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公开了具有均匀沟道长度的碳化硅功率半导体器件及其制造方法。该功率半导体器件包括：第一导电型的漂移区域；多个第二导电型的主体区域，在水平方向上以预设间隔宽度W<subgt;S</subgt;相互间隔开地形成在漂移区域的上部区域中；...
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