【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种曝光环境检测方法、装置、系统、计算机设备、计算机可读存储介质以及计算机程序产品。
技术介绍
1、光刻工艺为半导体制程中的重要工艺。在光刻工艺过程中，通过光罩作用，将图形制作在晶圆上。在光刻工艺过程中，将光罩由外部光罩存放区放入曝光机台内。并且，一次曝光完成后，并不会直接将光罩退出，而是会将其放在机台光罩存放区中备用。
2、然而，曝光机台使用过程中，会不间断地将不同光罩或者代加工产品从外部装载进入机台内部，从而使得机台内部环境十分复杂。此时，位于曝光机台内的光罩上极有可能落有杂质颗粒，从而可能造成曝光异常。
3、当前处理方式是在曝光完成后，在光罩下机台时会对其进行检测。当检测到异常后会自动将该光罩曝光的批次进行批号锁定。但此时异常已发生，从而会造成良率损失。
技术实现思路
1、基于此，本申请实施例中提供一种曝光环境检测方法、装置、系统、计算机设备、计算机可读存储介质以及计算机程序产品。本申请实施例可以有效降低因曝光异常而造成的良率损失。
2、一种曝光环境检测方法，包括：
3、获取位于目标曝光机台内的处于备用状态的光罩检测样本；
4、控制所述目标曝光机台对所述光罩检测样本进行检测；
5、根据所述检测结果，判断所述目标曝光机台内部环境是否异常。
6、在其中一个实施例中，
7、控制所述目标曝光机台对所述光罩检测样本进行检测，包括：
8、控制所述目标曝光
9、根据所述检测结果，判断所述目标曝光机台内部环境是否异常，包括：
10、根据光罩检测样本上的杂质颗粒的颗粒尺寸，判断目标曝光机台内部环境是否异常。
11、在其中一个实施例中，
12、所述控制所述目标曝光机台对光罩检测样本上的杂质颗粒的颗粒尺寸进行检测，包括：
13、控制对所述光罩检测样本上的多个检测区域内的杂质颗粒的颗粒尺寸进行检测；
14、所述根据光罩检测样本上的杂质颗粒的颗粒尺寸，判断光罩检测样本是否异常，包括：
15、获取目标检测区域；
16、判断目标检测区域内是否存在大于预设尺寸的杂质颗粒，或者，判断目标检测区域内大于预设尺寸的杂质颗粒的数量是否大于第一阈值；
17、若是，则判定光罩检测样本异常；
18、否则，判定该检测区域正常；
19、当所有检测区域均正常时，则判定光罩检测样本正常。
20、在其中一个实施例中，
21、所述控制所述目标曝光机台对光罩检测样本上的杂质颗粒的颗粒尺寸进行检测，包括：
22、控制对所述光罩检测样本上的多个检测区域内的杂质颗粒的颗粒尺寸进行检测；
23、所述根据光罩检测样本上的杂质颗粒的颗粒尺寸，判断光罩检测样本是否异常，包括：
24、获取目标检测区域；
25、判断目标检测区域内是否存在大于预设尺寸的杂质颗粒，或者，判断目标检测区域内大于预设尺寸的杂质颗粒的数量是否大于第一阈值；
26、若是，则判定该检测区域异常；
27、否则，判定该检测区域正常；
28、根据各检测区域的异常情况，可以判断存在异常的检测区域数量是否大于第二阈值；
29、若是，则判定光罩检测样本异常；
30、否则，判定光罩检测样本正常。
31、在其中一个实施例中，
32、所述控制所述目标曝光机台对光罩检测样本上的杂质颗粒的颗粒尺寸进行检测，包括：
33、控制对所述光罩检测样本上的一个检测区域内的杂质颗粒的颗粒尺寸进行检测；
34、所述根据光罩检测样本上的杂质颗粒的颗粒尺寸，判断光罩检测样本是否异常，包括：
35、判断所述检测区域内是否存在大于预设尺寸的杂质颗粒，或者，判断所述检测区域内大于预设尺寸的杂质颗粒的数量是否大于第一阈值；
36、若是，判定光罩检测样本异常；
37、否则，判定光罩检测样本正常。
38、在其中一个实施例中，
39、所述控制所述目标曝光机台对光罩检测样本上的杂质颗粒的颗粒尺寸进行检测，包括：
40、控制对整个光罩检测样本上的杂质颗粒的颗粒尺寸进行检测；
41、所述根据光罩检测样本上的杂质颗粒的颗粒尺寸，判断光罩检测样本是否异常，包括：
42、判断整个光罩检测样本上是否存在大于预设尺寸的杂质颗粒，或者，判断整个光罩检测样本上大于预设尺寸的杂质颗粒的数量是否大于第三阈值；
43、若是，判定光罩检测样本异常；
44、否则，判定光罩检测样本正常。
45、在其中一个实施例中，所述获取位于所述目标曝光机台内的处于备用状态的光罩检测样本，包括：
46、获取所述目标曝光机台内的各光罩的光罩信息，所述光罩信息包括使用状态以及上机时间；
47、在使用状态为备用状态的光罩中，选取上机时间最早的光罩作为所述光罩检测样本。
48、在其中一个实施例中，
49、所述获取位于目标曝光机台内的处于备用状态的光罩检测样本，包括：
50、获取多个处于备用状态的所述光罩检测样本；
51、所述控制所述目标曝光机台对所述光罩检测样本进行检测，包括：
52、控制所述目标曝光机台对各个光罩检测样本均进行检测；
