System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法及头孢克肟制备方法技术_技高网

一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法及头孢克肟制备方法技术

技术编号:41125608 阅读:4 留言:0更新日期:2024-04-30 17:53
本发明专利技术涉及一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法及头孢克肟制备方法,包括以下步骤:令7‑AVCA与MICA活性酯在溶剂体系下进行酰胺化反应,生成ACMV反应液;用二氯甲烷萃取ACMV反应液,得到ACMV水溶液;ACMV水溶液进行水解和酸化后,得到头孢克肟反应液,将头孢克肟反应液过氧化铝柱得到滤液,加入盐酸结晶得到头孢克肟产品。本发明专利技术所述的一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法,能够对头孢克肟产品中的聚合物杂质进行有效去除,并且确保头孢克肟产品的有关物质符合头孢克肟有关物质的控制标准,且所得产品收率高、白度好、产品稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制药领域,特别是涉及一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法及头孢克肟制备方法


技术介绍

1、头孢克肟(cefixime),是一种有机化合物,为口服用的第三代头孢菌素类抗生素,适用于治疗敏感菌所致的呼吸、泌尿和胆道等部位的感染。目前,合成头孢克肟的工艺中,较为成熟的工艺包括以下步骤:以7-氨基-3-乙烯基-头孢烷酸(7-avca,克肟母核)和(z)-2-(2-氨基噻唑-4-基)-2-甲氧羰基甲氧亚氨基硫代乙酸(s)-2-苯并噻唑酯(mica活性酯、头孢克肟侧链酸)或者类似物为起始物料,进行酰胺化反应,反应生成物经过活性炭除杂和脱色,得到头孢克肟甲酯(acmv)等中间体,头孢克肟甲酯等中间体经过碱水解和酸化处理后得到头孢克肟。

2、在实现本专利技术的过程中,专利技术人发现现有技术至少存在如下问题:采用前述的工艺制备得到的头孢克肟的质量无法满足现行法规和行业需求,聚合物杂质过多。


技术实现思路

1、基于此,本专利技术的目的在于,提供一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法及头孢克肟制备方法,能够对头孢克肟产品中的聚合物杂质进行有效去除,并且确保头孢克肟产品的有关物质符合头孢克肟有关物质的控制标准,且所得产品收率高、白度好、产品稳定。

2、一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法,包括以下步骤:

3、令7-avca与mica活性酯在溶剂体系下进行酰胺化反应,生成acmv反应液;用二氯甲烷萃取acmv反应液,得到acmv水溶液;acmv水溶液进行水解和酸化后,得到头孢克肟反应液,将头孢克肟反应液过氧化铝柱得到滤液,加入盐酸结晶得到头孢克肟产品。

4、本专利技术所述的一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法,能够对头孢克肟产品中的聚合物杂质进行有效去除,并且确保头孢克肟产品的有关物质符合头孢克肟有关物质的控制标准,且所得产品收率高、白度好、产品稳定。

5、进一步地,所述萃取的方法包括以下步骤:用二氯甲烷萃取所述acmv反应液,萃取后静置分层并分液,得到水相和有机相,用dcm萃取所述水相两次,得到acmv水溶液。用dcm对水相进行多次萃取,进一步地去除水相中的副产物。

6、进一步地,所述溶剂体系由酮类溶剂、醇类溶剂、卤代烃类溶剂、酯类溶剂、四氢呋喃和甲基四氢呋喃中的一种或几种与纯化水组成;所述酮类溶剂包括丙酮和丁酮,所述醇类溶剂包括乙醇和异丙醇,所述卤代烃类溶剂包括二氯甲烷和二氯乙烷,所述酯类溶剂包括乙酸甲酯、乙酸乙酯和醋酸丁酯。

7、进一步地,所述氧化铝的重量为所述7-avca重量的1~10倍。进一步优选为1~5倍。

8、进一步地,所述氧化铝的重量为所述7-avca重量的2~3倍。

9、进一步地,过氧化铝柱的方法包括以下步骤:将所述头孢克肟反应液过氧化铝柱得到滤液,然后使用纯化水对所述氧化铝柱进行洗脱,将所述滤液与所述洗脱液合并后加入溶剂调节结晶体系,最后加入盐酸结晶调节ph至2.0-2.2,得到头孢克肟产品;所述溶剂包括丙酮和异丙醇中的一种或几种。

