【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及控制,具体而言,涉及一种偏压控制系统、方法、电子设备及激光雷达。
技术介绍
1、硅光电倍增管(sipm,silicon photomultiplie)是一种新型的光电探测器件,由多个相互并联且工作在盖革模式的相互并联的像素阵列构成,每个像素阵列由光电二极管和淬灭电阻串联组成。sipm是对偏压高度敏感的器件,当sipm处于工作状态时,偏压每增加1v,sipm的增益(当像素阵列探测到一个光子时,sipm输出的电荷量与单个电子电荷量的比值)会增加50000个单位。
2、目前,激光雷达的接收器中通常使用到sipm:在对近处测距时,给sipm提供较小的偏压,保证近处的强反射光不会让sipm进入饱和和过饱和的状态;在对远处测距时,提供给sipm较大的偏压,保证sipm有足够的增益能捕获到远处的弱反射光,以获得较远的测距量程。然而,输入sipm的偏压信号容易受温漂、器件差异性等因素的干扰,准确度低,导致激光雷达的测量效果差。
技术实现思路
1、有鉴于此,本专利技术的目的在于提供
...【技术保护点】
1.一种偏压控制系统,其特征在于,包括监测模块、偏压控制模块、电源模块和控制处理模块;
2.根据权利要求1所述的偏压控制系统,其特征在于,所述采样关键点的信息包括采样时刻和所述采样时刻对应的采样电压;
3.根据权利要求1所述的偏压控制系统,其特征在于,所述监测模块至少为两个,所述偏压控制系统还包括基准输出模块,所述控制处理模块的基准控制端与所述基准输出模块的控制端连接,所述基准输出模块的电压控制端与所述电源模块的输入端连接,所述基准输出模块的基准输出端与所述监测模块的基准输入端一对一连接;
4.根据权利要求3所述的偏压控制系统,其特
...【技术特征摘要】
1.一种偏压控制系统,其特征在于,包括监测模块、偏压控制模块、电源模块和控制处理模块;
2.根据权利要求1所述的偏压控制系统,其特征在于,所述采样关键点的信息包括采样时刻和所述采样时刻对应的采样电压;
3.根据权利要求1所述的偏压控制系统,其特征在于,所述监测模块至少为两个,所述偏压控制系统还包括基准输出模块,所述控制处理模块的基准控制端与所述基准输出模块的控制端连接,所述基准输出模块的电压控制端与所述电源模块的输入端连接,所述基准输出模块的基准输出端与所述监测模块的基准输入端一对一连接;
4.根据权利要求3所述的偏压控制系统,其特征在于,每个所述监测模块包括比较器和tdc单元,所述比较器的第一输入端与所述光电探测器的输入端连接,所述比较器的第二输入端与所述基准输出模块的基准输出端连接,所述比较器的输出端与所述tdc单元的输入端连接,所述tdc单元的输出端与所述控制处理模块的输入端连接;
5.根据权利要求4所述的偏压控制系统,其特征在于,当所述触发控制信号为指示下降沿起始时刻的信号时,所述基准值为标准偏压曲线的一个下降沿的多个时刻的电压值,所述比较器的第一输入端为正端,所述比较器的第二输入端为负端;
6.根据权利要求4所述的偏压控制系统,其特征在于,当所述触发控制信号为指示上升沿起始时刻的信号时,所述基准值为标准偏压曲线的一个上升沿的多个时刻的电压值,所述比较器的第一输入端为...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨子龙,梁宁忠,张弛,
申请(专利权)人:深圳北醒科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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