【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体激光器，具体涉及一种半导体激光器。
技术介绍
1、半导体激光器在先进工业制造、军事、航空航天、医疗美容、照明显示等各个行业都有广泛的应用；随着工业生产的发展，对半导体激光器的功率及可靠性要求越来越高；为了提高输出功率。
2、半导体激光器包括热沉、激光芯片和水冷板，激光芯片通电发光会产生大量的热量影响设备运行，因此目前的半导体激光器对于散热性能有较高的要求。其中半导体激光器的激光芯片设有多组沿着热沉的长度方向间隔设于热沉上，热沉设置于水冷板上，水冷板内设置微散热通道，通过水冷板和热沉对其上的激光芯片进行散热。然而，现有半导体激光器在水冷板内设置微散热通道，散热通道整体设于热沉下侧，散热效果不理想。
技术实现思路
1、（一）本专利技术所要解决的技术问题是：目前半导体激光器采用微通道散热，存在散热效果差，影响整体散热效率的问题。
2、（二）技术方案
3、为了解决上述技术问题，本专利技术一方面实施例提供了一种半导体激光器，包括水冷板和多个激光器件；
4、所述水冷板内设有多个第一散热通道和至少一个第二散热通道；相邻两个所述第一散热通道之间设有所述第二散热通道，且所述第二散热通道与所述第一散热通道间隔设置并相互独立；
5、每个所述第一散热通道上侧均安装有一个所述激光器件，多个所述激光器件在所述水冷板的长度方向间隔设置。
6、根据本专利技术的一个实施例，所述激光器件包括激光芯片和热沉，所述热沉焊接于对应的
7、根据本专利技术的一个实施例，所述水冷板的上表面为平面，多个所述热沉位于同一平面内；多个所述第一散热通道的截面积和尺寸相等，多个所述第二散热通道截面尺寸相等。
8、根据本专利技术的一个实施例，所述水冷板包括过渡段和至少两个安装段；所述安装段的上表面为水平的平面，相邻两个所述安装段的上表面在高度方向上具有高度差；且多个所述安装段在水平面的投影相互间隔；
9、所述过渡段的上表面为倾斜的平面，相邻两个所述安装段的上表面通过所述过渡段的上表面连接；
10、每个所述安装段内至少设有一个所述第一散热通道，每个所述过渡段内设有一个所述第二散热通道。
11、根据本专利技术的一个实施例，所述第一散热通道沿由下至上的方向截面积逐渐增大；所述第二散热通道沿由下至上的方向截面积逐渐减小。
12、根据本专利技术的一个实施例，所述水冷板呈阶梯状，所述水冷板的每个台阶内均设有至少一个第一散热通道和至少一个第二散热通道。
13、根据本专利技术的一个实施例，所述第一散热通道内流通有第一散热介质，所述第二散热通道内流通有第二散热介质，所述第一散热介质的散热系数为k1，所述第二散热介质的散热系数为k2，k1＞k2。
14、根据本专利技术的一个实施例，所述热沉内设有传热通道，所述传热通道对应设于所述激光芯片的下侧，且所述传热通道内流通有第三散热介质，所述第三散热介质的散热系数大于或等于所述第一散热介质的散热系数。
15、根据本专利技术的一个实施例，所述热沉的高度为d1，所述传热通道的高度为d2，0.2*d1＜d2≤0.6d1。
16、根据本专利技术的一个实施例，所述激光芯片包括脊波导，所述脊波导在竖直方向的投影落于所述第一散热通道内；所述第一散热通道内对应所述脊波导位置的高度为b1，所述第一散热通道对应所述脊波导两侧位置的高度为b2，b1＞b2。
17、根据本专利技术的一个实施例，所述激光芯片包括本体，所述本体一侧表面包括对应所述脊波导位置的第一区域和位于所述第一区域两侧的第二区域；
18、所述第一区域设置有向外凸出的脊条结构形成所述脊波导，所述脊波导与所述热沉之间设有第一焊接层，所述第二区域与所述热沉之间设有第二焊接层，所述第一焊接层的厚度小于所述第二焊接层的厚度。
19、根据本专利技术的一个实施例，所述第一散热通道和所述第二散热通道的截面形状均呈等腰梯形；所述第一散热通道截面顶边宽度大于底边宽度，所述第二散热通道的顶边宽度小于底边宽度；所述第一散热通道与所述热沉相接；
20、所述第一散热通道的高度为l1，所述第二散热通道的高度为l2，l2≥l1。
21、本专利技术的有益效果：本专利技术提供的半导体激光器包括水冷板和多个激光器件，所述水冷板内设有多个第一散热通道和至少一个第二散热通道，相邻两个所述第一散热通道之间设有一个第二散热通道，每个所述第一散热通道上侧均设有一个所述激光器件，激光器件产生的热量能够直接与第一散热通道进行热交换，第一散热通道的热量可以通过水冷板向下传递，实现对于激光器件的散热，提高对于激光器件的散热效率；同时相邻两个第一散热通道之间设有至少一个第二散热通道，第二散热通道两侧的第一散热通道的热量可以通过水冷板传递至第二散热通道，第二散热通道内的热量，可以通过水冷板传递出去；能够进一步提升半导体激光器的散热效率。
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1.一种半导体激光器，其特征在于，包括水冷板（11）和多个激光器件；
