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本发明公开了一种碳化硅长晶用的坩埚及晶体生长装置，坩埚包括石墨桶、石墨环和导流环，其中，石墨环的一面用于盖合石墨桶的开口，另一面设有籽晶盖，籽晶盖位于腔室内的一面形成有用于晶体生长的籽晶；导流环的第一端外缘与石墨环的内壁贴合，第二端开设有环...
该专利属于深圳市国碳半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市国碳半导体科技有限公司授权不得商用。

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