用于液相法碳化硅单晶生长炉的加热结构制造技术

本技术提供一种用于液相法碳化硅单晶生长炉的加热结构，用以解决现有的碳化硅单晶生长炉的加热结构无法在内炉内形成竖直方向温度分布可调节的热场的问题。单晶生长炉包括炉体，嵌设在炉体内的保温筒，设置在炉体内腔中间部位的内炉；加热结构包括设置在内炉底部的底座式加热装置，套设在在内炉外周的套筒式加热装置。该加热结构实现对内炉的包覆式分区加热和分区独立精确温控，确保内炉内腔的温度分布均匀和稳定，为碳化硅单晶晶体生长提供良好的热场条件，提高碳化硅单晶晶体生长的稳定性和可重复性。该加热结构不仅实现内炉内竖直方向温度分布的调节，还提高了加热效率和加热质量，降低加热的能耗和成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及材料科学和半导体制造，尤其是一种用于液相法碳化硅单晶生长炉的加热结构。

技术介绍

1、液相法碳化硅单晶生长炉通常包括内炉、籽晶托、加热结构、温度测控系统、液相循环系统、真空泵系统、气体供给系统。其中，内炉用于为液相法碳化硅单晶晶体生长提供熔融态的碳化硅原料；籽晶托用于放置和夹持碳化硅籽晶，并在内炉内腔作旋转拉伸运动，实现碳化硅单晶晶体生长，以形成碳化硅单晶晶棒；加热结构用于提供热能，以在内炉内腔形成稳定的热场，控制碳化硅单晶晶体的生长；温度测控系统用于实现单晶晶体生长过程中的温度测量和控制。

2、加热结构是液相法碳化硅单晶生长炉的核心部件之一，它的设计和性能直接影响单晶晶体生长的质量和效率。现有的加热结构一般包括两个独立的加热装置，即主加热装置和副加热装置，副加热装置套设在主加热装置下部。主加热装置由多根竖立的u型主加热棒组成，每根主加热棒与主电极汇流排电连接。副加热装置由多根圈状的副加热棒组成，每根副加热棒与副电极汇流排电连接。主加热装置对内炉上部进行加热，副加热装置对内炉下部进行加热，主加热装置和副加热装置可以分别控制其加热功率，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.用于液相法碳化硅单晶生长炉的加热结构，所述单晶生长炉包括炉体(100)，嵌设在所述炉体(100)内的保温筒(200)，设置在炉体内腔中间部位的内炉(300)；其特征在于，所述加热结构包括：

2.根据权利要求1所述的用于液相法碳化硅单晶生长炉的加热结构，其特征在于，柱状框架结构的所述第二周向电阻加热丝组(520)包括多根竖向支撑杆(521)，通过多根所述竖向支撑杆(521)沿着竖直方向间隔设置的多根环形电阻加热丝。

3.根据权利要求1或2所述的用于液相法碳化硅单晶生长炉的加热结构，其特征在于，所述第二周向电阻加热丝组(520)的环形电阻加热丝为涡状电阻加热丝。<...

【技术特征摘要】

1.用于液相法碳化硅单晶生长炉的加热结构，所述单晶生长炉包括炉体(100)，嵌设在所述炉体(100)内的保温筒(200)，设置在炉体内腔中间部位的内炉(300)；其特征在于，所述加热结构包括：

2.根据权利要求1所述的用于液相法碳化硅单晶生长炉的加热结构，其特征在于，柱状框架结构的所述第二周向电阻加热丝组(520)包括多根竖向支撑杆(521)，通过多根所述竖向支撑杆(521)沿着竖直方向间隔设置的多根环形电阻加热丝。

3.根据权利要求1或2所述的用于液相法碳化硅单晶生长炉的加热结构，其特征在于，所述第二周向电阻加热丝组(520)的环形电阻加热丝为涡状电阻加热丝。

4.根据权利要求1或2所述的用于液相法碳化硅单晶生长炉的加热结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：林洪峰，李书森，蔡蔚，刘令，汪愈丰，
申请(专利权)人：成都天一晶能半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：