具有均匀沟道长度的碳化硅功率半导体器件及其制造方法技术

公开了具有均匀沟道长度的碳化硅功率半导体器件及其制造方法。该功率半导体器件包括：第一导电型的漂移区域；多个第二导电型的主体区域，在水平方向上以预设间隔宽度W<subgt;S</subgt;相互间隔开地形成在漂移区域的上部区域中；第一导电型的JEFT区域和第一导电型的低电阻区域，形成在相邻的主体区域之间的分隔空间中，使得它们的侧表面与相邻的主体区域接触；以及第一导电型的源极区域，形成在与低电阻区域接触的主体区域中的表面区域中使得与低电阻区域间隔开预设沟道长度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有均匀沟道长度的碳化硅功率半导体器件及其制造方法。

技术介绍

1、功率半导体器件，例如igbt(绝缘栅极双极型晶体管)、功率mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)和各种类型的晶闸管，是电力电子领域中的重要元件，功率半导体器件正在被开发以满足各种工业领域和汽车应用中的各种需求(例如，高击穿电压、低传导损耗、高开关速度、低开关损耗等)。

2、作为用于制造功率半导体器件的材料，由于碳化硅(sic)具有与硅(si)相比10倍的最大临界电场和3倍的能带间隙，因此制造具有高击穿电压(bv)的优异功率半导体器件是有优势的。由于这个原因，正在进行对工艺或结构的各种研究，以实现sic功率半导体器件。

3、图1是根据现有技术的碳化硅功率mosfet的剖视图。

4、参考图1，碳化硅功率mosfet是用半导体基板制造的，该半导体基板是在n+导电型碳化硅半导体基板50上形成的外延生长的n-导电型漂移区域20。在半导体基板的表面区域上形成mos结构。

5、在形成有mos结构的半导体基板的表面区域中，形成多个p导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述漂移区域在第一导电型的碳化硅基板上外延生长。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，重叠长度OL1和重叠长度OL2中的每一个是0到预设的极限值的范围内的值，

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述主体区域是通过Al离子注入而形成的。

5.根据权利要求1的功率半导体器件，其中，所述源极区域和所述低电阻区域通过氮(N)和磷(Ph)中的至少一者的离子注入而形成。

6.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述JEFT区域是通过在从...

【技术特征摘要】

1.一种功率半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述漂移区域在第一导电型的碳化硅基板上外延生长。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，重叠长度ol1和重叠长度ol2中的每一个是0到预设的极限值的范围内的值，

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述主体区域是通过al离子注入而形成的。

5.根据权利要求1的功率半导体器件，其中，所述源极区域和所述低电阻区域通过氮(n)和磷(ph)中的至少一者的离子注入而形成。

6.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述jeft区域是通过在从所述低电阻区域的底部深度到所述主体区域的底部深度的中间位置处以1e12/cm2以上且小于1e13/cm2的剂量注入第一导电型离子而形成的。

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【专利技术属性】
技术研发人员：吴侊勋，郑镇荣，金秀圣，
申请(专利权)人：特瑞诺科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：