10、进一步地,所述氧化铝为γ-氧化铝,所述氧化铝的规格为50~100目、80~150目、100~200目和150~325目中的一种或几种。

11、进一步地,所述氧化铝的规格为80~150目。

12、进一步地,所述头孢克肟聚合物杂质包括聚合物杂质impb和二聚体d。

13、本专利技术还提供一种头孢克肟制备方法,包括上述任一所述的一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法。

14、为了更好地理解和实施,下面结合附图详细说明本专利技术。

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【技术保护点】

1.一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法,其特征在于,所述萃取的方法包括以下步骤:用二氯甲烷萃取所述ACMV反应液,萃取后静置分层并分液,得到水相和有机相,用DCM萃取所述水相两次,得到ACMV水溶液。

3.根据权利要求1所述的一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法,其特征在于,所述溶剂体系由酮类溶剂、醇类溶剂、卤代烃类溶剂、酯类溶剂、四氢呋喃和甲基四氢呋喃中的一种或几种与纯化水组成;所述酮类溶剂包括丙酮和丁酮,所述醇类溶剂包括乙醇和异丙醇,所述卤代烃类溶剂包括二氯甲烷和二氯乙烷,所述酯类溶剂包括乙酸甲酯、乙酸乙酯和醋酸丁酯。

4.根据权利要求1所述的一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法,其特征在于,所述氧化铝的重量为所述7-AVCA重量的1~10倍。

5.根据权利要求4所述的一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法,其特征在于,所述氧化铝的重量为所述7-AVCA重量的2~3倍。

6.根据权利要求1所述的一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法,其特征在于,过氧化铝柱的方法包括以下步骤:将所述头孢克肟反应液过氧化铝柱得到滤液,然后使用纯化水对所述氧化铝柱进行洗脱,将所述滤液与所述洗脱液合并后加入溶剂调节结晶体系,最后加入盐酸结晶调节pH至2.0-2.2,得到头孢克肟产品;所述溶剂包括丙酮和异丙醇中的一种或几种。

7.根据权利要求1所述的一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法,其特征在于,所述氧化铝为γ-氧化铝,所述氧化铝的规格为50~100目、80~150目、100~200目和150~325目中的一种或几种。

8.根据权利要求7所述的一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法,其特征在于,所述氧化铝的规格为80~150目。

9.根据权利要求1所述的一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法,其特征在于,所述头孢克肟聚合物杂质包括聚合物杂质impB和二聚体D。

10.一种头孢克肟的制备方法,其特征在于,包括权利要求1~9任一所述的一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法。

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【技术特征摘要】

1.一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法,其特征在于,所述萃取的方法包括以下步骤:用二氯甲烷萃取所述acmv反应液,萃取后静置分层并分液,得到水相和有机相,用dcm萃取所述水相两次,得到acmv水溶液。

3.根据权利要求1所述的一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法,其特征在于,所述溶剂体系由酮类溶剂、醇类溶剂、卤代烃类溶剂、酯类溶剂、四氢呋喃和甲基四氢呋喃中的一种或几种与纯化水组成;所述酮类溶剂包括丙酮和丁酮,所述醇类溶剂包括乙醇和异丙醇,所述卤代烃类溶剂包括二氯甲烷和二氯乙烷,所述酯类溶剂包括乙酸甲酯、乙酸乙酯和醋酸丁酯。

4.根据权利要求1所述的一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法,其特征在于,所述氧化铝的重量为所述7-avca重量的1~10倍。

5.根据权利要求4所述的一种头孢克肟聚合物杂质的去除方法,其特征在于,所述氧化铝的重量为所述7-avca重量的2~3倍。

【专利技术属性】
技术研发人员:姜安民封康陈燕苹
申请(专利权)人:广药白云山化学制药珠海有限公司
类型:发明
国别省市:

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