【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及包括具有硅化物层的接触插塞的半导体装置以及用于制造该半导体装置的方法。
技术介绍
1、在制造半导体装置的过程中，通常在接触插塞与多晶硅层之间产生不良电阻。为了降低接触电阻，描述了在多晶硅层与金属层之间形成硅化物层的技术。
技术实现思路
1、本公开的实施例致力于提供一种半导体装置，所述半导体装置包括包含不同的金属硅化物的p型金属-氧化物-半导体(pmos)区域的硅化物层和n型金属-氧化物-半导体(nmos)区域的硅化物层。
2、本公开的实施例致力于提供一种用于制造半导体装置的方法，所述半导体装置包括包含不同金属硅化物的pmos区域的硅化物层和nmos区域的硅化物层。
3、本公开的实施例旨在提供一种半导体装置，其包括包含第一金属硅化物层的pmos区域的接触插塞、包含第二金属硅化物层的nmos区域的接触插塞和单元接触插塞。
4、本公开的实施例致力于提供一种用于制造半导体装置的方法，所述半导体装置包括包含第一金属硅化物的pmos区域的接触插塞、...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一金属硅化物层具有U形横截面，以围绕所述第一接触阻挡层的下部的底表面和侧表面。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二金属硅化物层具有与所述第二接触阻挡层的底表面接触的焊盘形状。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括金属层，所述金属层设置在所述第一金属硅化物层与所述第一接触阻挡层之间，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一金属硅化物层设置为围绕所述金属层的底表面和侧
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【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一金属硅化物层具有u形横截面，以围绕所述第一接触阻挡层的下部的底表面和侧表面。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二金属硅化物层具有与所述第二接触阻挡层的底表面接触的焊盘形状。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括金属层，所述金属层设置在所述第一金属硅化物层与所述第一接触阻挡层之间，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一金属硅化物层设置为围绕所述金属层的底表面和侧表面。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括第三接触插塞结构，所述第三接触插塞结构耦接至所述衬底的第三区域，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二接触阻挡层的下部的侧表面与所述衬底接触。
9.一种半导体装置，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，还包括：
11.根据权利要求9所述的半导体装置，还包括金属层，其设置在所述第一金属硅化物层与所述第一接触阻挡层之间，
12.根据权利要求11所述的半导体装置，
13.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹荣广，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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