【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种硅化物阻挡层的制作方法。
技术介绍
1、在半导体制造工艺中，随着线宽尺寸向小节点推进，不同类型的器件集合在同一工艺中的难度也越来越大。在55nm甚至90nm技术节点的bcd(单片集成工艺技术)中通常会遇到由于poly(多晶硅)间距较小，而导致硅化物阻挡层生长厚膜时，出现堆叠，造成不同区域膜厚差别大，不利于ldmos(横向扩散金属氧化物半导体)和otp(一次性可编程芯片)等需要硅化物阻挡层厚膜的结构与cmos进行整合。
2、为解决上述问题，需要提出一种新型的硅化物阻挡层的制作方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种硅化物阻挡层的制作方法，用于解决现有技术中随着线宽尺寸向小节点推进，不同类型的器件集合在同一工艺中的难度也越来越大。通常会遇到由于poly(多晶硅)间距较小，而导致硅化物阻挡层生长厚膜时，出现堆叠，造成不同区域膜厚差别大，不利于ldmos(横向扩散金属氧化物半导体)和otp(一次性可编程芯片)等需要硅化物阻挡层厚膜的结构与cmos进行整合的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种硅化物阻挡层的制作方法，包括：
3、步骤一、提供衬底，在所述衬底上具有多个器件区，各所述器件区上形成有栅极，部分所述栅极的间距小于目标值；
4、步骤二、在所述衬底上形成覆盖所述栅极的第一硅化物阻挡层，所述第一硅化物阻挡层为第一厚度，在所述第一硅化物阻挡层上
5、步骤三、在所述第二硅化物阻挡层上形成光刻胶层，光刻打开目标器件区上的所述光刻胶层使得其上的所述第二硅化物阻挡层裸露；
6、步骤四、刻蚀去除裸露的所述第二硅化物阻挡层，使得其下方的所述刻蚀停止层裸露，去除剩余的所述光刻胶层，间距小于目标值的所述栅极间残留有部分所述第二硅化物阻挡层，之后去除间距小于目标值的所述栅极间残留的所述第二硅化物阻挡层；
7、步骤五、去除裸露的所述刻蚀停止层，使得其下方的所述第一硅化物阻挡层裸露；
8、步骤六、去除裸露的所述第一硅化物阻挡层。
9、优选地，步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。
10、优选地，步骤一中的所述器件区包括coms、ldmos和otp器件区中的至少一种。
11、优选地，步骤二中的所述第一、二硅化物阻挡层的材料为二氧化硅。
12、优选地，步骤二中的所述第一硅化物阻挡层的厚度为125埃。
13、优选地，步骤二中的所述刻蚀停止层的厚度为250埃。
14、优选地，步骤二中的所述第二硅化物阻挡层的厚度为950埃。
15、优选地，步骤二中的所述刻蚀停止层的材料为氮化硅。
16、优选地，步骤三中的所述目标器件区为cmos器件区。
17、优选地，步骤四中的所述刻蚀的方法为湿法刻蚀。
18、优选地，步骤四中利用dhf溶液去除残留的所述第二硅化物阻挡层。
19、优选地，步骤五中利用湿法刻蚀的方法去除裸露的所述刻蚀停止层。
20、优选地，步骤六中利用湿法刻蚀的方法去除所述裸露的所述第一硅化物阻挡层。
21、如上所述，本专利技术的硅化物阻挡层的制作方法，具有以下有益效果：
22、本专利技术通过硅化物阻挡层结构的改变，可以在不牺牲由工艺导致器件尺寸增大的前提下，较好的整合不同的器件。
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1.一种硅化物阻挡层的制作方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的硅化物阻挡层的制作方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(SOI)衬底。
3.根据权利要求1所述的硅化物阻挡层的制作方法，其特征在于：步骤一中的所述器件区包括COMS、LDMOS和OTP器件区中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的硅化物阻挡层的制作方法，其特征在于：步骤二中的所述第一、二硅化物阻挡层的材料为二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的硅化物阻挡层的制作方法，其特征在于：步骤二中的所述第一硅化物阻挡层的厚度为125埃。
6.根据权利要求1所述的硅化物阻挡层的制作方法，其特征在于：步骤二中的所述刻蚀停止层的厚度为250埃。
7.根据权利要求1所述的硅化物阻挡层的制作方法，其特征在于：步骤二中的所述第二硅化物阻挡层的厚度为950埃。
8.根据权利要求1所述的硅化物阻挡层的制作方法，其特征在于：步骤二中的所述刻蚀停止层的材料为氮化硅。
9.根据权利要求3所述的硅化物阻挡层的制作
10.根据权利要求1所述的硅化物阻挡层的制作方法，其特征在于：步骤四中的所述刻蚀的方法为湿法刻蚀。
11.根据权利要求10所述的硅化物阻挡层的制作方法，其特征在于：步骤四中利用DHF溶液去除残留的所述第二硅化物阻挡层。
12.根据权利要求1所述的硅化物阻挡层的制作方法，其特征在于：步骤五中利用湿法刻蚀的方法去除裸露的所述刻蚀停止层。
13.根据权利要求1所述的硅化物阻挡层的制作方法，其特征在于：步骤六中利用湿法刻蚀的方法去除所述裸露的所述第一硅化物阻挡层。
...【技术特征摘要】
1.一种硅化物阻挡层的制作方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的硅化物阻挡层的制作方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。
3.根据权利要求1所述的硅化物阻挡层的制作方法，其特征在于：步骤一中的所述器件区包括coms、ldmos和otp器件区中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的硅化物阻挡层的制作方法，其特征在于：步骤二中的所述第一、二硅化物阻挡层的材料为二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的硅化物阻挡层的制作方法，其特征在于：步骤二中的所述第一硅化物阻挡层的厚度为125埃。
6.根据权利要求1所述的硅化物阻挡层的制作方法，其特征在于：步骤二中的所述刻蚀停止层的厚度为250埃。
7.根据权利要求1所述的硅化物阻挡层的制作方法，其特征在于：步骤二...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱园园，方明旭，陈华伦，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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