System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种单晶硅碱抛光添加剂及其制备方法和抛光方法技术_技高网

一种单晶硅碱抛光添加剂及其制备方法和抛光方法技术

技术编号:41185044 阅读:2 留言:0更新日期:2024-05-07 22:17
本发明专利技术公开了一种单晶硅碱抛光添加剂及其制备方法和抛光方法,所述单晶硅碱抛光添加剂包括如下质量百分含量的组分:偏铝酸钠0.5%~2%、聚乙烯醇2%~4%、表面活性剂0.5%~3%、消泡剂1%~3%、异构醇油酸皂0.5%~1%,余量为去离子水。本发明专利技术单晶硅碱抛光添加剂通过对各原料以及用量的限定,使得制备得到的单晶硅碱抛光添加剂能够改善碱液对单晶硅的碱腐蚀性能,在较较低减重下实现单晶硅的抛光处理,且抛光后单晶硅背面具有优异平整度和反射率,进而能够提高太阳能电池的转换效率;此外,本发明专利技术单晶硅的碱抛光方法中通过对各物质浓度以及用量的限定,实现了对单晶硅的快速抛光,且抛光效果好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及抛光,具体涉及一种单晶硅碱抛光添加剂及其制备方法和抛光方法


技术介绍

1、太阳能(solar energy),是一种可再生能源。是指太阳的热辐射能,主要表现就是常说的太阳光线。在现代一般用作发电或者为热水器提供能源。

2、在化石燃料日趋减少的情况下,太阳能已成为人类使用能源的重要组成部分,并不断得到发展。太阳能的利用有光热转换和光电转换两种方式,太阳能发电是一种新兴的可再生能源。

3、在太阳能电池领域,一直以来的研究方向是提高晶体硅太阳电池的转换效率。在晶硅太阳能电池制造工艺中,为了提高太阳能电池的光电转换效率,常常对扩散后的硅片背面进行抛光处理,提高太阳能电池背面反射率。一方面高反射率增强了光的反射,提高了光的利用率;另一方面较低的比表面积降低了载流子在电池发射极表面区域的复合,提高载流子的有效寿命。

4、目前光伏行业主流的背面抛光工艺主要有酸抛光工艺和碱抛光工艺,但碱抛常存在碱抛光不彻底,而且容易破坏单晶硅正面pn结,影响产品质量。

5、有鉴于此,特提出本专利技术。


技术实现思路

1、本专利技术的第一目的在于提供一种单晶硅碱抛光添加剂,该单晶硅碱抛光添加剂能够改善碱液对单晶硅的碱腐蚀性能,在较低减重下实现单晶硅的抛光处理,且抛光后单晶硅背面具有优异平整度和反射率,进而提高太阳能电池的转换效率。

2、本专利技术的第二目的在于提供一种单晶硅的碱抛光方法,该方法能够对单晶硅进行快速抛光,且抛光效果好。

3、为了实现本专利技术的上述目的,特采用以下技术方案:

4、本专利技术第一方面提供了一种单晶硅碱抛光添加剂,所述单晶硅碱抛光添加剂包括如下质量百分含量的组分:

5、偏铝酸钠0.5%~2%、聚乙烯醇2%~4%、表面活性剂0.5%~3%、消泡剂1%~3%、异构醇油酸皂0.5%~1%,余量为去离子水。

6、优选地,所述单晶硅碱抛光添加剂包括如下质量百分含量的组分:

7、偏铝酸钠1%~2%、聚乙烯醇2%~3%、表面活性剂1%~2%、消泡剂1%~2%、异构醇油酸皂0.5%~1%,余量为去离子水。

8、优选地,所述单晶硅碱抛光添加剂包括如下质量百分含量的组分:

