System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法技术_技高网

一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法技术

技术编号:41133386 阅读:7 留言:0更新日期:2024-04-30 18:03
本发明专利技术涉及一种富含硼‑11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法,其包括以下步骤:(1)将三氟化硼原料气和络合剂送入交换系统,进行络合反应与同位素交换反应,得到富含硼‑11的三氟化硼气体与络合物,其中,富含硼‑11的三氟化硼气体从交换系统采出;(2)络合物进入裂解系统,反应得到含三氟化硼的气体;(3)将裂解得到的含三氟化硼的气体送入分离系统,分离得到高纯三氟化硼。与现有技术相比,本发明专利技术降低了低温精馏的压力,从而降低了对设备的要求;同时将两种产品的生产整合入一个工艺中,简化了整体生产工艺;此外,获得的三氟化硼‑11的丰度可达99.9%及以上,高纯三氟化硼的纯度可达99.995%及以上,运行稳定,适合工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于三氟化硼分离提纯,涉及一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法


技术介绍

1、天然硼具有两种稳定同位素硼-10和硼-11,丰度分别为19.8±0.2%和80.2%±0.2%,其中硼-10具有大的热中子吸收截面特性,而硼-11几乎不吸收中子。由于上述特性,高纯三氟化硼-11可以作为p型半导体的离子注入源,用于高端半导体芯片的制备中,其可有效提高芯片的稳定性和可靠性,增加设备运行寿命。近天然丰度高纯三氟化硼也可以作为离子注入源,但因其含有硼-10,无法用于制作先进制程的高端芯片。

2、美国早在上世纪就已经开始硼同位素分离的研究,并成功工业化。国内对该领域的研究起步较晚,虽然已有不少研究结果发表,但直至去年才具备工业化稳定生产硼同位素的能力。在纯化方面,目前国内只有一家企业具备天然丰度高纯三氟化硼的生产能力,暂无企业可以稳定工业化生产高纯三氟化硼-11。

3、中国专利cn106629758公开了一种低温精馏提纯三氟化硼气体的工艺,其将三氟化硼气体通过压缩、液化、低温精馏、充装等步骤,将纯度不低于98%的原料三氟化硼提纯至99.9%~99.99%,精馏塔操作压力为3.0~4.0mpa。中国专利cn113819715公开了一种高纯三氟化硼的低温精馏装置及方法,原料收集罐中的三氟化硼依次经过脱重塔脱除重组分、脱轻塔脱除轻组分后,从脱轻塔底部进入产品收集罐,脱重塔和脱轻塔的塔顶压力为3.0~4.0mpa,三氟化硼原料的纯度为99.5%,经过纯化后产品的纯度可达99.999%。

4、上述两个三氟化硼的纯化方法使用了低温精馏工艺,精馏操作压力较高,对设备要求大;纯化过程中至少需要进行脱轻和脱重两个步骤,较为繁琐。

5、中国专利cn102774845a公开了一种三氟化硼-11的生产方法,三氟化硼原料气和苯甲醚在合成装置中络合形成络合物,由泵将络合物输送到化学交换塔顶部,由裂解装置而来的三氟化硼从化学交换塔底部进入,在15~30℃下通过气液逆流充分接触,较重的硼-11同位素以气体形式在塔顶富集,较轻的硼-10同位素则在塔底液相络合物中富集,最终三氟化硼气体中硼-11的丰度可达99.7%以上。

6、中国专利cn108275691b公开了一种同时生产高浓硼-10三氟化硼和高浓硼-11三氟化硼的方法及装置,其采用多塔级联工艺,以三氟化硼/硝基甲烷或醚类化合物为硼同位素交换工作体系,在塔顶得到富集的硼-11,塔釜得到富集的硼-10。

7、上述两个专利均使用化学交换法分离硼同位素,硼-11与硼-10同位素联产,但这需要较大的理论板,设备多,占地大。另外最主要的,目前高纯三氟化硼与高纯三氟化硼-11为分别生产,暂未有联产的技术。


