【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微发光二极管显示器的,尤其涉及一种微发光二极管显示器的修复方法、装置、设备及存储介质。
技术介绍
1、随着显示行业的发展,微发光二极管显示器(micro light emitting diode display,micro-led)被认为是革命性的下一代显示产品,也被称之为显示技术的终结解决方案。不过目前多数微发光二极管显示器处于开发初期的论证阶段,整个产业链还有很多技术和配套设备有待开发,尚未达到产业化、规模化和市场化。微发光二极管显示器是发光二极管(light emitting diode,led)微缩化和矩阵化技术,其目标是将传统led像素点微缩化到几微米,甚至一微米以下,并且能够单独驱动发光显示。实现微发光二极管显示器成熟化的过程中面临很多挑战,例如:芯片设计、全彩化技术、显示器件驱动、和检测修复技术等技术,尤其是如何稳妥精准的键合微发光二极管显示器的芯片阵列与驱动基板集成到一起。进一步的,目前倒装焊机的上压头都采用先吸附芯片,然后对位焊接采用加压和加热的方式来进行。在上述过程中,驱动基板的位置的固定度不足,在倒装
...【技术保护点】
1.一种微发光二极管显示器的修复方法,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的修复方法,其特征在于,所述获取故障的微发光二极管显示器的芯片阵列,包括:
3.如权利要求1所述的修复方法,其特征在于,所述标记所述芯片阵列中的不良电极位置,包括:
4.如权利要求1所述的修复方法,其特征在于,所述将焊料薄膜焊接在所述芯片阵列中的不良电极位置上,包括:
5.如权利要求4所述的修复方法,其特征在于,所述将不良电极位置上的所述焊料薄膜通过高温回流成型为焊料球,包括:
6.如权利要求1所述的修复方法,其特征在于,所述使用具
...【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管显示器的修复方法,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的修复方法,其特征在于,所述获取故障的微发光二极管显示器的芯片阵列,包括:
3.如权利要求1所述的修复方法,其特征在于,所述标记所述芯片阵列中的不良电极位置,包括:
4.如权利要求1所述的修复方法,其特征在于,所述将焊料薄膜焊接在所述芯片阵列中的不良电极位置上,包括:
5.如权利要求4所述的修复方法,其特征在于,所述将不良电极位置上的所述焊料薄膜通过高温回流成型为焊料球,包括:
6.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:师文,胡恒广,闫冬成,韩平,
申请(专利权)人:河北光兴半导体技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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