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本技术提供一种液相法生长碳化硅单晶晶体的热场结构，用以解决现有的热场结构无法保证在液相池外向上旋转拉伸过程中的晶种托的温度稳定的缺陷。该热场结构包括炉体、炉体保温筒、内炉、加热座、第一保温筒、第二保温筒、保温盖、第三保温筒、密封盖。其中，设...
该专利属于成都天一晶能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都天一晶能半导体有限公司授权不得商用。

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