System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种钴配位二维MOFs及其制备方法技术_技高网
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一种钴配位二维MOFs及其制备方法技术

技术编号:41126407 阅读:4 留言:0更新日期:2024-04-30 17:54
本发明专利技术适用于配位化合物技术领域,提供了一种钴配位二维MOFs及其制备方法,制备方法包括以下步骤:将2,7‑二溴‑9,9‑二甲基芴、吡啶‑4‑硼酸、Pd(PPh<subgt;3</subgt;)<subgt;4</subgt;、碳酸钾溶于1,4‑二氧六环和水的混合溶液中,氮气氛围下加热至一定温度后搅拌;冷却至室温,用二氯甲烷/水多次萃取洗涤后,用Na<subgt;2</subgt;SO<subgt;4</subgt;干燥有机相;柱层析纯化,得到配体L;将Co(NO<subgt;3</subgt;)<subgt;2</subgt;·6H<subgt;2</subgt;O的CH<subgt;3</subgt;OH溶液缓慢分层加入到配体L的CH<subgt;2</subgt;Cl2溶液中,溶液在室温下放置一定时间后,得到钴配位二维MOFs。本发明专利技术制得的钴配位二维MOFs具有良好的热稳定性以及化学稳定性,且制备方法简单易行,可在常温常压下进行,适合大规模生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于配位化合物,尤其涉及一种钴配位二维mofs及其制备方法。


技术介绍

1、金属有机框架(metal-organic frameworks,mofs)材料是一类由过渡金属支点和有机配体组装形成的分子晶体材料。mofs材料的种类多样,钴配位二维mofs作为一种新型的超分子功能材料,它是由钴离子和有机配体相互连接形成的二维网络结构。这种材料具有优异的性能,如较大的孔径以及良好的稳定性以及光学性质等,使其在气体吸附分离、催化以及光电等领域具有广泛的应用前景。在钴配位二维mofs的研究中,一个重要的研究方向是控制其结构和性能。通过选择合适的有机配体和反应条件,可以实现对钴配位二维mofs的结构和性能的精确调控。这有助于优化其性能并拓展其应用范围。此外,钴配位二维mofs的另一个重要研究方向是通过对其结构和性能的深入研究,探究其在不同环境下的行为和性能表现。这有助于更好地理解其在实际应用中的优缺点,并为进一步优化其性能提供指导。总的来说,钴配位二维mofs作为一种新型的超分子功能材料,具有广泛的应用前景和重要的研究价值。通过深入研究和探索,有望为气体储存、分离、催化以及光电等领域的发展带来新的突破和进步。

2、然而,现有的钴配位二维mofs存在一些问题:(1)生产成本高昂:许多现有的钴配位二维mofs的制备过程需要使用昂贵的有机配体,同时还需要严苛的反应条件,这导致了生产成本的显著提高。(2)合成产率低:由于现有的钴配位二维mofs的合成过程较为复杂,且需要严格的反应条件,因此往往难以实现大规模的生产,产量较低。(3)功能性不足:现有的钴配位二维mofs在某些应用领域中可能缺乏足够的活性和功能性,无法满足特定的需求。为此我们提出一种钴配位二维mofs及其制备方法。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种钴配位二维mofs及其制备方法,旨在解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:

3、一种钴配位二维mofs的制备方法,包括以下步骤:

4、步骤s1、配体的合成:将2,7-二溴-9,9-二甲基芴、吡啶-4-硼酸、pd(pph3)4、碳酸钾溶于1,4-二氧六环和水的混合溶液中,氮气氛围下加热至一定温度后搅拌;冷却至室温,用二氯甲烷/水多次萃取洗涤后,用na2so4干燥有机相;柱层析纯化,得到配体l;

5、步骤s2、钴配位二维mofs的合成:将co(no3)2·6h2o的ch3oh溶液缓慢分层加入到配体l的ch2cl2溶液中,溶液在室温下放置一定时间后,得到钴配位二维mofs。

6、进一步的,所述步骤s1中,配体l为浅黄色粉末。

7、进一步的,所述配体l的结构式如下:

8、

9、进一步的,所述步骤s1中,1,4-二氧六环和水的体积比为5∶1。

10、进一步的,所述步骤s1中,氮气氛围下加热至90℃,搅拌12h。

11、进一步的,所述步骤s2中,钴配位二维mofs为橙红色块状晶体。

12、一种如上述所述的制备方法制得的钴配位二维mofs。

13、与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:

14、1、本专利技术简化了制备方法:本专利技术的制备方法简单易行,可在常温常压下进行,适合大规模生产。

15、2、增强稳定性:通过优化处理条件,制备出了具有优异稳定性的钴配位二维mofs,使其在各种环境条件下保持稳定的性能表现。

16、3、增加应用领域:钴配位二维mofs可以为光电及传感检测等领域的发展带来新的突破和进步。

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【技术保护点】

1.一种钴配位二维MOFs的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的钴配位二维MOFs的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,配体L为浅黄色粉末。

3.根据权利要求2所述的钴配位二维MOFs的制备方法,其特征在于,所述配体L的结构式如下:

4.根据权利要求1所述的钴配位二维MOFs的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,1,4-二氧六环和水的体积比为5:1。

5.根据权利要求1所述的钴配位二维MOFs的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,氮气氛围下加热至90℃,搅拌12h。

6.根据权利要求1所述的钴配位二维MOFs的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,钴配位二维MOFs为橙红色块状晶体。

7.一种根据权利要求1-6任一所述的制备方法制得的钴配位二维MOFs。

【技术特征摘要】

1.一种钴配位二维mofs的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的钴配位二维mofs的制备方法,其特征在于,所述步骤s1中,配体l为浅黄色粉末。

3.根据权利要求2所述的钴配位二维mofs的制备方法,其特征在于,所述配体l的结构式如下:

4.根据权利要求1所述的钴配位二维mofs的制备方法,其特征在于,所述步骤s1中,1,...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨英威吴庚辛
申请(专利权)人:吉林大学
类型:发明
国别省市:

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