53、所述根据所述检测结果，判断所述目标曝光机台内部环境是否异常，包括：
54、根据多个所述光罩检测样本的检测结果，判断所述目标曝光机台内部环境是否异常。
55、在其中一个实施例中，所述获取位于目标曝光机台内的处于备用状态的光罩检测样本之前，还包括：
56、在多个曝光机台中，选择其中一个作为目标曝光机台，以对多个曝光机台进行周期性循环检测。
57、在其中一个实施例中，所述根据所述检测结果，判断所述目标曝光机台内部环境是否异常之后，还包括：
58、当目标曝光机台内部环境无异常时，记录检测历史；
59、当目标曝光机台内部环境异常时，控制发出报警信息，且暂停所述目标曝光机台作业。
60、在其中一个实施例中，所述当目标曝光机台内部环境异常时，控制发出报警信息，且暂停所述目标曝光机台作业之后，还包括：
61、获取机台作业指令；
62、根据机台作业指令，判断目标曝光机台是否继续作业；
63、根据判断结果，控制所述目标曝光机台停机或者作业。
64、在其中一个实施例中，所述根据机台作业指令，判断目标曝光机台是否继续作业之后，包括：
65、记录检测历史。
66、一种曝光环境检测装置，包括：
67、获取模块，用于获取位于目标曝光本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种曝光环境检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
6.根据权利要求2所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的曝光环境检测方法，其特征在于，所述获取位于所述目标曝光机台内的处于备用状态的光罩检测样本，包括：
8.根据权利要求1所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的曝光环境检测方法，其特征在于，所述获取位于目标曝光机台内的处于备用状态的光罩检测样本之前，还包括：
10.根据权利要求1所述的曝光环境检测方法，其特征在于，所述根据所述检测结果，判断所述目标曝光机台内部环境是否异常之后，还包括：
11.根据权利要求10所述的曝光环境检测方法，其特征在于，所述当目标曝光机台内部环境异常时，控制发出报警信息，且暂停
12.根据权利要求11所述的曝光环境检测方法，其特征在于，所述根据机台作业指令，判断目标曝光机台是否继续作业之后，包括：
13.一种曝光环境检测装置，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的曝光环境检测装置，其特征在于，所述曝光环境检测装置还包括：
15.根据权利要求13所述的曝光环境检测装置，其特征在于，所述曝光环境检测装置还包括：
16.一种曝光环境检测系统，其特征在于，包括：
17.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至12中任一项所述的方法的步骤。
18.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至12中任一项所述的方法的步骤。
19.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至12中任一项所述的方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种曝光环境检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
6.根据权利要求2所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的曝光环境检测方法，其特征在于，所述获取位于所述目标曝光机台内的处于备用状态的光罩检测样本，包括：
8.根据权利要求1所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的曝光环境检测方法，其特征在于，所述获取位于目标曝光机台内的处于备用状态的光罩检测样本之前，还包括：
10.根据权利要求1所述的曝光环境检测方法，其特征在于，所述根据所述检测结果，判断所述目标曝光机台内部环境是否异常之后，还包括：
11.根据权利要求10所述的曝光环境检测方法，其特征在于，所述当目标曝光机台内部环境异常时，控制...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯力华，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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