System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种BMS电压采样自校准方法技术_技高网

一种BMS电压采样自校准方法技术

技术编号:41128166 阅读:17 留言:0更新日期:2024-04-30 17:56
本发明专利技术涉及电池管理技术领域,具体地说,涉及一种BMS电压采样自校准方法。其包括以下步骤:检测待测样品的电压值,并根据待测样品的电压值连接对应的电压采样自效准电路;将外部效准源的输入原始值与参考电压值相乘得出外部效准源的输入实际值;通过外部校准源计的输入实际值反向推算参考电压值,并判断参考电压值是否满足误差要求;根据采集到的输出值与实际已知输出值的误差,对参考电压值进行校准并计算得到正确模拟量输入实际值。本发明专利技术中,通过外部效准源,对参考电源进行效准,从而提高低压/高压模拟量采集精度,并且对参考电源电压进行诊断,提高了模拟量采集的稳定性和有效性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电池管理,具体地说,涉及一种bms电压采样自校准方法。


技术介绍

1、bms为电池管理系统,是配合监控储能电池状态的装置,主要就是为了智能化管理及维护各个电池单元,防止电池出现过充电和过放电,延长电池的使用寿命,监控电池的状态。

2、如cn115128533a中涉及一种基于bms应用的电流采集自校验电路和方法,该电路包括电池单元、正极端口、负极端口、检流电阻rs、开关电路、控制电路和采集电路,电池单元的正极电连接正极端口,负极通过检流电阻rs电连接负极端口,开关电路并联设置在正极端口与负极端口之间,控制电路用于采集电池单元的电池电压vbat,及用于导通开关电路,以使电池单元、开关电路和检流电阻rs共同构成采集回路,采集电路用于采集流经检流电阻rs的检流电压vrs,控制电路用于依据检流电压vrs与理论检流电压vo的差值检测采集电路的电流采集精度;然而现有的bms模拟量采样精度,受参考电源供电影响较大,当参考电源供电出现问题时,采样精度会受到较大影响,而无法准确判断参考电压的工作状态,就影响模拟量采集的可靠性。

3、为了对参考电源进行判断效准以提高模拟量采样精度和稳定性,提出一种bms电压采样自校准方法。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种bms电压采样自校准方法,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、为实现上述目的,本专利技术目的在于,提供了一种bms电压采样自校准方法,包括以下步骤:

3、s1、检测待测样品的电压值,并根据待测样品的电压值连接对应的电压采样自效准电路;

4、s2、将外部效准源的输入原始值与参考电压值相乘得出外部效准源的输入实际值;

5、s3、通过外部校准源计的输入实际值反向推算参考电压值,并判断参考电压值是否满足误差要求;

6、s4、根据采集到的输出值与实际已知输出值的误差,对参考电压值进行校准并计算得到正确模拟量输入实际值。

7、作为本技术方案的进一步改进,所述s1中,所述电压采样自效准电路包括低压采样自效准电路和高压采样自效准电路,且,

8、当待测样品的电压值为9-18v时,将待测样品与低压采样自效准电路连接;

9、当待测样品的电压值为300-800v时,将待测样品与高压采样自效准电路连接。

10、作为本技术方案的进一步改进,所述s1中,低压采样自效准电路包括芯片u1和效准源u2,

11、所述芯片u1的vdda脚接vdda1端;

12、所述芯片u1的ad1脚接用于采集低压模拟量的低压采集模块;

13、所述芯片u1的ad2脚接vdda1端并接所述效准源u2,所述效准源u2接地;

14、所述芯片u1的gnd脚接地。

15、作为本技术方案的进一步改进,所述s1中,高压采样自效准电路包括芯片u3和效准源u4,

16、所述芯片u3的vdd脚接vdda2端;

17、所述芯片u3的ain0脚接电阻r6,所述电阻r6接电阻r4并接电阻r5,所述电阻r4接所述电阻r3,所述电阻r3接电阻r2,所述电阻r2接电阻r1,所述电阻r1接pack+端,所述电阻r5接pack-端;

