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本发明提供一种硅化物阻挡层的制作方法，提供衬底，在衬底上具有多个器件区，各器件区上形成有栅极，部分栅极的间距小于目标值；在衬底上形成覆盖栅极的第一硅化物阻挡层，第一硅化物阻挡层为第一厚度，在第一硅化物阻挡层上形成刻蚀停止层，在刻蚀停止层上形...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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