【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微发光二极管显示器的，尤其涉及一种微发光二极管显示器的修复方法、装置、设备及存储介质。
技术介绍
1、随着显示行业的发展，微发光二极管显示器(micro light emitting diode display，micro-led)被认为是革命性的下一代显示产品，也被称之为显示技术的终结解决方案。不过目前多数微发光二极管显示器处于开发初期的论证阶段，整个产业链还有很多技术和配套设备有待开发，尚未达到产业化、规模化和市场化。微发光二极管显示器是发光二极管(light emitting diode，led)微缩化和矩阵化技术，其目标是将传统led像素点微缩化到几微米，甚至一微米以下，并且能够单独驱动发光显示。实现微发光二极管显示器成熟化的过程中面临很多挑战，例如：芯片设计、全彩化技术、显示器件驱动、和检测修复技术等技术，尤其是如何稳妥精准的键合微发光二极管显示器的芯片阵列与驱动基板集成到一起。进一步的，目前倒装焊机的上压头都采用先吸附芯片，然后对位焊接采用加压和加热的方式来进行。在上述过程中，驱动基板的位置的固定度不足，在倒装焊过程中容易出现由于驱动基板的位移而造成芯片阵列与驱动基板之间出现错位的情况。从而造成芯片阵列与驱动基板的对准精度下降，导致键合的过程中出现焊接虚焊或过压等情况，以至于微发光二极管显示器的部分位置出现显示坏点，进而造成良品率低和制作成本高的问题。如何修复微故障的发光二极管显示器，就成为了业界亟待解决的课题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种微发光
2、根据本专利技术的第一方面，提供一种微发光二极管显示器的修复方法，该修复方法包括：
3、获取故障的微发光二极管显示器的芯片阵列；
4、标记所述芯片阵列中的不良电极位置；
5、将焊料薄膜焊接在所述芯片阵列中的不良电极位置上；
6、将不良电极位置上的所述焊料薄膜通过高温回流成型为焊料球；
7、通过所述焊料球键合所述芯片阵列与驱动基板。
8、在一个实施例中，所述获取故障的微发光二极管显示器的芯片阵列，包括：
9、通过热浴液体拆解故障的微发光二极管显示器，以获取故障的微发光二极管显示器的芯片阵列，其中，所述热浴液体的温度高于键合材料的熔点。
10、在一个实施例中，所述标记所述芯片阵列中的不良电极位置，包括：
11、将所述故障的微发光二极管显示器的芯片阵列放置在电亮治具或电测设备上进行点亮测试，所述电亮治具和/或电测设备带有探针；
12、标记出所述点亮测试中发光不符合预期的不良电极位置。
13、在一个实施例中，所述将焊料薄膜焊接在所述芯片阵列中的不良电极位置上，包括：
14、将所述芯片阵列固定于返修平台上，并在所述芯片阵列上表面覆盖一层焊料薄膜；
15、通过所述返修平台的激光焊针对所述不良电极位置进行激光电焊，用于将所述焊料薄膜焊接在所述不良电极上。
16、在一个实施例中，所述将不良电极位置上的所述焊料薄膜通过高温回流成型为焊料球，包括：
17、对所述芯片阵列的所述焊料薄膜进行表面氧化酸洗处理；
18、将经过氧化酸洗处理的所述芯片阵列放置到真空回流炉中进行加热，以使得所述焊料薄膜形成焊料球，所述真空回流炉中的温度根据预设的温度时间曲线进行变化，且所述真空回流炉在加热过程中提供真空氮气氛围。
19、在一个实施例中，所述通过所述焊料球键合所述芯片阵列与驱动基板，包括：
20、使用高精度倒装机将所述芯片阵列倒装；
21、通过熔化所述焊料球将所述芯片阵列与驱动基板键合在一起。
22、根据本专利技术的第二方面，提供一种微发光二极管显示器的修复装置，包括：
23、获取模块，用于获取故障的微发光二极管显示器的芯片阵列；
24、标记模块，用于标记所述芯片阵列中的不良电极位置；
25、焊接模块，用于将焊料薄膜焊接在所述芯片阵列中的不良电极位置上；
26、回流模块，用于将不良电极位置上的所述焊料薄膜通过高温回流成型为焊料球；
27、键合模块，用于通过所述焊料球键合所述芯片阵列与驱动基板。
28、在一个实施例中，所述获取模块、所述标记模块、所述焊接模块、所述回流模块和所述键合模块被控制执行实现上述的任一种修复方法。
29、根据本专利技术的第三方面，提供一种电子设备，电子设备包括：处理器以及存储有计算机程序指令的存储器；
30、处理器执行计算机程序指令时实现上述的任一种修复方法。
31、根据本专利技术的第四方面，提供一种计算机可读存储介质，其特征在于，计算机可读存储介质上存储有计算机程序指令，计算机程序指令被处理器执行时实现上述的任一种修复方法。
32、综上所述，本专利技术提供一种微发光二极管显示器的修复方法及装置，该方法包括：获取故障的微发光二极管显示器的芯片阵列；标记所述芯片阵列中的不良电极位置；将焊料薄膜焊接在所述芯片阵列中的不良电极位置上；将不良电极位置上的所述焊料薄膜通过高温回流成型为焊料球；通过所述焊料球键合所述芯片阵列与驱动基板。通过本申请中的技术方案可批量标注出故障的芯片阵列中的多个不良电极位置，并在多个不良电极位置上精确的焊接焊料薄膜，进而形成焊料球以便键合芯片阵列和驱动基板，极大的提高了修复的效率和成功率。相比现有技术中的单个电极检测的方式，极大的提高了检测效率。还可精确的在该多个不良电极位置上覆盖上焊料薄膜，极大的提高了修复成功率。
33、本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
34、下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种微发光二极管显示器的修复方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述获取故障的微发光二极管显示器的芯片阵列，包括：
3.如权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述标记所述芯片阵列中的不良电极位置，包括：
4.如权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述将焊料薄膜焊接在所述芯片阵列中的不良电极位置上，包括：
5.如权利要求4所述的修复方法，其特征在于，所述将不良电极位置上的所述焊料薄膜通过高温回流成型为焊料球，包括：
6.如权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述使用具备焊料球的所述芯片阵列与驱动基板进行键合，包括：
7.一种微发光二极管显示器的修复装置，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的调节装置，其特征在于：所述获取模块、所述标记模块、所述焊接模块、所述回流模块和所述键合模块被控制执行权利要求1-6任一项所述的修复方法。
9.一种计算设备，其特征在于，包括：
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有程序指令，其特征在于，所述
...【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管显示器的修复方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述获取故障的微发光二极管显示器的芯片阵列，包括：
3.如权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述标记所述芯片阵列中的不良电极位置，包括：
4.如权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述将焊料薄膜焊接在所述芯片阵列中的不良电极位置上，包括：
5.如权利要求4所述的修复方法，其特征在于，所述将不良电极位置上的所述焊料薄膜通过高温回流成型为焊料球，包括：
6.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：师文，胡恒广，闫冬成，韩平，
申请(专利权)人：河北光兴半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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