【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光刻工艺，具体涉及一种提高套刻量测精度的方法和系统。
技术介绍
1、随着半导体ic工艺先进制程节点的发展，对光刻工艺中的套刻对准误差的测量要求也越来越高。光刻工艺的套刻对准误差包括光学测量工具引起的偏差tis和晶圆缺陷引起的量测误差wis。为解决上述偏差通常可以使用tis校正和离焦测量等方法，但tis校正并不能消除wis的影响，也无法消除tis和wis间相互作用的影响，离焦测量则意味这目标对比度的下降，量测准确性降低。
2、现有技术中还公开了一种套刻量测的方法：
3、1.通过白光干涉聚焦，确定基础焦面。
4、2.在基础焦面的基础上设置候选焦面，设置候选焦面数量和间隔。
5、3.执行测试，移动到第一个shot(曝光区域)中的mark(套刻标记)处，执行干涉聚焦，在基础焦面的基础上移动z轴至第一个候选焦面处，执行量测，然后移动到第二个候选焦面处，如此直至完成该mark所有候选焦面的量测，然后移动至下一个shot的mark位置，重复上述流程。
6、4.完成wafe...
【技术保护点】
1.一种提高套刻量测精度的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试参数包括基础焦面位置、候选焦面数量、候选焦面间隔、候选光源、测试循环次数中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取比对结果，根据所述比对结果选择对应的聚焦流程测试方法包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述单聚焦流程测试方法包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述双聚焦流程测试方法包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设置测试参数，并根据所...
【技术特征摘要】
1.一种提高套刻量测精度的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试参数包括基础焦面位置、候选焦面数量、候选焦面间隔、候选光源、测试循环次数中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取比对结果，根据所述比对结果选择对应的聚焦流程测试方法包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述单聚焦流程测试方法包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述双聚焦流程测试方法包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设置测试参数，并根据所述测试参数和所述聚焦流程测...
【专利技术属性】
技术研发人员：张奇，王志文，
申请(专利权)人：魅杰光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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