材料包括环氧树脂。
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，还包括：第一导电连接结构，位于所述芯片与所述封装基板之间，用于将所述芯片键合于所述封装基板的键合面上，并用于实现所述芯片与所述封装基板之间的电性连接。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，还包括：底部填充层，位于所述芯片、所述内部塑封层及所述散热盖与所述封装基板之间，且还填充于所述第一导电连接结构之间的空隙。
6.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述外部塑封层还位于所述芯片、所述内部塑封层及所述散热盖与所述封装基板之间，且还填充于所述第一导电连接结构之间的空隙。
7.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述第一导电连接结构包括可控塌陷芯片连接。
8.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述散热盖包括第一槽；
9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述散热盖还包括第二槽，所述第二槽位于所述第一槽上方且与所述第一槽相连通；
10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述外部塑封层的材料包括环氧树脂。
11.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述外部塑封层暴露出所述散热盖的顶部表面。
12.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片包括相背设置的第一面和第二面，所述芯片的第一面与所述封装基板的键合面相键合，所述芯片的第二面与所述散热片相焊接。
13.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：余泽龙，杨帅，金政漢，徐健，李铢元，
申请(专利权)人：星科金朋半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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