一种巨量转移方法技术

本发明专利技术涉及一种巨量转移方法，所述巨量转移方法包括如下步骤：(1)将设置有器件的基底与第一衬底进行临时键合；(2)将所述器件和基底进行激光剥离；(3)将步骤(2)所得的含有器件的第一衬底与第二衬底键合；(4)将步骤(3)所得的元件中的激光释放层和临时键合胶层进行激光解键合，清洗器件表面的临时键合胶层；(5)将步骤(4)所得的含有器件的元件利用激光前推方法和分选，将器件转移至承接基板上，完成所述巨量转移。本发明专利技术所述的巨量转移方法在应用时具有转移精确度高、键合后样品翘曲数值低、产品良率高、耗时短和成本低等优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及led芯片转移，尤其涉及一种巨量转移方法。

技术介绍

1、micro-led是具有广泛应用的新一代显示技术。其主要制备原理为巨量转移技术，现有精准拾取转移、流体自组装转移、激光辅助转移等方式。其中激光辅助的巨量转移相比其他方式具有效率高、精度高、转移误差小等优势，是最可能实现产业化发展的新技术。

2、cn113399822a公开了一种激光辅助原位巨量转移方法及系统，主要包括以下内容：利用红外激光波长较长，在保证激光能量密度的前提下激光光斑半径较大的特点对生长有micro-led芯片的gan/蓝宝石衬底利用激光振镜进行扫描，将micro-led芯片从该衬底上剥离转移至临时转移结构上；利用超短脉冲激光的“冷加工”效应及多脉冲作用的能量累计原理对临时转移结构，利用激光振镜进行逐点快速扫描，实现将micro-led芯片对目标基板的高速定点巨量转移；采用半反射镜将两种激光引入同一条激光加工光路中，在未被利用激光出光口处设置激光扩束装置。

3、cn115799405a公开了一种巨量转移方法，所述巨量转移方法包括如下步骤：

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种巨量转移方法，其特征在于，所述巨量转移方法包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(1)中，所述临时键合的方法包括在所述器件和激光释放层表面涂覆临时键合胶，分别形成临时键合胶层，键合；

3.根据权利要求1或2所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(1)中，所述第一衬底的制备方法包括在第一基板表面涂覆激光释放材料，固化，形成激光释放层，得到所述第一衬底；

4.根据权利要求1-3任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(2)中，所述激光剥离的烧蚀能量密度为500-1500mJ/cm2。

5.根据权利要求1-...

【技术特征摘要】

1.一种巨量转移方法，其特征在于，所述巨量转移方法包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(1)中，所述临时键合的方法包括在所述器件和激光释放层表面涂覆临时键合胶，分别形成临时键合胶层，键合；

3.根据权利要求1或2所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(1)中，所述第一衬底的制备方法包括在第一基板表面涂覆激光释放材料，固化，形成激光释放层，得到所述第一衬底；

4.根据权利要求1-3任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(2)中，所述激光剥离的烧蚀能量密度为500-1500mj/cm2。

5.根据权利要求1-4任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(3)中，所述键合的温度为50-100℃；

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【专利技术属性】
技术研发人员：李硕，黄明起，李涛涛，柳博，梁迪斯，叶振文，
申请(专利权)人：深圳市化讯半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：