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本发明涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种环保碳化硅衬底回收的方法，包括：S1、收集废弃碳化硅衬底，S2、清洗和去除杂质，S3、生物降解，S4、离子液体提取，S5、分离和回收和S6、检测和测试；本发明通过收集废弃碳化硅衬底，对收集后的碳化...
该专利属于浙江芯科半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江芯科半导体有限公司授权不得商用。

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