一种环保碳化硅衬底回收的方法技术

本发明专利技术涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种环保碳化硅衬底回收的方法，包括：S1、收集废弃碳化硅衬底，S2、清洗和去除杂质，S3、生物降解，S4、离子液体提取，S5、分离和回收和S6、检测和测试；本发明专利技术通过收集废弃碳化硅衬底，对收集后的碳化硅衬底经过清洗和去杂，利用微生物或酶来降解碳化硅衬底中的有机物质，使用离子液体作为选择性的提取剂，采用生物降解和离子液体提取方法可以有效减少碳化硅衬底中的有机污染物，减少废弃物的产生，从而降低对环境的污染，对比化学处理费用，生物降解和离子液体提取可以减少废弃物处理成本，而碳化硅生产是一个能耗高的过程，通过回收和再利用碳化硅衬底，可以减少新碳化硅的需求，从而减少能源消耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体材料，具体涉及一种环保碳化硅衬底回收的方法。

技术介绍

1、半导体材料氮化镓(gan)因具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿所需场强高、导热性能好等特点，已经成为目前的研究热点。在电子器件方面，氮化镓材料比硅和砷化镓更适合于制造高温、高频、高压和大功率器件，因此氮化镓基电子器件具有很好的应用前景，由于gan同质衬底的匮乏，制作gan基的光电器件和功率器件均需要在异质衬底上外延生长gan基材料。碳化硅(sic)、蓝宝石(sapphire)和硅(si)均是常用的衬底材料，相比于蓝宝石和硅衬底，碳化硅衬底具有更高的热导率、与gan之间具有更小的晶格失配的特点，因此碳化硅衬底是gan基大功率光电器件和功率器件的首选衬底。但受sic体单晶的制造工艺所限，目前相同尺寸的碳化硅衬底的成本远高于sapphire衬底和si衬底。在外延生产中，受工艺、设备、人员等因素，不可避免的会产生不良品，这些不合格的外延片往往会被直接报废处理，如果将这些报废的外延片回收，使用一定的方法去除表面的gan外延层，留下碳化硅衬底，可实现碳化硅衬底的重复使用，降低生产成本本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种环保碳化硅衬底回收的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种环保碳化硅衬底回收的方法，其特征在于：所述清洗包括溶剂清洗和超声波清洗，所述溶剂包括丙酮、异丙醇、石油醚、甲苯、二甲苯、氯仿、丙酮氰和乙醚中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的一种环保碳化硅衬底回收的方法，其特征在于：所述微生物包括假单胞菌或芽孢杆菌。

4.根据权利要求1所述的一种环保碳化硅衬底回收的方法，其特征在于：所述酶包括脂肪酶、蛋白酶、纤维素酶、氧化酶和脱氢酶中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的一种环保碳化硅衬底回收的方法，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种环保碳化硅衬底回收的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种环保碳化硅衬底回收的方法，其特征在于：所述清洗包括溶剂清洗和超声波清洗，所述溶剂包括丙酮、异丙醇、石油醚、甲苯、二甲苯、氯仿、丙酮氰和乙醚中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的一种环保碳化硅衬底回收的方法，其特征在于：所述微生物包括假单胞菌或芽孢杆菌。

4.根据权利要求1所述的一种环保碳化硅衬底回收...

【专利技术属性】
技术研发人员：张梦龙，柯茜，李京波，王琨强，王小周，黄东园，袁书文，
申请(专利权)人：浙江芯科半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：