【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅晶体领域，尤其是涉及一种碳化硅晶体的生长装置。
技术介绍
1、物理气相传输法(physical vapor transport，简称pvt)作为最常用的碳化硅晶体的生长工艺，主要是通过对碳化硅粉末进行加热使其升华成碳化硅气体，并借助温度梯度使碳化硅气体向籽晶移动，且于籽晶表面沉积、生长，以此获得碳化硅晶体。
2、目前，现有采用pvt法生长碳化硅晶体的生长装置内大都仅设有一个生长坩埚，长晶开始至结束的时间一般为7-10天，一次只能生长出一个晶体，长晶效率极低。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术在于提出一种碳化硅晶体的生长装置，不仅能够同时进行多个晶体的生长，提高长晶效率；而且可控制长晶速度，提高长晶质量。
2、根据本专利技术实施例中碳化硅晶体的生长装置，包括：
3、生长坩埚，所述生长坩埚限定出第一容纳腔，所述生长坩埚的侧壁上设有多个沿其周向方向布置的籽晶；
4、送气组件，所述送气组件设于所述第一容纳腔内，所述送气组件限定出原料腔；所述送气组件的侧壁上设有连通所述原料腔和所述第一容纳腔的气流通道；
5、加热组件，所述加热组件设于所述原料腔内，用于对所述原料腔内的碳化硅粉末进行加热。
6、根据本专利技术实施例中碳化硅晶体的生长装置，通过将加热组件置于送气组件的内部，生长坩埚置于送气组件的外部，当加热组件工作时，可形成由内至外温度逐渐递减的温度梯
7、在本专利技术的一些实施例中，所述送气组件包括：
8、外转筒，所述外转筒设于所述第一容纳腔内，所述外转筒限定出第二容纳腔，所述外转筒的侧壁上设有连通所述第二容纳腔和所述第一容纳腔的外气孔；
9、内转筒，所述内转筒设于所述第二容纳腔内，所述原料腔形成于所述内转筒内，所述内转筒的侧壁上设有连通所述原料腔和所述第二容纳腔的内气孔；
10、其中，所述外气孔的孔径小于所述内气孔的孔径；所述内转筒和所述外转筒同轴布置，所述内转筒和所述外转筒共同限定出气体过滤区。
11、在本专利技术的一些实施例中，所述内气孔有规则的排列在所述内转筒的侧壁上，位于所述内转筒侧壁上段和下段的内气孔均沿垂直于所述内转筒的侧壁的方向布置；位于所述内转筒侧壁中段的内气孔以向外倾斜的方式布置，且位于所述内转筒侧壁中段上部的内气孔和位于所述内转筒侧壁中段下部的内气孔关于所述内转筒的中心水平面对称；
12、所述外气孔有规则的排列在所述外转筒的侧壁上，位于所述外转筒侧壁中段的外气孔沿垂直于所述外转筒的侧壁的方向布置；位于所述外转筒侧壁上段和下段的外气孔以向内倾斜的方式布置，且位于所述外转筒侧壁上段的外气孔和位于所述外转筒侧壁下段的外气孔关于所述外转筒的中心水平面对称；
13、其中，所述内转筒侧壁中段的内气孔的孔道延长线落在所述外转筒侧壁的上段和下段。
14、在本专利技术的一些实施例中，所述外转筒侧壁上段、下段的外气孔中位于最外层的外气孔的孔道延长线与所述籽晶相应侧的边缘相接，或落在籽晶的区域内。
15、在本专利技术的一些实施例中，所述内转筒内所述加热组件的外部设有蜂窝状盛放件或多个水平布置的隔板。
16、在本专利技术的一些实施例中，所述外转筒能转动地安装在所述生长坩埚上，所述内转筒能转动地安装在所述外转筒内。
17、在本专利技术的一些实施例中，所述外转筒包括：
18、外转筒本体，所述外转筒本体限定出底部敞开的第二容纳腔，所述外转筒本体内靠近其顶部的位置设有水平布置的限位板；
19、外转筒盖，所述外转筒盖设于所述外转筒本体的底部；
20、其中，所述外气孔设于所述外转筒本体的侧壁上，所述内转筒安装在所述外转筒盖上。
21、在本专利技术的一些实施例中，所述内转筒包括：
22、内转筒本体，所述内转筒本体限定出顶部敞开的原料腔；
23、内转筒盖，所述内转筒盖设于所述内转筒本体的顶部；
24、其中，所述内气孔设于所述内转筒本体的侧壁上；所述加热组件设于所述内转筒本体内，且与所述内转筒本体同轴布置。
25、在本专利技术的一些实施例中，所述生长坩埚内任意两个相邻的所述籽晶之间均设有加热器。
26、在本专利技术的一些实施例中，所述生长坩埚内部的垂直高度与所述加热组件的高度相等。
27、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
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1.一种碳化硅晶体的生长装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体的生长装置，其特征在于，所述送气组件包括：
3.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶体的生长装置，其特征在于，所述内气孔有规则的排列在所述内转筒的侧壁上，位于所述内转筒侧壁上段和下段的内气孔均沿垂直于所述内转筒的侧壁的方向布置；位于所述内转筒侧壁中段的内气孔以向外倾斜的方式布置，且位于所述内转筒侧壁中段上部的内气孔和位于所述内转筒侧壁中段下部的内气孔关于所述内转筒的中心水平面对称；
4.根据权利要求3所述的一种碳化硅晶体的生长装置，其特征在于，所述外转筒侧壁上段、下段的外气孔中位于最外层的外气孔的孔道延长线与所述籽晶相应侧的边缘相接或落在籽晶的区域内。
5.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶体的生长装置，其特征在于，所述内转筒内所述加热组件的外部设有蜂窝状盛放件或多个水平布置的隔板。
6.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶体的生长装置，其特征在于，所述外转筒能转动地安装在所述生长坩埚上，所述内转筒能转动地安装在所述外转筒内。
7.
8.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶体的生长装置，其特征在于，所述内转筒包括：
9.根据权利要求1至8中任一项所述的一种碳化硅晶体的生长装置，其特征在于，所述生长坩埚内任意两个相邻的所述籽晶之间均设有加热器。
10.根据权利要求9所述的一种碳化硅晶体的生长装置，其特征在于，所述生长坩埚内部的垂直高度与所述加热组件的高度相等。
...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体的生长装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体的生长装置，其特征在于，所述送气组件包括：
3.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶体的生长装置，其特征在于，所述内气孔有规则的排列在所述内转筒的侧壁上，位于所述内转筒侧壁上段和下段的内气孔均沿垂直于所述内转筒的侧壁的方向布置；位于所述内转筒侧壁中段的内气孔以向外倾斜的方式布置，且位于所述内转筒侧壁中段上部的内气孔和位于所述内转筒侧壁中段下部的内气孔关于所述内转筒的中心水平面对称；
4.根据权利要求3所述的一种碳化硅晶体的生长装置，其特征在于，所述外转筒侧壁上段、下段的外气孔中位于最外层的外气孔的孔道延长线与所述籽晶相应侧的边缘相接或落在籽晶的区域内。
5.根据权利要求2所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：李远田，吴建，
申请(专利权)人：江苏集芯先进材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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