【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及led芯片转移，尤其涉及一种巨量转移方法。
技术介绍
1、micro-led是具有广泛应用的新一代显示技术。其主要制备原理为巨量转移技术，现有精准拾取转移、流体自组装转移、激光辅助转移等方式。其中激光辅助的巨量转移相比其他方式具有效率高、精度高、转移误差小等优势，是最可能实现产业化发展的新技术。
2、cn113399822a公开了一种激光辅助原位巨量转移方法及系统，主要包括以下内容：利用红外激光波长较长，在保证激光能量密度的前提下激光光斑半径较大的特点对生长有micro-led芯片的gan/蓝宝石衬底利用激光振镜进行扫描，将micro-led芯片从该衬底上剥离转移至临时转移结构上；利用超短脉冲激光的“冷加工”效应及多脉冲作用的能量累计原理对临时转移结构，利用激光振镜进行逐点快速扫描，实现将micro-led芯片对目标基板的高速定点巨量转移；采用半反射镜将两种激光引入同一条激光加工光路中，在未被利用激光出光口处设置激光扩束装置。
3、cn115799405a公开了一种巨量转移方法，所述巨量转移方法包括如下步骤：
4、(1)将含有至少两个led芯片的外延片与第一衬底进行键合，形成键合对，所述第一衬底的表面由内至外依次设置有激光释放层和临时粘接层；(2)将键合对在激光下照射，剥离外延片，使led芯片转移至所述第一衬底上；(3)将led芯片与设置有激光诱导释放层的第二衬底键合；(4)将激光透过第一衬底，分解激光释放层，剥离第一衬底后除胶，去除临时粘接层和部分激光诱导释放层；(5)激光照射
5、但现有技术存在路线不成熟，键合后样品翘曲数值偏大，转移良率低，严重依赖于激光响应材料性能和激光参数控制的精准匹配等问题。
6、综上，开发一种能克服上述缺陷的巨量转移方法是至关重要的。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种巨量转移方法，所述的巨量转移方法在应用时具有转移精确度高、键合后样品翘曲数值低、产品良率高、耗时短和成本低等优势。
2、为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、本专利技术提供一种巨量转移方法，所述巨量转移方法包括如下步骤：
4、(1)将设置有器件的基底与第一衬底进行临时键合，所述第一衬底包括依次层叠设置的第一基板和激光释放层，所述器件和所述激光释放层之间设置临时键合胶层；
5、(2)将所述器件和基底进行激光剥离；
6、(3)将步骤(2)所得的含有器件的第一衬底与第二衬底键合，所述第二衬底包括依次层叠设置的第二基板和激光诱导释放层，所述器件和所述激光诱导释放层邻接；
7、(4)将步骤(3)所得的元件中的激光释放层和临时键合胶层进行激光解键合，清洗器件表面的临时键合胶层；
8、(5)将步骤(4)所得的含有器件的元件利用激光前推方法和分选，将器件转移至承接基板上，完成所述巨量转移。
9、本专利技术中，所述的巨量转移方法在应用时具有转移精确度高、键合后样品翘曲数值低、产品良率高、耗时短和成本低等优势。
10、优选地，步骤(1)中，所述临时键合的方法包括在所述器件和激光释放层表面涂覆临时键合胶，分别形成临时键合胶层，键合。
11、优选地，所述器件包括led芯片。
12、示例性地，所述led芯片为mini/micro led芯片。
13、示例性地，所述器件和基底之间设置有氮化镓层。
14、示例性地，所述临时键合胶选自深圳市化讯半导体材料有限公司，牌号为wlptb4130。
15、优选地，所述涂覆的方式包括旋涂。
16、优选地，所述旋涂的转速为500-2500rpm，例500rpm、600rpm、800rpm、1000rpm、1200rpm、1400rpm、1600rpm、1800rpm、2000rpm、2200rpm、2400rpm等。
17、优选地，所述旋涂的时间为10-100s，例如20s、40s、60s、80s等。
18、优选地，所述器件表面的临时键合胶层的厚度为40-80μm，例如45μm、50μm、55μm、60μm、65μm、70μm、75μm等。
19、优选地，所述器件表面的临时键合胶层的制备方法包括：在器件表面至少涂覆两次(例如两次、三次、四次等)临时键合胶，形成所述临时键合胶层，进一步优选涂覆两次。
20、传统单面涂厚键合胶具有制程长，胶材膜面厚度均一性(ttv)较差，键合对边缘填充不足，容易与激光释放层分层等不良现象。本专利技术所述方法能实现器件和基板两面键合胶不甩边，解决边缘填充不足的问题，具有ttv更优，制程更短，更易清洗，节约能耗等优势，有助于提升转移良率。
21、优选地，所述涂覆包括旋涂。
22、示例性地，涂覆两次时，第一次涂覆的转速为300-800rpm(例如400rpm、500rpm、600rpm、700rpm等)，时间为15-45s(例如20s、25s、30s、35s、40s等)；第二次涂覆的转速为1500-2000rpm(例如1600rpm、1700rpm、1800rpm、1900rpm等)，时间为30-60s(例如35s、40s、45s、50s、55s等)。
