【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池制造领域，尤其涉及一种氧化膜及其制备方法、太阳能电池。
技术介绍
1、目前行业内的新型高转换效率太阳能电池技术，通常使用低压化学气相沉积(low-pressure cvd，简称为lpcvd）工艺来制备遂穿氧化膜层，从而实现对硅片表面的钝化处理。随着现代太阳能电池制造技术的发展，对硅片氧化膜层的质量及钝化效果的要求越来越高。
技术实现思路
1、针对上述问题，本专利技术提供一种氧化膜及其制备方法、太阳能电池，本专利技术的氧化膜制备方法包括：将硅片依次进行第一次氧化处理和第二次氧化处理，所述第一次氧化处理的氧气流量小于所述第二次氧化处理的氧气流量，所述第一次氧化处理的压力小于所述第二次氧化处理的压力。本专利技术通过在生成氧化膜的过程中分别进行两次氧化处理，能够有效提升氧化膜膜层的质量，及硅片表面的钝化效果，提高太阳能电池的转换效率。
2、本专利技术的第一方面提供一种氧化膜的制备方法，包括：将硅片依次进行第一次氧化处理和第二次氧化处理，所述第一次氧化处理的氧气流...
【技术保护点】
1.一种氧化膜的制备方法，其特征在于，包括：将硅片依次进行第一次氧化处理和第二次氧化处理，所述第一次氧化处理的氧气流量小于所述第二次氧化处理的氧气流量，所述第一次氧化处理的压力小于所述第二次氧化处理的压力。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一次氧化处理的条件包括：压力范围为200-300mtorr，氧气流量为2000-5000sccm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二次氧化处理的条件包括：压力范围为1000-1100mtorr，氧气流量为30000-38000sccm。
4.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种氧化膜的制备方法，其特征在于，包括：将硅片依次进行第一次氧化处理和第二次氧化处理，所述第一次氧化处理的氧气流量小于所述第二次氧化处理的氧气流量，所述第一次氧化处理的压力小于所述第二次氧化处理的压力。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一次氧化处理的条件包括：压力范围为200-300mtorr，氧气流量为2000-5000sccm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二次氧化处理的条件包括：压力范围为1000-1100mtorr，氧气流量为30000-38000sccm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一次氧化处理与所述第二次氧化处理的压力之比为1：（3.5-5）。
5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡福华，毛文龙，梁笑，林佳继，
申请(专利权)人：拉普拉斯新能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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