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述激光器件包括激光芯片（13）和热沉（12），所述热沉（12）设于水冷板（11）上，且所述热沉（12）覆盖所述第一散热通道（111），所述激光芯片（13）焊接于所述热沉（12）上。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述水冷板（11）的上表面为平面，多个所述热沉（12）位于同一平面内；多个所述第一散热通道（111）的截面积和尺寸相等，多个所述第二散热通道（112）截面尺寸相等。
4.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述水冷板（11）包括过渡段（114）和至少两个安装段（113）；
5.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一散热通道（111）沿由下至上的方向截面积逐渐增大；所述第二散热通道（112）沿由下至上的方向截面积逐渐减小。
6.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述水冷板（11）呈阶梯状，所述水冷板（11）的每个台阶内均设有至少一个第一散
7.根据权利要求2至6任一项所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一散热通道（111）内流通有第一散热介质，所述第二散热通道（112）内流通有第二散热介质，所述第一散热介质的散热系数为K1，所述第二散热介质的散热系数为K2，K1＞K2。
8.根据权利要求7所述的半导体激光器，其特征在于，所述热沉（12）内设有传热通道（121），所述传热通道（121）对应设于所述激光芯片（13）的下侧，且所述传热通道（121）内流通有第三散热介质，所述第三散热介质的散热系数大于或等于所述第一散热介质的散热系数。
9.根据权利要求8所述的半导体激光器，其特征在于，所述热沉（12）的高度为d1，所述传热通道（121）的高度为d2，0.2*d1＜d2≤0.6d1 。
10.根据权利要求2至6任一项所述的半导体激光器，其特征在于，所述激光芯片（13）包括脊波导（131），所述脊波导（131）在竖直方向的投影落于所述第一散热通道（111）内；所述第一散热通道（111）内对应所述脊波导（131）位置的高度为B1，所述第一散热通道（111）对应所述脊波导（131）两侧位置的高度为B2，B1＞B2。
11.根据权利要求10所述的半导体激光器，其特征在于，所述激光芯片（13）包括本体，所述本体一侧表面包括对应所述脊波导（131）位置的第一区域和位于所述第一区域两侧的第二区域；
12.根据权利要求2至6任一项所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一散热通道（111）和所述第二散热通道（112）的截面形状均呈等腰梯形；所述第一散热通道（111）截面顶边宽度大于底边宽度，所述第二散热通道（112）的顶边宽度小于底边宽度；
...【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括水冷板（11）和多个激光器件；
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述激光器件包括激光芯片（13）和热沉（12），所述热沉（12）设于水冷板（11）上，且所述热沉（12）覆盖所述第一散热通道（111），所述激光芯片（13）焊接于所述热沉（12）上。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述水冷板（11）的上表面为平面，多个所述热沉（12）位于同一平面内；多个所述第一散热通道（111）的截面积和尺寸相等，多个所述第二散热通道（112）截面尺寸相等。
4.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述水冷板（11）包括过渡段（114）和至少两个安装段（113）；
5.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一散热通道（111）沿由下至上的方向截面积逐渐增大；所述第二散热通道（112）沿由下至上的方向截面积逐渐减小。
6.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述水冷板（11）呈阶梯状，所述水冷板（11）的每个台阶内均设有至少一个第一散热通道（111）和至少一个第二散热通道（112）。
7.根据权利要求2至6任一项所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一散热通道（111）内流通有第一散热介质，所述第二散热通道（112）内流通有第二散热介质，所述第一散热介质的散热系数为k1，所述第二散热...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵卫东，刘育衔，杨国文，
申请(专利权)人：度亘核芯光电技术苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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