23、优选地，所述涂覆后还包括烘烤。
24、优选地，所述烘烤的温度为200-250℃，例如210℃、220℃、230℃、240℃等。
25、优选地，所述烘烤的时间为10-20min，例如12min、14min、16min、18min等。
26、优选地，所述激光释放层表面的临时键合胶层的厚度为10-20μm，例如12μm、14μm、16μm、18μm等。
27、优选地，所述激光释放层表面的临时键合胶层的制备方法包括在器件表面涂覆临时键合胶，形成所述临时键合胶层。
28、优选地，所述涂覆后还包括烘烤。
29、优选地，所述烘烤的温度为100-120℃，例如105℃、110℃、115℃等。
30、优选地，所述烘烤的时间为5-15min，例如6min、8min、10min、12min、14min等。
31、优选地，所述键合的温度为150-250℃，例如160℃、180℃、200℃、220℃、240℃等。
32、优选地，所述键合的压力为3-8kn，例如3.5kn、4kn、4.5kn、5kn、5.5kn、6kn、6.5kn、7kn、7.5kn等。
33、优选地，所述键合的时间为5-15min，例如6min、8min、10min、12min、14min等。
34、优选地，所述键合后还依次包括降温、撤压和破真空。
35、优选地，所述降温的方式包括气体流制冷。
36、本专利技术中，采本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种巨量转移方法，其特征在于，所述巨量转移方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(1)中，所述临时键合的方法包括在所述器件和激光释放层表面涂覆临时键合胶，分别形成临时键合胶层，键合；
3.根据权利要求1或2所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(1)中，所述第一衬底的制备方法包括在第一基板表面涂覆激光释放材料，固化，形成激光释放层，得到所述第一衬底；
4.根据权利要求1-3任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(2)中，所述激光剥离的烧蚀能量密度为500-1500mJ/cm2。
5.根据权利要求1-4任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(3)中，所述键合的温度为50-100℃；
6.根据权利要求1-5任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(3)中，所述第二衬底的制备方法包括如下步骤：在第二基板表面涂覆激光诱导释放材料，固化，形成激光诱导释放层，得到所述第二衬底；
7.根据权利要求1-6任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(4)中，所述激光解键合的能量密
8.根据权利要求1-7任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(4)中，所述清洗的方法包括先用清洗剂清洗，再冲洗。
9.根据权利要求1-8任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(5)中，所述激光前推方法采用巨量转移设备进行；
10.根据权利要求1-9任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，所述巨量转移方法包括如下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种巨量转移方法，其特征在于，所述巨量转移方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(1)中，所述临时键合的方法包括在所述器件和激光释放层表面涂覆临时键合胶，分别形成临时键合胶层，键合；
3.根据权利要求1或2所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(1)中，所述第一衬底的制备方法包括在第一基板表面涂覆激光释放材料，固化，形成激光释放层，得到所述第一衬底；
4.根据权利要求1-3任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(2)中，所述激光剥离的烧蚀能量密度为500-1500mj/cm2。
5.根据权利要求1-4任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(3)中，所述键合的温度为50-100℃；
...
【专利技术属性】
技术研发人员：李硕，黄明起，李涛涛，柳博，梁迪斯，叶振文，
申请(专利权)人：深圳市化讯半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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