9、偏铝酸钠1.5%、聚乙烯醇2.5%、表面活性剂1.5%、消泡剂1.5%、异构醇油酸皂0.8%,余量为去离子水。

10、优选地,所述表明活性剂选自十二烷基苯磺酸钠、聚丙二醇和n,n-二甲基-n-甜菜碱中的至少一种。

11、优选地,所述消泡剂选自二甲基硅油和/或磷酸三丁酯。

12、本专利技术第二方面提供了一种上述单晶硅碱抛光添加剂的制备方法,所述制备方法包括按照重量份将各原料进行混合并混匀,即得所述单晶硅碱抛光添加剂。

13、本专利技术第三方面提供了一种单晶硅碱抛光方法,所述单晶硅碱抛光方法包括如下步骤:

14、(a)将上述单晶硅碱抛光添加剂添加至碱液中并搅匀,得到抛光液;

15、(b)采用抛光液对单晶硅进行抛光处理。

16、优选地,所述抛光液中单晶硅碱抛光添加剂的质量含量0.5%~5%;

17、所述碱液的质量浓度为1%~5%。

18、优选地,所述碱液为氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液。

19、优选地,所述抛光处理温度为50~70℃,抛光时间为80~250s。

20、与现有技术相比,本专利技术的有益效果至少包括:

21、本专利技术单晶硅碱抛光添加剂通过对各原料以及用量的限定,使得制备得到的单晶硅碱抛光添加剂能够改善碱液对单晶硅的碱腐蚀性能,在较较低减重下实现单晶硅的抛光处理,且抛光后单晶硅背面具有优异平整度和反射率,进而能够提高太阳能电池的转换效率。

22、本专利技术单晶硅的碱抛光方法中通过对各物质浓度以及用量的限定,实现了对单晶硅的快速抛光,且抛光效果好。

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【技术保护点】

1.一种单晶硅碱抛光添加剂,其特征在于,所述单晶硅碱抛光添加剂包括如下质量百分含量的组分:

2.根据权利要求1所述的单晶硅碱抛光添加剂,其特征在于,所述单晶硅碱抛光添加剂包括如下质量百分含量的组分:

3.根据权利要求1所述的单晶硅碱抛光添加剂,其特征在于,所述单晶硅碱抛光添加剂包括如下质量百分含量的组分:

4.根据权利要求1所述的单晶硅碱抛光添加剂,其特征在于,所述表明活性剂选自十二烷基苯磺酸钠、聚丙二醇和N,N-二甲基-N-甜菜碱中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的单晶硅碱抛光添加剂,其特征在于,所述消泡剂选自二甲基硅油和/或磷酸三丁酯。

6.如权利要求1~5中任一所述的单晶硅碱抛光添加剂的制备方法,其特征在于,按照重量份将各原料进行混合并混匀,即得所述单晶硅碱抛光添加剂。

7.一种单晶硅碱抛光方法,其特征在于,所述单晶硅碱抛光方法包括如下步骤:

8.根据权利要求7所述的单晶硅碱抛光方法,其特征在于,所述抛光液中单晶硅碱抛光添加剂的质量含量0.5%~5%;

9.根据权利要求7所述的单晶硅碱抛光方法,其特征在于,所述碱液为氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液。

10.根据权利要求7所述的单晶硅碱抛光方法,其特征在于,所述抛光处理温度为50~70℃,抛光时间为80~250s。

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【技术特征摘要】

1.一种单晶硅碱抛光添加剂,其特征在于,所述单晶硅碱抛光添加剂包括如下质量百分含量的组分:

2.根据权利要求1所述的单晶硅碱抛光添加剂,其特征在于,所述单晶硅碱抛光添加剂包括如下质量百分含量的组分:

3.根据权利要求1所述的单晶硅碱抛光添加剂,其特征在于,所述单晶硅碱抛光添加剂包括如下质量百分含量的组分:

4.根据权利要求1所述的单晶硅碱抛光添加剂,其特征在于,所述表明活性剂选自十二烷基苯磺酸钠、聚丙二醇和n,n-二甲基-n-甜菜碱中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的单晶硅碱抛光添加剂,其特征在于,所述消泡剂选自二甲基硅油和/或磷酸三丁酯...

【专利技术属性】
技术研发人员:李翔
申请(专利权)人:无锡艾妮吉新能源科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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