【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微波领域，具体涉及一种带状线式准微带非可逆器件及其实现方法。
技术介绍
1、和4g相比，5g的提升是全方位的，massive mimo作为5g的核心技术之一，打破传统天线只能提供水平维度的限制，通过引入二维天线阵列，可同时实现水平和垂直方向上的mimo，进一步提升mimo可利用的空间维度，将mimo多天线技术推向了一个更高的发展阶段，为全面提升无线通信系统性能提供了更多发展空间；massive mimo中所采用的天线规模发生了巨大的变化，天线数目的增加，相应的非可逆器件用量也增加使得基站中各个模块必须小型化。因此对旋磁铁氧体非可逆器件也提出了超小型化轻量化的要求。
2、鉴于传统的表贴非可逆器件由金属腔体、铁氧体磁铁、永磁体、中心导体、插芯、介质环及补偿片等组成，结构复杂，体积相对较大，相对重量较大；同时，小型化后的高精度的组装设计要求已慢慢制约着非可逆器件的装配要求；其次，传统微带非可逆器件由于其电磁波传输模式制约了器件功率承受范围，传统的表贴非可逆器件或微带非可逆器件已满足不了新一代产品的实际应用需求。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种带状线式准微带非可逆器件，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。本专利技术提供的一种带状线式准微带非可逆器件，具有结构简单，装配方便以及便于集成的特点。
2、本专利技术另一目的在于提供一种带状线式准微带非可逆器件的实现方法。
3、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种带状线式准微带
4、所述下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品和上端陶瓷环旋磁铁氧体一体品为嵌套式结构，外圆部分为高介电常数的高q值的陶瓷环，内圆部分为小线宽的石榴石铁氧体，下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品和上端陶瓷环旋磁铁氧体一体品单面镀银，装配时非镀层面与中心导体接触。
5、为了节省成本，提高效率，进一步地，中心导体采用蚀刻工艺，通过胶体粘接在下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品和上端陶瓷环旋磁铁氧体一体品的非镀层面之间。
6、为了磁化均匀，优化系统性能，进一步地，匀磁片与永磁体之间通过胶体粘接。
7、为了确保引脚与下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品之间连接的稳定性，进一步地，下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品设有与三个引脚端部相对应的三个信号引脚，镀层为镀金层或镀银层；所述中心导体三个引脚位于下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品底部部分为底面焊接点。
8、为了装配方便，便于集成，进一步地，上端陶瓷环旋磁铁氧体一体品的镀层面与匀磁片之间通过焊锡焊接。
9、为了便于与终端电路板进行焊接，进一步地，中心导体的三个引脚的端部折弯至下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品的底部，三个引脚与下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品的三个信号引脚焊接。
10、为了便于三个引脚折曲和利于下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品、中心导体、上端陶瓷环旋磁铁氧体一体品粘接，中心导体厚度不厚于0.03mm并进行镀银后塑形处理。
11、在本专利技术中，进一步地，所述的一种带状线式准微带非可逆器件的实现方法，包括以下步骤：
12、步骤s1：中心导体、匀磁片、铁镍合金温度补偿片采用蚀刻工艺制备；
13、步骤s2：陶瓷环采用嵌套工艺，先将石榴石铁氧体磨成圆棒，采用石榴石铁氧体外壁和陶瓷管内壁双层涂陶瓷粉，经过高温1210℃烧结，然后切片，磨片，单面镀银；排除陶瓷环与石榴石铁氧体之间的间隙位置出现的气孔，制备得到下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品和上端陶瓷环旋磁铁氧体一体品；
14、步骤s3：在下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品的镀层面刻蚀三个信号引脚，三个信号引脚为半椭圆形，与中心导体的三个引脚对应，信号引脚位于下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品外圆陶瓷环上，三个信号引脚互成120°夹角；
15、步骤s4：将永磁体切割为圆柱；
16、步骤s5：将中心导体通过胶体粘接在下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品和上端陶瓷环旋磁铁氧体一体品非镀层面之间；
17、步骤s6：分别将中心导体的三个引脚折弯至下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品的底部信号引脚处；
18、步骤s7：将中心导体的三个引脚与下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品的底部信号引脚进行焊接、将匀磁片与上端陶瓷环旋磁铁氧体一体品的镀层面进行焊接；
19、步骤s8：匀磁片与永磁体之间通过胶体粘接。
20、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
21、 1、本专利技术中心导体采用蚀刻工艺，通过胶体粘接在下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品和上端陶瓷环旋磁铁氧体一体品之间，相对于传统的微带非可逆器件，省去下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品正面、侧面镀银工序，其工序简单，成本低廉，可靠性高；