18、所述芯片u3的ain1脚接所述效准源u4并接vdda2端,所述效准源u4接pack-端;

19、所述芯片u3的gnd脚接pack-端。

20、作为本技术方案的进一步改进,所述s2中,

21、待测样品为低压时,外部效准源的输入实际值计算公式如下:式中,为低压外部效准源输入实际值,为低压外部效准源输入原始值,为低压参考电源的参考电压值;

22、待测样品为高压时,外部效准源的输入实际值计算公式如下:式中,为高压外部效准源输入实际值,为高压外部效准源输入原始值,为高压参考电源的参考电压值。

23、作为本技术方案的进一步改进,所述s3中,当、大于2.48v且小于2.52v,则满足误差要求。

24、作为本技术方案的进一步改进,所述s4中,校准方式为将通过芯片采集到的基准电压,与已知的基准电压进行比较,当芯片回采的基准电压误差超出范围时,利用该电压误差推算出当前参考电源输入芯片的电压值,计算得出参考电压值的误差,然后将参考电压值效准。

25、作为本技术方案的进一步改进,所述s4中,

26、待测样品为低压时,模拟量输入实际值的计算公式如下:式中,为低压模拟量输入实际值,为低压模拟量输入原始值,为低压参考电源的参考电压值;

27、待测样品为高压时,模拟量输入实际值的计算公式如下:式中,为高压模拟量输入实际值,为高压模拟量输入原始值,rb为电阻r1、r2、r3、r4的等效电阻值,为高压参考电源的参考电压值。

28、与现有技术相比,本专利技术的有益效果:

29、该bms电压采样自校准方法中,通过外部效准源,对参考电源进行效准,从而提高低压/高压模拟量采集精度,并且对参考电源电压进行诊断,提高了模拟量采集的稳定性和有效性。

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【技术保护点】

1.一种BMS电压采样自校准方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的BMS电压采样自校准方法,其特征在于:所述S1中,所述电压采样自效准电路包括低压采样自效准电路和高压采样自效准电路,且,

3.根据权利要求2所述的BMS电压采样自校准方法,其特征在于:所述S1中,低压采样自效准电路包括芯片U1和效准源U2,

4.根据权利要求2所述的BMS电压采样自校准方法,其特征在于:所述S1中,高压采样自效准电路包括芯片U3和效准源U4,

5.根据权利要求1所述的BMS电压采样自校准方法,其特征在于:所述S2中,

6.根据权利要求1所述的BMS电压采样自校准方法,其特征在于:所述S3中,当、大于2.48V且小于2.52V,则满足误差要求。

7.根据权利要求1所述的BMS电压采样自校准方法,其特征在于:所述S4中,校准方式为将通过芯片采集到的基准电压,与已知的基准电压进行比较,当芯片回采的基准电压误差超出范围时,利用该电压误差推算出当前参考电源输入芯片的电压值,计算得出参考电压值的误差,然后将参考电压值效准

8.根据权利要求1所述的BMS电压采样自校准方法,其特征在于:所述S4中,

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【技术特征摘要】

1.一种bms电压采样自校准方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的bms电压采样自校准方法,其特征在于:所述s1中,所述电压采样自效准电路包括低压采样自效准电路和高压采样自效准电路,且,

3.根据权利要求2所述的bms电压采样自校准方法,其特征在于:所述s1中,低压采样自效准电路包括芯片u1和效准源u2,

4.根据权利要求2所述的bms电压采样自校准方法,其特征在于:所述s1中,高压采样自效准电路包括芯片u3和效准源u4,

5.根据权利要求1所述的bms电压采样自校准方...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨岩邵星蒋金融邓海东龙海邱图发
申请(专利权)人:博最科技苏州有限公司
类型:发明
国别省市:

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