本发明专利技术公开了一种超纯硅涂层及其喷涂工艺，包括SiC(碳化硅颗粒)和Si3N4(碳化硅晶体)组成，将所述SiC(碳化硅颗粒)、Si3N4(碳化硅晶体)的颗粒通过气相沉积法沉积高温粘合剂用来包覆碳化硅、氮化硅的陶瓷颗粒。该超纯硅涂层及其喷涂工艺，该超纯硅涂层有3％‑7％的孔隙度，再将制备好的超纯硅涂层放入氩气与氧气、氮气与氩气的气氛下，逐步升温，在合理的工艺温度下，氧气与硅及氮气与硅反应得到超纯二氧化硅及氮化硅涂层，同时该涂层的热膨胀系数与硅相似，但硬度、耐磨性与耐高温性要优于纯硅涂层。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及喷涂材料，具体为一种超纯硅涂层及其喷涂工艺。
技术介绍
1、目前的防腐涂层涂料种类繁多，例如金属类表面涂层、墙面涂层以及地面涂层等多种多样，而在陶瓷的表面，一般会通过硅涂层进行涂覆工作，以此来达到对陶瓷表面的硬度、耐磨性与耐高温性进行保证的效果；
2、sic陶瓷的制备方法有多种，如反应烧结法、无压烧结法、热压及热等静压法；
3、无压烧结法通常需要添加一种或多种烧结助剂与碳化硅粉一起进行烧结,一般需要在高温(2000℃以上)进行且烧结过程中制品收缩较大(一般12-18％),容易造成制品变形；
4、热压烧结法通常在2000℃以上的温度和350mpa以上的压力,可以使纯sic热压至致密。但需要选择合适的添加剂如a1,0、b c等来增强烧结,但部件的形状和尺寸会因此受到限制；
5、但是上述的制备方法，在工业的生产过程中，超纯二氧化硅涂层与超纯氮化硅涂层由于工艺路线长纯度很难保证，由此便需要一种可以在进行长路线加工的时候，也可以对涂层的纯度进行保护的一种喷涂方法。
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【技术保护点】
1.一种超纯硅涂层，包括SiC(碳化硅颗粒)和Si3N4(碳化硅晶体)组成，其特征在于，将所述SiC(碳化硅颗粒)、Si3N4(碳化硅晶体)的颗粒通过气相沉积法沉积高温粘合剂用来包覆碳化硅、氮化硅的陶瓷颗粒。
2.根据权利要求1所述的一种超纯硅涂层，其特征在于：所述高温粘合剂的熔点低于SiC(碳化硅颗粒)和Si3N4(碳化硅晶体)陶瓷升华温度200℃。
3.根据权利要求1所述的一种超纯硅涂层的喷涂工艺，其特征在于：包括如下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种超纯硅涂层的喷涂工艺，其特征在于：所述惰性气体可以为氩气或者氮气中的任何一种，在放电电场的作用下...
【技术特征摘要】
1.一种超纯硅涂层，包括sic(碳化硅颗粒)和si3n4(碳化硅晶体)组成，其特征在于，将所述sic(碳化硅颗粒)、si3n4(碳化硅晶体)的颗粒通过气相沉积法沉积高温粘合剂用来包覆碳化硅、氮化硅的陶瓷颗粒。
2.根据权利要求1所述的一种超纯硅涂层，其特征在于：所述高温粘合剂的熔点低于sic(碳化硅颗粒)和si3n4(碳化硅晶体)陶瓷升华温度200℃。
3.根据权利要求1所述的一种超纯硅涂层的喷涂工艺，其特征在于：包...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹向阳，
申请(专利权)人：咸阳新兴利莱激光智能装备制造产业发展有限公司，
类型：发明
国别省市：
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