22、 2、本专利技术以下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品作为腔体，相对于传统的金属腔体结构，节省了金属腔体，同时，可通过其三个信号引脚直接印制在终端电路板上，不需单独加工三个引脚，降低了成本，提高了效率；
23、 3、本专利技术下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品、上端陶瓷环旋磁铁氧体一体品与中心导体之间以及匀磁片与永磁体之间均通过胶体粘接，大大节省了组装环节的工序及成本；
24、 4、本专利技术可直接贴片焊接在终端电路板上，在产品性能上降低了非可逆器件与客户终端电路板上引起的阻抗失配偏移误差。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种带状线式准微带非可逆器件，其特征在于，包括：用于产生旋磁效应的下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品、用于传导电磁波的中心导体、用于产生旋磁效应的上端陶瓷环旋磁铁氧体一体品、用于均匀电磁场的匀磁片、用于提供偏置磁场的永磁体；其中，中心导体设于下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品的上方，中心导体的上方设有上端陶瓷环旋磁铁氧体一体品；上端陶瓷环旋磁铁氧体一体品的上方设有匀磁片，匀磁片上方设有永磁体；中心导体由三个引脚、三个谐振子和三端阻抗匹配线及一个结构成；一个结与三个谐振子和三端阻抗匹配线相互连接并位于一个平面，所述三个谐振子之间互成120°夹角，所述三端阻抗匹配线互成120°夹角，所述三个谐振子和三端阻抗匹配线成两两60°夹角，所述三端阻抗匹配线分别与三个引脚连接，中心导体的三个引脚通过三个端阻抗匹配线与三个谐振子和结形成信号连接；所述下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品设有与中心导体的三个引脚端部相对应的三个信号引脚；所述中心导体的三个引脚的端部折弯至下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品的底部；所述中心导体的三个引脚与下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品的三个信号引脚通过焊锡焊接形成信号传输。
2.根据权利要
3.根据权利要求2所述的一种带状线式准微带非可逆器件，其特征在于：所述下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品和下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品的非镀层面与中心导体之间通过胶体粘接；匀磁片与永磁体之间通过胶体粘接。
4.根据权利要求2所述的一种带状线式准微带非可逆器件，其特征在于：所述上端陶瓷环旋磁铁氧体一体品的镀层面与匀磁片之间通过焊锡焊接。
5.根据权利要求1所述的一种带状线式准微带非可逆器件，其特征在于：匀磁片材质为钢材或者铁镍合金表面镀银，永磁体为钐钴磁钢或者铁氧体永磁。
6.根据权利要求2所述的一种带状线式准微带非可逆器件，其特征在于：所述下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品的三个信号引脚位于下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品外圆陶瓷环上，三个信号引脚互成120°夹角。
7.根据权利要求1所述的一种带状线式准微带非可逆器件，其特征在于：在匀磁片与永磁体之间增加铁镍合金温度补偿片，用于进行温度修正。
8.根据权利要求7所述的一种带状线式准微带非可逆器件，其特征在于：铁镍合金温度补偿片与匀磁片通过胶体粘接，铁镍合金温度补偿片与永磁体通过胶体粘接。
9.根据权利要求1-8任一项所述的一种带状线式准微带非可逆器件的实现方法，其特征在于，包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种带状线式准微带非可逆器件，其特征在于，包括：用于产生旋磁效应的下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品、用于传导电磁波的中心导体、用于产生旋磁效应的上端陶瓷环旋磁铁氧体一体品、用于均匀电磁场的匀磁片、用于提供偏置磁场的永磁体；其中，中心导体设于下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品的上方，中心导体的上方设有上端陶瓷环旋磁铁氧体一体品；上端陶瓷环旋磁铁氧体一体品的上方设有匀磁片，匀磁片上方设有永磁体；中心导体由三个引脚、三个谐振子和三端阻抗匹配线及一个结构成；一个结与三个谐振子和三端阻抗匹配线相互连接并位于一个平面，所述三个谐振子之间互成120°夹角，所述三端阻抗匹配线互成120°夹角，所述三个谐振子和三端阻抗匹配线成两两60°夹角，所述三端阻抗匹配线分别与三个引脚连接，中心导体的三个引脚通过三个端阻抗匹配线与三个谐振子和结形成信号连接；所述下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品设有与中心导体的三个引脚端部相对应的三个信号引脚；所述中心导体的三个引脚的端部折弯至下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品的底部；所述中心导体的三个引脚与下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品的三个信号引脚通过焊锡焊接形成信号传输。
2.根据权利要求1所述的一种带状线式准微带非可逆器件，其特征在于：所述下端陶瓷环旋磁铁氧体一体品和上端陶瓷环旋磁铁氧体一体品为嵌套式结构，外圆部分为高介电常数的高q值的陶瓷环，内圆部分为小线宽的石榴石铁氧体，下端陶瓷环旋...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵连敏，牛新建，孙宗正，贾凯，刘建卫，刘迎辉，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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