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本发明涉及一种半导体装置以及用于制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：在衬底之上的层间电介质层；通过垂直地穿透层间电介质层而耦接至衬底的第一有源区的第一接触插塞结构；以及耦接至衬底的第二有源区的第二接触插塞结构。第一接触插塞结构包括：...
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