技术实现思路

1、本专利技术的目的就是为了提供一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法,所获得的三氟化硼-11的丰度可达99.9%及以上,高纯三氟化硼的纯度可达99.995%及以上,运行稳定,适合工业化生产。

2、本专利技术的目的可以通过以下技术方案来实现:

3、一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法,包括以下步骤:

4、(1)将三氟化硼原料气和络合剂送入交换系统,进行络合反应与同位素交换反应,得到富含硼-11的三氟化硼气体与络合物,其中,富含硼-11的三氟化硼气体从交换系统采出;

5、(2)络合物进入裂解系统,反应得到含三氟化硼的气体;

6、(3)将裂解得到的含三氟化硼的气体送入分离系统,分离得到高纯三氟化硼。

7、进一步的,所述三氟化硼原料气中硼-11的丰度为70~95%。

8、进一步的,所述三氟化硼原料气的纯度不低于95%。

9、进一步的,所述交换系统包含至少一个用于提供气液两相逆流接触的交换装置。

10、更进一步的,所述交换装置的操作压力为-10~100kpag,操作温度为0~30℃。

11、进一步的,所述三氟化硼原料气和络合剂的摩尔比为1~1.1:1。

12、进一步的,所述络合剂为苯甲醚。

13、进一步的,所述裂解系统至少包含一个具有加热功能的裂解装置,且裂解装置中的操作温度为150~195℃,操作压力为50~200kpag。

14、进一步的,所述分离系统至少包含一个用于提供气液两相接触的分离装置,以实现对重组分的脱除。

15、更进一步的,用于脱除重组分的分离装置的操作压力为1.5~2.95mpag,操作温度为-50~-25℃。

16、与现有技术相比,本专利技术具有以下优点:

17、(1)通过本方法,可以联产三氟化硼-11与高纯三氟化硼,简化了两个产品的整体生产工艺;

18、(2)通过本方法,三氟化硼-11的丰度可达99.9%及以上,高纯三氟化硼的纯度可达99.995%及以上;

19、(3)本方法运行稳定,对设备制造要求较低,适合工业化生产。

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【技术保护点】

1.一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法,其特征在于,所述三氟化硼原料气中硼-11的丰度为70~95%。

3.根据权利要求1所述的一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法,其特征在于,所述三氟化硼原料气的纯度不低于95%。

4.根据权利要求1所述的一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法,其特征在于,所述交换系统包含至少一个用于提供气液两相逆流接触的交换装置。

5.根据权利要求4所述的一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法,其特征在于,所述交换装置的操作压力为-10~100kPaG,操作温度为0~30℃。

6.根据权利要求1所述的一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法,其特征在于,所述三氟化硼原料气和络合剂的摩尔比为1~1.1:1。

7.根据权利要求1所述的一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法,其特征在于,所述络合剂为苯甲醚。

<p>8.根据权利要求1所述的一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法,其特征在于,所述裂解系统至少包含一个具有加热功能的裂解装置,且裂解装置中的操作温度为150~195℃,操作压力为50~200kPaG。

9.根据权利要求1所述的一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法,其特征在于,所述分离系统至少包含一个用于提供气液两相接触的分离装置,以实现对重组分的脱除。

10.根据权利要求9所述的一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法,其特征在于,用于脱除重组分的分离装置的操作压力为1.5~2.95MpaG,操作温度为-50~-25℃。

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【技术特征摘要】

1.一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法,其特征在于,所述三氟化硼原料气中硼-11的丰度为70~95%。

3.根据权利要求1所述的一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法,其特征在于,所述三氟化硼原料气的纯度不低于95%。

4.根据权利要求1所述的一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法,其特征在于,所述交换系统包含至少一个用于提供气液两相逆流接触的交换装置。

5.根据权利要求4所述的一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的方法,其特征在于,所述交换装置的操作压力为-10~100kpag,操作温度为0~30℃。

6.根据权利要求1所述的一种富含硼-11的三氟化硼与高纯三氟化硼联产的...

【专利技术属性】
技术研发人员:艾波李瑜哲吴高胜许保云宗睿姚隽渊
申请(专利权)人:上海化工研究院有限公司
类型:发明
国别省市:

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