【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种曝光环境检测方法、装置、系统、计算机设备、计算机可读存储介质以及计算机程序产品。
技术介绍
1、光刻工艺为半导体制程中的重要工艺。在光刻工艺过程中，通过光罩作用，将图形制作在晶圆上。在光刻工艺过程中，将光罩由外部光罩存放区放入曝光机台内。并且，一次曝光完成后，并不会直接将光罩退出，而是会将其放在机台光罩存放区中备用。
2、然而，曝光机台使用过程中，会不间断地将不同光罩或者代加工产品从外部装载进入机台内部，从而使得机台内部环境十分复杂。此时，位于曝光机台内的光罩上极有可能落有杂质颗粒，从而可能造成曝光异常。
3、当前处理方式是在曝光完成后，在光罩下机台时会对其进行检测。当检测到异常后会自动将该光罩曝光的批次进行批号锁定。但此时异常已发生，从而会造成良率损失。
技术实现思路
1、基于此，本申请实施例中提供一种曝光环境检测方法、装置、系统、计算机设备、计算机可读存储介质以及计算机程序产品。本申请实施例可以有效降低因曝光异常而造成的良率损失。
2、一本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种曝光环境检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
6.根据权利要求2所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的曝光环境检测方法，其特征在于，所述获取位于所述目标曝光机台内的处于备用状态的光罩检测样本，包括：
8.根据权利要求1所述的曝光环境检测方法，
...【技术特征摘要】
1.一种曝光环境检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
6.根据权利要求2所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的曝光环境检测方法，其特征在于，所述获取位于所述目标曝光机台内的处于备用状态的光罩检测样本，包括：
8.根据权利要求1所述的曝光环境检测方法，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的曝光环境检测方法，其特征在于，所述获取位于目标曝光机台内的处于备用状态的光罩检测样本之前，还包括：
10.根据权利要求1所述的曝光环境检测方法，其特征在于，所述根据所述检测结果，判断所述目标曝光机台内部环境是否异常之后，还包括：
11.根据权利要求10所述的曝光环境检测方法，其特征在于，所述当目标曝光机台内部环境异常时，控制...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯力华，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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