【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体晶体生长设备领域，尤其涉及一种碳化硅长晶用的坩埚及晶体生长装置。
技术介绍
1、碳化硅是当前第三代半导体材料中最有代表意义的一种单晶化合物，作为宽禁带半导体的“佼佼者”，相比于硅基功率半导体，它拥有更大的禁带宽度、更高的临界击穿电场、更好的导热性能和更高的载流子饱和迁移速度，在开关频率、损耗、散热、小型化方面存在明显优势，因此在高温、高频、大功率、 微电子器件等方面具有巨大的应用潜力。近些年随着在光伏、充电桩、风能，尤其是电动汽车领域越来越大规模的应用，碳化硅成为半导体材料领域最有前景的材料之一。
2、较为流行的碳化硅制备方法物理气相输运法（physical vapor transport，pvt），该方法中，一般将碳化硅粉料放置与石墨坩埚的底部，石墨坩埚顶部有籽晶盖，碳化硅籽晶就固定在籽晶盖的下方，石墨坩埚置于石墨桶中，石墨桶包裹保温碳毡，整体置于中频感应线圈的腔体内，线圈通电后，石墨桶切割磁力线在涡流作用下产生热量，其作为发热体对内部的坩埚进行加热。通过调整线圈位置和保温毡，使得sic原料处于高温区而...
【技术保护点】
1.一种碳化硅长晶用的坩埚，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶用的坩埚，其特征在于，所述环槽由第一槽面和第二槽面构成，所述第一槽面、所述第二槽面、所述籽晶盖和所述石墨环的围合区域以共同形成沉晶空间。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶用的坩埚，其特征在于，所述第一空隙和所述第二空隙为0.2-2mm。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶用的坩埚，其特征在于，所述石墨环的内壁还设有凸起平台，所述凸起平台的一侧与所述导流环的第一端相靠。
5.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶用的坩埚，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅长晶用的坩埚，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶用的坩埚，其特征在于，所述环槽由第一槽面和第二槽面构成，所述第一槽面、所述第二槽面、所述籽晶盖和所述石墨环的围合区域以共同形成沉晶空间。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶用的坩埚，其特征在于，所述第一空隙和所述第二空隙为0.2-2mm。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶用的坩埚，其特征在于，所述石墨环的内壁还设有凸起平台，所述凸起平台的一侧与所述导流环的第一端相靠。
5.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶用的坩埚，其特征在于，所述石墨桶的腔室内壁形成有金属材料或金属氧化物材料所形成的隔离层，所述隔离层用于防止所述石墨...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚永兴，周林，
申请(专利权)人：深圳市国碳半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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