液相法生长碳化硅单晶晶体的热场结构制造技术

本技术提供一种液相法生长碳化硅单晶晶体的热场结构，用以解决现有的热场结构无法保证在液相池外向上旋转拉伸过程中的晶种托的温度稳定的缺陷。该热场结构包括炉体、炉体保温筒、内炉、加热座、第一保温筒、第二保温筒、保温盖、第三保温筒、密封盖。其中，设置在第三保温筒的加热装置，用于为第三保温筒内腔的晶种托通行区域提供加热热源。该热场结构通过炉体保温筒减少炉体内腔的热量向外散失；通过加热座向内炉和炉体内腔提供加热热源，在内炉内腔及炉体内腔形成基本的温度场分布；通过设置有加热装置的第三保温筒，在晶种托通行区域建立独立的稳定温度场；从而在内炉内和晶种托通行区域均形成稳定温度场，有利于制备过程中形成稳定的晶型。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及材料学和半导体制造，尤其是一种液相法生长碳化硅单晶晶体的热场结构。

技术介绍

1、液相法生长碳化硅单晶技术的实现原理是：在高于碳化硅的熔点的温度，在适当的压力条件下，利用超临界流体作为传质介质，将液态含硅原料运送到晶种表面，使硅原子有序排列生长出碳化硅单晶。

2、液相法碳化硅单晶生长炉通常包括晶种托、液相池、加热装置、温度控制系统、液相循环系统、真空泵系统、气体供气系统。其中，液相法碳化硅单晶生长炉通常包括晶种托、液相池、加热装置、温度控制系统、液相循环系统、气体供气系统、真空泵系统、气体供气系统。其中，晶种托用于放置和夹持碳化硅籽晶；液相池用于提供熔融态碳化硅原料；加热装置用于提供热能使炉膛内温度保持在设定温度；温度控制系统用于实现单晶晶体生长过程温度测量和控制；液相循环系统用于使液态含硅原料保持均匀性和稳定性；气体供气系统用于提供惰性保护气体以在炉膛内形成碳化硅单晶生长气氛；真空泵系统用于通过抽真空以在炉膛内形成真空环境。

3、热场是指炉膛内的温度分布情况。合理的热场对获得完整、无裂纹的碳化硅单晶晶体十分重要。用于形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.液相法生长碳化硅单晶晶体的热场结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的液相法生长碳化硅单晶晶体的热场结构，其特征在于，所述第二保温筒(600)的筒体内设置有加热装置，用于沿着所述第三保温筒(700)的高度方向对所述第二保温筒(600)与所述第三保温筒(700)之间的炉体内腔进行分段温度补偿加热。

3.根据权利要求2所述的液相法生长碳化硅单晶晶体的热场结构，其特征在于，所述第二保温筒(600)为倒阶梯结构；所述热场结构还包括阶梯型保温凸台(800)；所述阶梯型保温凸台(800)与所述第二保温筒(600)相适配，以使所述阶梯型保温凸台(800)能够嵌设在...

【技术特征摘要】

1.液相法生长碳化硅单晶晶体的热场结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的液相法生长碳化硅单晶晶体的热场结构，其特征在于，所述第二保温筒(600)的筒体内设置有加热装置，用于沿着所述第三保温筒(700)的高度方向对所述第二保温筒(600)与所述第三保温筒(700)之间的炉体内腔进行分段温度补偿加热。

3.根据权利要求2所述的液相法生长碳化硅单晶晶体的热场结构，其特征在于，所述第二保温筒(600)为倒阶梯结构；所述热场结构还包括阶梯型保温凸台(800)；所述阶梯型保温凸台(800)与所述第二保温筒(600)相适配，以使所述阶梯型保温凸台(800)能够嵌设在所述第二保温筒(600)与所述第三保温筒(700)之间的炉体内腔。

4.根据权利要求1-3任一项所述的液相法生长碳化硅单晶晶体的热场结构，其特征在于，设置在所述第三保温筒(700)的筒体内和设置在所述第二保温筒...

【专利技术属性】
技术研发人员：林洪峰，李书森，蔡蔚，王程，汪愈丰，
申请(专利权)人：成都天一晶能半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：