温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本技术提供一种用于液相法碳化硅单晶生长炉的加热结构，用以解决现有的碳化硅单晶生长炉的加热结构无法在内炉内形成竖直方向温度分布可调节的热场的问题。单晶生长炉包括炉体，嵌设在炉体内的保温筒，设置在炉体内腔中间部位的内炉；加热结构包括设置在内炉底...
该专利属于成都天一晶能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都天一晶能半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。